도포장치, 도포 방법, 도포 현상 장치 및 기억 매체
    1.
    发明公开
    도포장치, 도포 방법, 도포 현상 장치 및 기억 매체 有权
    涂装设备,涂装方法,涂装与开发设备和计算机可读记录介质

    公开(公告)号:KR1020100019318A

    公开(公告)日:2010-02-18

    申请号:KR1020090047548

    申请日:2009-05-29

    CPC classification number: G03F7/162 G03F7/3071 G03F7/70608 G03F7/70875

    Abstract: PURPOSE: A coating apparatus, a coating method, a coating developing apparatus and a recording media are provided to keep the uniformity of film thickness profile of a substrate by controlling a film thickness profile based on the number of rotation of the substrate when a coating solution is applied on the substrate. CONSTITUTION: A spin chuck(21) is composed to maintain the level of a wafer(W) by vacuum suction. The spin chuck rotates by a rotation driving unit(22). A guide ring(23) is installed in the lower part of the spin chuck. The section of the guide ring is mountain shape. A cup(24) is installed to surround the spin chuck and the guide ring and suppresses the scattering of a coating solution. An opening with bigger size than the size of the wafer is formed on the upper side of the cup in order to lift the spin chuck. An exhaust unit(26) is formed in the lower part of the cup and is connected to an exhaust pipe(26A).

    Abstract translation: 目的:提供涂布装置,涂布方法,涂布显影装置和记录介质,以通过基于涂布溶液的基板的旋转数来控制膜厚分布来保持基板的膜厚分布的均匀性 施加在基板上。 构成:旋转卡盘(21)被组成以通过真空吸力来保持晶片(W)的水平。 旋转卡盘通过旋转驱动单元(22)旋转。 引导环(23)安装在旋转卡盘的下部。 导环的部分是山形。 安装杯(24)以围绕旋转卡盘和引导环并抑制涂布溶液的散射。 在杯的上侧形成具有比晶片尺寸大的尺寸的开口,以便提升旋转卡盘。 排气单元(26)形成在杯的下部并连接到排气管(26A)。

    도포장치, 도포 방법, 도포 현상 장치 및 기억 매체
    2.
    发明授权
    도포장치, 도포 방법, 도포 현상 장치 및 기억 매체 有权
    涂装设备,涂装方法,涂装与开发设备和计算机可读记录介质

    公开(公告)号:KR101364890B1

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:KR1020090047548

    申请日:2009-05-29

    Abstract: 막두께 프로파일이 양호한 도포막을 형성할 수 있는 도포장치를 제공하는 것이다.
    도포액을 도포할 때의 기판의 회전수에 의해 도포막의 막두께 프로파일을 조정하는 스핀 코팅을 행하는 도포장치에서, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 온도를 측정하는 온도 측정 수단과, 하나의 기판에 대하여 도포 처리 전에 이 제1 온도 측정 수단에 의해 측정된 온도 측정치와, 상기 하나의 기판 다음에 도포 처리를 행하는 후속 기판에 대하여 도포 처리 전에 상기 온도 측정 수단에 의해 측정된 온도 측정치와, 상기 하나의 기판에 대하여 실시된 도포 처리에서의 도포막의 막두께 프로파일을 조정하기 위한 회전수와, 미리 정해진 정수에 기초하여 상기 후속 기판에 대하여, 도포막의 막두께 프로파일을 조정하기 위한 회전수를 연산하는 연산부를 구비하도록 도포장치를 구성하고, 온도에 의한 막두께 프로파일에의 영향을 억제한다.

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