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公开(公告)号:KR1020100019318A
公开(公告)日:2010-02-18
申请号:KR1020090047548
申请日:2009-05-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 구보아키히로
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/162 , G03F7/3071 , G03F7/70608 , G03F7/70875
Abstract: PURPOSE: A coating apparatus, a coating method, a coating developing apparatus and a recording media are provided to keep the uniformity of film thickness profile of a substrate by controlling a film thickness profile based on the number of rotation of the substrate when a coating solution is applied on the substrate. CONSTITUTION: A spin chuck(21) is composed to maintain the level of a wafer(W) by vacuum suction. The spin chuck rotates by a rotation driving unit(22). A guide ring(23) is installed in the lower part of the spin chuck. The section of the guide ring is mountain shape. A cup(24) is installed to surround the spin chuck and the guide ring and suppresses the scattering of a coating solution. An opening with bigger size than the size of the wafer is formed on the upper side of the cup in order to lift the spin chuck. An exhaust unit(26) is formed in the lower part of the cup and is connected to an exhaust pipe(26A).
Abstract translation: 目的:提供涂布装置,涂布方法,涂布显影装置和记录介质,以通过基于涂布溶液的基板的旋转数来控制膜厚分布来保持基板的膜厚分布的均匀性 施加在基板上。 构成:旋转卡盘(21)被组成以通过真空吸力来保持晶片(W)的水平。 旋转卡盘通过旋转驱动单元(22)旋转。 引导环(23)安装在旋转卡盘的下部。 导环的部分是山形。 安装杯(24)以围绕旋转卡盘和引导环并抑制涂布溶液的散射。 在杯的上侧形成具有比晶片尺寸大的尺寸的开口,以便提升旋转卡盘。 排气单元(26)形成在杯的下部并连接到排气管(26A)。
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公开(公告)号:KR101364890B1
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:KR1020090047548
申请日:2009-05-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 구보아키히로
IPC: H01L21/027
Abstract: 막두께 프로파일이 양호한 도포막을 형성할 수 있는 도포장치를 제공하는 것이다.
도포액을 도포할 때의 기판의 회전수에 의해 도포막의 막두께 프로파일을 조정하는 스핀 코팅을 행하는 도포장치에서, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 온도를 측정하는 온도 측정 수단과, 하나의 기판에 대하여 도포 처리 전에 이 제1 온도 측정 수단에 의해 측정된 온도 측정치와, 상기 하나의 기판 다음에 도포 처리를 행하는 후속 기판에 대하여 도포 처리 전에 상기 온도 측정 수단에 의해 측정된 온도 측정치와, 상기 하나의 기판에 대하여 실시된 도포 처리에서의 도포막의 막두께 프로파일을 조정하기 위한 회전수와, 미리 정해진 정수에 기초하여 상기 후속 기판에 대하여, 도포막의 막두께 프로파일을 조정하기 위한 회전수를 연산하는 연산부를 구비하도록 도포장치를 구성하고, 온도에 의한 막두께 프로파일에의 영향을 억제한다.-
公开(公告)号:KR101892796B1
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:KR1020157015401
申请日:2013-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B5/00 , B08B5/02 , B08B5/023 , H01L21/67028 , H01L21/67034
Abstract: 기판액 처리장치는, 웨이퍼를보유지지하여회전하는척(13)과, 웨이퍼의이면을향해퍼지가스를분사하는이면퍼지노즐(15)과, 퍼지가스를웨이퍼의이면에분사하는주연퍼지노즐(16)을구비하고있다. 이면퍼지노즐은, 평면에서볼 때기판의중심측으로부터주연측으로연장되는슬릿형상의개구부(15a)를갖고, 이슬릿형상의개구부와척에의해보유지지된기판사이의연직방향거리는, 상기개구부의기판중심측의단부에근접함에따라서넓어져있다. 주연퍼지노즐은, 기판의이면중, 이면퍼지노즐의슬릿형상의개구부의기판주연측의단부보다도외측이며, 또한기판의주연의단부면보다도내측에있는영역을향해, 퍼지가스를기판의중심부를향해분사한다.
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公开(公告)号:KR1020150093699A
公开(公告)日:2015-08-18
申请号:KR1020157015401
申请日:2013-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B5/00 , B08B5/02 , B08B5/023 , H01L21/67028 , H01L21/67034
Abstract: 기판 액 처리 장치는, 웨이퍼를 보유 지지하여 회전하는 척(13)과, 웨이퍼의 이면을 향해 퍼지 가스를 분사하는 이면 퍼지 노즐(15)과, 퍼지 가스를 웨이퍼의 이면에 분사하는 주연 퍼지 노즐(16)을 구비하고 있다. 이면 퍼지 노즐은, 평면에서 볼 때 기판의 중심측으로부터 주연측으로 연장되는 슬릿 형상의 개구부(15a)를 갖고, 이 슬릿 형상의 개구부와 척에 의해 보유 지지된 기판 사이의 연직 방향 거리는, 상기 개구부의 기판 중심측의 단부에 근접함에 따라서 넓어져 있다. 주연 퍼지 노즐은, 기판의 이면 중, 이면 퍼지 노즐의 슬릿 형상의 개구부의 기판 주연측의 단부보다도 외측이며, 또한 기판의 주연의 단부면보다도 내측에 있는 영역을 향해, 퍼지 가스를 기판의 중심부를 향해 분사한다.
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