公开(公告)号：KR1019920022415A

公开(公告)日：1992-12-19

申请号：KR1019920008914

申请日：1992-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이히로미

IPC: H01L21/306

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR100216740B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019920021338

申请日：1992-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보데라마사오 ,  나루시마마사키 ,  오자와마사히토 ,  구마가이히로미 ,  요네나가도미히로 ,  다나카수미

IPC: H01L21/68

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C30B25/105 ,  C30B31/20 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115

Abstract: 처리용기 내에 설치한 재치수단상에 재치된 피처리체를 가열처리하는 장치로서, 피처리체의 처리면의 뒷면에 대향하여 배설된 여러 개의 램프와, 이 여러개의 램프를 원통형상으로 배열하여 재치한 회전체와, 이 회전체를 회전구동하는 구동원과, 로 되는 것을 특징으로 하는 처리장치에 관한 것이다. 또, 가스공급관으로부터 처리가스를 처리용기내에 구획하여 형성된 가스실에 이끌리어 이 가스실의 출구에서 상기 처리가스를 상기 처리용기내에 설치한 재치수단상에 대치된 피처리체를 향하여 불어서 표면처리하는 장치로서, 상기 가스실내에 각각 다수 개의 통기구멍을 형성한 여러 개의 간막이판을 처리가스 흐름방향으로 소정의 간격을 두고 배설한 것을 특징으로 하는 처리장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019890002985A

公开(公告)日：1989-04-12

申请号：KR1019880008904

申请日：1988-07-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이히로미 ,  사토오카오루 ,  이마이요시오

IPC: H01L21/00

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100209559B1

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019910017148

申请日：1991-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하라다히로미 ,  구보따신지 ,  구마가이히로미 ,  아라미쥰이찌 ,  호리오까게이지 ,  하세가와이사히로 ,  오까노하루오 ,  오꾸무라가쯔야

IPC: H01L21/465

Abstract: 본 발명은 신규의 마그네트론 플라즈마 처리 장치를 제공하며, 에칭 대상물을 저장하는 진공챔버와, 진공 챔버내에 구비되며 에칭 대상물을 속박하는 제1 전극과, 제1 전극과 대향 설치된 제2 전극과(여기서 제1 전극과 제2 전극을 서로 평행함), 진공챔버에 에칭개스를 공급하는 개스 공급 유닛과, 제2 전극에 대향한 제1 전극의 대향 부분에 설치된 자계발생 수단과, 제1 및 제2 전극중 어느하나에 전원을 공급하고 이들 평행 전극 사이에 방전을 발생 시키는 전원 공급유닛으로 구성된다. 자계 발생 수단은 그 양단 표면이 서로 반대인 극을 갖는 자극을 구비한 자기 블록을 가지고 있으며, 또는 제2 전극에 대향한 평면 요부가 자기 블록의 양단면 사이에 제공되어 있다.

公开(公告)号：KR1019920007129A

公开(公告)日：1992-04-28

申请号：KR1019910017148

申请日：1991-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하라다히로미 ,  구보따신지 ,  구마가이히로미 ,  아라미쥰이찌 ,  호리오까게이지 ,  하세가와이사히로 ,  오까노하루오 ,  오꾸무라가쯔야

IPC: H01L21/465

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100162102B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019920008914

申请日：1992-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이히로미

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67754 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/14

Abstract: 반도체 제조장치에 있어서, 감압분위기 하에서 피처리물에 소정의 처리를 가하는 진공처리실과, 내부에 이 피처리물을 반송하기 위한 반송아암과 이 피처리물을 지지하는 지지기구와를 구비한 1개의 예비진공실을 진공처리실에 인접하여 설치한다. 이것에 의해 에비진공실을 통하여 진공처리실에 피처리물을 반입하고, 또, 진공처리실로부터 반출한다.

公开(公告)号：KR100109312B1

公开(公告)日：1996-12-16

申请号：KR1019880008904

申请日：1988-07-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이히로미 ,  사토오카오루 ,  이마이요시오

IPC: H01L21/00

公开(公告)号：KR1019960001160B1

公开(公告)日：1996-01-19

申请号：KR1019880008904

申请日：1988-07-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이히로미 ,  사토오카오루 ,  이마이요시오

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C30B25/10 ,  C30B31/12 ,  F27D1/0033

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019930011177A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：KR1019920021338

申请日：1992-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보데라마사오 ,  나루시마마사키 ,  오자와마사히토 ,  구마가이히로미 ,  요네나가도미히로 ,  다나카수미

IPC: H01L21/68

Abstract: 처리용기 내에 설치한 재치수단상에 재치된 피처리체를 가열처리하는 장치로서, 피처리체의 처리면의 뒷면에 대향하여 배설된 여러 개의 램프와, 이 여러 개의 램프를 원통형상으로 배열하여 재치한 회로체와, 이 회전체를 회전구동하는 구동원과, 로 되는 것을 특징으로 하는 처리장치에 관한 것이다. 또, 가스 공급관으로 부터 처리가스를 처리용기내에 구획하여 형성된 가스실에 이끌리어 이 가스실의 출구에서 상기 처리가스를 상기 처리용기내에 설치한 재치수단상에 재치된 피처리제를 향하여 불어서 표면처리하는 장치로서, 상기 가스실내에 각각 다수개의 통기구멍을 형성한 여러 개의 간막이판을 처리가스 흐름방향으로 소정의 간격을 두고 배설한 것을 특징으로하는 처리장치에 관한 것이다.