반도체 처리장치
    2.
    发明授权
    반도체 처리장치 失效
    半导体加工设备

    公开(公告)号:KR100241290B1

    公开(公告)日:2000-03-02

    申请号:KR1019930012935

    申请日:1993-07-09

    CPC classification number: C23C16/52 C23C16/48 C23C16/481

    Abstract: 진공처리챔버와, 그 아래에 배열설치된 서브챔버를 구비한다. 처리챔버내에는 서셉터가 배열설치되고, 그 위에 반도체 웨이퍼가 재치된다. 처리챔버와 서브챔버는 석영 유리제의 창판에 의해서 밀폐상태로 칸막이 된다. 서브챔버내, 또한 창판의 하방에는 12개의 가열용 광원이 회전테이블 상에 원주형상으로 배열설치된다. 서셉터와 창판 사이에 투과광 에너지를 검출하기 위한 열전쌍으로서 이루어지는 센서가 배열설치된다. 센서는 A/D변환기로서 이루어지는 측정부에 접속되고, 여기에서 검지정보가 디지탈 신호로서 이루어지는 측정치로 변환된다. 측정치는 비교부로 보내어지고, 여기에서 사전 설정된 표준모델과 비교된다. 비교부에서 얻어진 비교결과는 제어부로 전달된다. 제어부는 이 비교결과로부터 창판의 상태를 도출하고, 사전에 정하여진 투과광의 에너지가 검출되지 않는 경우에는 광원에 대한 전력의 공급을 선택적으로 정지한다.

    처리장치
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019930011177A

    公开(公告)日:1993-06-23

    申请号:KR1019920021338

    申请日:1992-11-13

    Abstract: 처리용기 내에 설치한 재치수단상에 재치된 피처리체를 가열처리하는 장치로서, 피처리체의 처리면의 뒷면에 대향하여 배설된 여러 개의 램프와, 이 여러 개의 램프를 원통형상으로 배열하여 재치한 회로체와, 이 회전체를 회전구동하는 구동원과, 로 되는 것을 특징으로 하는 처리장치에 관한 것이다. 또, 가스 공급관으로 부터 처리가스를 처리용기내에 구획하여 형성된 가스실에 이끌리어 이 가스실의 출구에서 상기 처리가스를 상기 처리용기내에 설치한 재치수단상에 재치된 피처리제를 향하여 불어서 표면처리하는 장치로서, 상기 가스실내에 각각 다수개의 통기구멍을 형성한 여러 개의 간막이판을 처리가스 흐름방향으로 소정의 간격을 두고 배설한 것을 특징으로하는 처리장치에 관한 것이다.

    멀티 챔버시스템
    4.
    发明公开
    멀티 챔버시스템 失效
    多室系统

    公开(公告)号:KR1019940010265A

    公开(公告)日:1994-05-24

    申请号:KR1019930021322

    申请日:1993-10-14

    Abstract: 멀티 챔버시스템은 감압 분위기하에서 기판을 처리하는 적어도 1개의 프로세스실과, 이 프로세스실에 연통 또는 차단하도록 설치된 이재실과, 이 이재실내에 설치되고, 기판을 상기 이재실과 프로세스실과의 사이에서 반송하는 제1반송 로보트와 이 이재실에 연통 또는 차단하도록 설치된 적어도 2개의 로드록실과, 이들의 로드록실에 연통 또는 차단하도록 설치되고, 외부로 부터 기판의 로드되는 로더실과, 이 로더실내에 설치되고, 기판을 상기 로더실과 상기 로드록실과의 사이에서 반송하는 제2반송 로보트와, 로더실내에 질소가스를 공급하는 가스 공급원과, 상기 로더실내를 배기하는 진공펌프와, 상기 제1및 제2반송 로보트에 의한 기판의 방송경로를 전환하는 모우드 선택 유니트를 가진다.

    반도체 처리장치
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019940006200A

    公开(公告)日:1994-03-23

    申请号:KR1019930012935

    申请日:1993-07-09

    Abstract: 진공처리챔버와, 그 아래에 배열설치된 서브챔버를 구비한다. 처리챔버내에는 서셉터가 배열설치되고, 그 위에 반도체 웨이퍼가 재치된다. 처리챔버와 서브챔버는 석영 유리제의 창판에 의해서 밀폐상태로 칸막이된다. 서브챔버내, 또한 창판의 하방에는 12개의 가열용 광원이 회전테이블 상에 원주형상으로 배열설치된다. 서셉터와 창판 사이에 투과광 에너지를 검출하기 위한 열전쌍로서 이루어지는 센서가 배열설치된다. 센서는 A/D변환기로서 이루어지는 측정부에 접속되고, 여기에서 검지정보다 디지탈 신호로서 이루어지는 측정치로 변환된다. 측정치는 비교부로 보내어지고, 여기에서 사전 설정된 표준모델과 비교된다. 비교부에서 얻어진 비교결과는 제어부로 전달된다. 제어부는 이 비교결과로부터 창판의 상태를 도출하고, 사전에 정하여진 투과광의 에너지가 검출되지 않는 경우에는 광원에 대한 전력이 공급을 선택적으로 정지한다.

    멀티 챔버시스템
    6.
    发明授权
    멀티 챔버시스템 失效
    多室系统

    公开(公告)号:KR100242534B1

    公开(公告)日:2000-02-01

    申请号:KR1019930021322

    申请日:1993-10-14

    Abstract: 멀티 챔버시스템은 감압 분위기하에서 기판을 처리하는 적어도 1 개의 프로세스실과, 이 프로세스실에 연통 또는 차단하도록 설치된 이재실과, 이 이재실내에 설치되고, 기판을 상기 이재실과 프로세스실과의 사이에서 반송하는 제1반송 로보트와, 이 이재실에 연통 또는 차단하도록 설치된 적어도 2 개의 로드록실과, 이들의 로드록실에 연통 또는 차단하도록 설치되고, 외부로 부터 기판이 로드되는 로더실과, 이 로더실내에 설치되고, 기판을 상기 로더실과 상기 로드록실과의 사이에서 반송하는 제2반송 로보트와, 로더실내에 질소가스를 공급하는 가스 공급원과, 상기 로더실내를 배기하는 진공펌프와, 상기 제1 및 제2반송 로보트에 의한 기판의 방송경로를 전환하는 모우드 선택 유니트를 가진다.

    처리장치
    7.
    发明授权
    처리장치 失效
    表面加工设备

    公开(公告)号:KR100216740B1

    公开(公告)日:1999-09-01

    申请号:KR1019920021338

    申请日:1992-11-13

    Abstract: 처리용기 내에 설치한 재치수단상에 재치된 피처리체를 가열처리하는 장치로서, 피처리체의 처리면의 뒷면에 대향하여 배설된 여러 개의 램프와, 이 여러개의 램프를 원통형상으로 배열하여 재치한 회전체와, 이 회전체를 회전구동하는 구동원과, 로 되는 것을 특징으로 하는 처리장치에 관한 것이다. 또, 가스공급관으로부터 처리가스를 처리용기내에 구획하여 형성된 가스실에 이끌리어 이 가스실의 출구에서 상기 처리가스를 상기 처리용기내에 설치한 재치수단상에 대치된 피처리체를 향하여 불어서 표면처리하는 장치로서, 상기 가스실내에 각각 다수 개의 통기구멍을 형성한 여러 개의 간막이판을 처리가스 흐름방향으로 소정의 간격을 두고 배설한 것을 특징으로 하는 처리장치에 관한 것이다.

    피처리체 반송장치를 가지는 멀티챔버 시스템
    8.
    发明公开
    피처리체 반송장치를 가지는 멀티챔버 시스템 失效
    一种具有物体处理装置的多室系统

    公开(公告)号:KR1019940022783A

    公开(公告)日:1994-10-21

    申请号:KR1019940005005

    申请日:1994-03-14

    Abstract: 복수의 기판이 수납된 카세트를 멀티챔버 시스템의 카세트내에/부터 반입/반출하는 반송기구는 카세트가 재치된 핸드와, 이 핸드를 미끄럼 운동가능하게 지지하는 다관절아암과, 이 다관절아암을 미끄럼 운동가능하게 지지하는 베이스를 구비하고, 상기 다관절아암은 상기 핸드에 회동가능하게 부착된 제1측 부재와, 상기 베이스에 회전가능하게 부차된 제2측 부재와, 상기 제1측 부재와, 연동하여 회전하도록 설치되고, 상기 제1측 부재의 회전방향에 대하여 반대방향으로 회전하도록 설치된 제3측 부재와, 상기 베이스에 회전 가능하게 부착되고, 회전구동력이 전달되는 제4측 부재와, 그 앞끝단부가 상기 제1측 부재에 회전가능하게 부착되고, 그 기단부 상기 제2측 부재에 회전가능하게 부착된 제1아암과, 이 제1아암에 실질적으로 평행하게 설치된 그 앞끝단부가 상기 제3측 부재에 고정되고, 그 기단부가 상기 제4측 부재에 고정된 제2아암을 구비하고, 상기 제1아암 및 제2아암을 미끄럼 운동시키면 상기 핸드가 상기 제1아암 및 제2아암의 미끄럼 운동방향과는 반대방향으로 미끄럼운동한다.

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