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公开(公告)号：KR102201956B1
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020190051360
申请日：2019-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
Abstract: 노광후의기판을기판보유지지부에수평하게보유지지하는공정과, 상기기판의표면에대향하는원형의제1 대향면을, 상기기판의중심부에근접시키는공정과, 상기기판의표면에대향하는원형의제2 대향면을, 상기기판의중심부로부터어긋남과함께당해기판의주연부보다도당해중심부근방의위치에근접시키는공정과, 상기제1 대향면에개구하는제1 토출구로부터근접하는상기기판의중심부에현상액을토출하고, 액고임을형성하는공정과, 상기기판의회전중에, 상기제1 토출구로부터상기현상액을토출하는상기제1 대향면을상기기판에근접한상태에서당해기판의일단측의주연부를향하도록이동시켜, 당해기판상에상기현상액을확장하는제1 이동공정과, 상기제2 대향면과상기회전하는기판사이에현상액이공급되어있음과함께당해제2 대향면을상기기판에근접한상태에서, 당해기판의타단측의주연부를향하도록이동시키는제2 이동공정과, 상기제1 대향면및 상기제2 대향면이상기기판의주연부에도달한후에, 당해기판으로의현상액의토출및 상기기판의회전을정지하는공정을구비하도록현상을행한다.
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公开(公告)号：KR1020110007947A
公开(公告)日：2011-01-25
申请号：KR1020100064433
申请日：2010-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , G03F7/3021 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/68771 , H01L21/0274 , G03F7/2041 , G03F7/70891
Abstract: PURPOSE: A developing apparatus, a resist pattern forming method and a storage medium are provided to reduce the number of a developing process by performing developing with the same developing apparatus. CONSTITUTION: An arrangement table makes substrate level. A first nozzle supplies a first developer which is controlled to a first temperature on the surface of the substrate. A second nozzle supplies a second developer which is controlled to a second temperature on the surface of the substrate. A controller(1A) supplies the first developer on the surface of the substrate through a first nozzle, and then outputs a control signal to supply the second developer to the surface of the substrate through the second nozzle.
Abstract translation: 目的：提供显影装置，抗蚀剂图案形成方法和存储介质，以通过用相同的显影装置进行显影来减少显影处理的次数。 构成：安排表使基板水平。 第一喷嘴将第一显影剂提供给基板表面上的第一温度。 第二喷嘴供应第二显影剂，其被控制到基板表面上的第二温度。 控制器（1A）通过第一喷嘴将第一显影剂供应在基板的表面上，然后输出控制信号，以通过第二喷嘴将第二显影剂供应到基板的表面。
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公开(公告)号：KR1020150016899A
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：KR1020140097311
申请日：2014-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/3021 , B05C5/02 , B05C5/027 , B05C11/08 , B05D1/005 , B05D1/26 , G03F7/30 , H01L21/6715 , H01L21/0273
Abstract: 노광 후의 기판을 기판 보유 지지부에 수평하게 보유 지지하는 공정과, 기판의 일부에 현상액 노즐로부터 현상액을 공급하여 액 저류부를 형성하는 공정과, 기판을 회전시키는 공정과, 회전하는 상기 기판에 있어서의 현상액의 공급 위치가 당해 기판의 직경 방향을 따라서 이동하도록, 상기 현상액 노즐을 이동시켜서 상기 액 저류부를 기판의 전체면에 확산시키는 공정과, 상기 액 저류부를 기판의 전체면에 확산시키는 공정에 병행하여 행해져, 상기 현상액 노즐과 함께 이동하고, 상기 기판에 대향하는 면이 상기 기판의 표면보다도 작은 접촉부를, 상기 액 저류부에 접촉시키는 공정을 구비하도록 현상을 행한다. 이 방법에 의해 기판 밖으로 떨어지는 액량을 억제할 수 있다. 또한, 기판의 회전수를 낮출 수 있으므로 액 튐이 억제된다. 또한 현상액이 교반됨으로써 처리량을 높일 수 있다.
Abstract translation: 执行的是一种显影方法，其包括：在基板保持支撑部分中水平地支撑暴露的基板的过程，将显影溶液从显影溶液喷嘴供应到基板的一部分并形成液体存储部分的步骤， 旋转基板，移动显影液喷嘴并将液体储存部分扩散到液体储存部分的整个表面的步骤，以允许在旋转基板中供应显影液的位置沿相应的直径方向移动 基板，并且通过进行将液体储存部扩散到基板的整个表面的工序，使液体储存部分接触移动显影液喷嘴的接触部分的过程，并且具有面向基板的表面并且更小 比底物的。 通过该方法，可以控制从基板滴落的液体的量。 此外，可以减小衬底的RPM，从而可以防止液体散射。 此外，通过搅拌显影液来提高产量。
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公开(公告)号：KR1020060089150A
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020060010035
申请日：2006-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68742
Abstract: 본 발명은 세정장치; 도포· 현상장치에 대한 것으로서 밀폐용기(41)의 내부에 있어서 웨이퍼(W)가 버큠 척(42)에 의해 밀폐용기(41)내면과 웨이퍼(W) 사이에 작은 간격이 형성된 상태에서 수평으로 보지된다. 유체공급로(5) 단부의 유체공급구멍(40)으로부터 웨이퍼(W) 표면의 중심부를 향하여 세정액을 공급함과 동시에 웨이퍼(W)의 중심선을 중심으로 하는 원주를 따라서 밀폐용기(41)의 저부에 설치된 홈 형태의 유체배출부(44)로부터 세정액을 배출한다. 세정액은 웨이퍼(W) 표면과 밀폐 용기(41)사이의 간격을 채운 상태로 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주변부로 향해 퍼지면서 흘러 웨이퍼에 부착한 파티클을 제거해 유체 배출부(44)로부터 배출된다. 웨이퍼(W)를 회전시키는 경우 없이 파티클을 확실하고 또한 균일하게 제거할 수가 있다. 세정 장치(4) 전체 사이즈도 작다.
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公开(公告)号：KR101892796B1
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：KR1020157015401
申请日：2013-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B5/00 , B08B5/02 , B08B5/023 , H01L21/67028 , H01L21/67034
Abstract: 기판액 처리장치는, 웨이퍼를보유지지하여회전하는척(13)과, 웨이퍼의이면을향해퍼지가스를분사하는이면퍼지노즐(15)과, 퍼지가스를웨이퍼의이면에분사하는주연퍼지노즐(16)을구비하고있다. 이면퍼지노즐은, 평면에서볼 때기판의중심측으로부터주연측으로연장되는슬릿형상의개구부(15a)를갖고, 이슬릿형상의개구부와척에의해보유지지된기판사이의연직방향거리는, 상기개구부의기판중심측의단부에근접함에따라서넓어져있다. 주연퍼지노즐은, 기판의이면중, 이면퍼지노즐의슬릿형상의개구부의기판주연측의단부보다도외측이며, 또한기판의주연의단부면보다도내측에있는영역을향해, 퍼지가스를기판의중심부를향해분사한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101835904B1
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：KR1020130109787
申请日：2013-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/16 , G03F7/3021 , G03F7/3092 , H01L21/67017
Abstract: 본발명의과제는포지티브형현상액에의한현상처리와네거티브형현상액에의한현상처리의양쪽을행할수 있는현상처리장치에있어서, 탑재하는모듈수를감소시킴으로써, 장치의소형화를가능하게하는것이다. 스핀척(40)과, 웨이퍼(W)에대해포지티브형레지스트용현상액을공급하는포지티브형현상액공급노즐과, 웨이퍼(W)에대해네거티브형레지스트용현상액을공급하는네거티브형현상액공급노즐과, 가동컵(45)을갖고, 가동컵을상승시킴으로써내주유로(48b)에포지티브형또는네거티브형레지스트용의한쪽의비산된현상액을도입시키고, 가동컵을하강시킴으로써외주유로(48a)에포지티브형또는네거티브형레지스트용의다른쪽의비산된현상액을도입시킨다. 내주유로에도입된현상액은한쪽의드레인배출구(49b)로부터배출되고, 외주유로에도입된현상액은다른쪽의드레인배출구(49a)로부터배출된다.
Abstract translation: 由本发明的显影过程和显影剂的目的，显影装置，可以同时执行与由负显影溶液的处理的正型显影液，减少模块的数量将被安装，以使装置的小型化。 用于将抗蚀剂的正显影剂供应到晶片W的正显影剂供应喷嘴;用于将晶片W的负显影剂供应到晶片W的负显影剂供应喷嘴; 具有杯（45），通过提高可动杯内，并引入侧向散射开发用于在流路中的正或负性抗蚀剂溶液（48B），通过降低可动杯正或负的外周流路（48A） 介绍了另一种用于抗蚀剂的散射显影剂。 被引入到内圆周流动路径中的显影剂从排出口49b中的一个排出，并且引入到外圆周流动路径中的显影剂从另一排出口49a排出。
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公开(公告)号：KR1020170042483A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：KR1020160128877
申请日：2016-10-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/3021 , B05C5/02 , B05C11/08 , B05D1/005 , H01L21/6715
Abstract: 현상의진행량이기판상의위치에따라변동되는것을보다확실하게억제할수 있는방법, 장치및 기록매체를제공한다. 기판처리방법은, 웨이퍼를제1 회전수로회전시켜, 접액면을웨이퍼의표면에대향시킨상태에서, 토출구로부터웨이퍼의표면에현상액을공급하고, 현상액에접액면을접촉시키면서노즐을이동시킴으로써, 웨이퍼의표면상에현상액의액막을형성하는것과, 웨이퍼의표면상에액막이형성된후에, 토출구로부터의현상액의공급이정지된상태에서, 제1 회전수에비해낮은제2 회전수로웨이퍼를회전시키는것과, 제2 회전수로웨이퍼를회전시킨후에, 제1 회전수에비해높은제3 회전수로웨이퍼를회전시키는것과, 제3 회전수로웨이퍼를회전시킨후에, 웨이퍼의회전수를제2 회전수이하로함으로써, 웨이퍼의표면상에액막을유지하는것을포함한다.
Abstract translation: 如何的，可以更可靠地抑制根据衬底上的位置变动的症状进展的量，提供了一种装置和记录介质。 的基板处理方法包括：旋转所述第一旋转时，接触表面的晶片片数，而它相对于晶片的表面，并供给显影溶液从喷出口在晶片的表面上，同时通过接触在显影剂接触表面移动喷嘴，晶片 上表面uipyo haneungeot形成显影剂的液膜，并且形成后的液体膜的晶片的表面上，在显影剂排放口robuteoui固定的供应，和类似物比转时，所述第一数量的旋转下侧的第二晶片旋转数 第二轮晶片的转数，第一为相比于转数，以旋转晶片的高第三旋转数后，之后的晶片3的转数，当晶片国会传输到小于所述第二旋转数，晶片的旋转 并保持液体薄膜在表面上。
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公开(公告)号：KR1020150093699A
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR1020157015401
申请日：2013-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B5/00 , B08B5/02 , B08B5/023 , H01L21/67028 , H01L21/67034
Abstract: 기판 액 처리 장치는, 웨이퍼를 보유 지지하여 회전하는 척(13)과, 웨이퍼의 이면을 향해 퍼지 가스를 분사하는 이면 퍼지 노즐(15)과, 퍼지 가스를 웨이퍼의 이면에 분사하는 주연 퍼지 노즐(16)을 구비하고 있다. 이면 퍼지 노즐은, 평면에서 볼 때 기판의 중심측으로부터 주연측으로 연장되는 슬릿 형상의 개구부(15a)를 갖고, 이 슬릿 형상의 개구부와 척에 의해 보유 지지된 기판 사이의 연직 방향 거리는, 상기 개구부의 기판 중심측의 단부에 근접함에 따라서 넓어져 있다. 주연 퍼지 노즐은, 기판의 이면 중, 이면 퍼지 노즐의 슬릿 형상의 개구부의 기판 주연측의 단부보다도 외측이며, 또한 기판의 주연의 단부면보다도 내측에 있는 영역을 향해, 퍼지 가스를 기판의 중심부를 향해 분사한다.
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公开(公告)号：KR1020140035281A
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：KR1020130109787
申请日：2013-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/16 , G03F7/3021 , G03F7/3092 , H01L21/67017 , H01L21/0274
Abstract: The project of the present invention is to reduce the number of modules by miniaturizing a development processing device capable of performing development processing by both positive and negative developers. The device includes a spin chuck (40), a positive developer supply nozzle supplying a developer for a positive resist for a wafer (W), a negative developer supply nozzle supplying a developer for a negative resist for the wafer (W), and an operating cup (45). One of the developers for the positive or negative resist is inserted into an inner path (48b) by raising the operating cup up and one of the developers for the positive or negative resist is inserted into an outer path (48a) by taking the operating cup down. The developer inserted into the inner path is discharged from a drain outlet (49b) and the developer inserted into the outer path is discharged from the other drain outlet (49a).
Abstract translation: 本发明的项目是通过正面和负面的开发者能够进行开发处理的开发处理装置的小型化来减少模块的数量。 该装置包括旋转卡盘（40），向晶片（W）提供正性抗蚀剂的显影剂的正显影剂供应喷嘴，为晶片（W）供给负性抗蚀剂的显影剂的负极显影剂供应喷嘴，以及 操作杯（45）。 将正或负抗蚀剂的显影剂中的一个通过将操作杯向上升起而插入到内部路径（48b）中，并且通过将操作杯（48a）插入到正面或负面抗蚀剂中的一个显影剂被插入外部路径（48a） 下。 插入到内部路径中的显影剂从排出口49b排出，并且插入到外部路径中的显影剂从另一个排出口49a排出。
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公开(公告)号：KR101085320B1
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：KR1020060010035
申请日：2006-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68742
Abstract: 본 발명은 세정장치, 도포 및 현상장치에 대한 것으로서 밀폐용기(41)의 내부에 있어서 웨이퍼(W)가 버큠 척(42)에 의해 밀폐용기(41) 내면과 웨이퍼(W) 사이에 작은 간격이 형성된 상태에서 수평으로 보유 지지된다. 유체공급로(5) 단부의 유체공급구멍(40)으로부터 웨이퍼(W) 표면의 중심부를 향하여 세정액을 공급함과 동시에 웨이퍼(W)의 중심선을 중심으로 하는 원주를 따라서 밀폐용기(41)의 저부에 설치된 홈 형태의 유체배출부(44)로부터 세정액을 배출한다. 세정액은 웨이퍼(W) 표면과 밀폐 용기(41)사이의 간격을 채운 상태로 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주변부로 향해 퍼지면서 흘러 웨이퍼에 부착한 파티클을 제거해 유체 배출부(44)로부터 배출된다. 웨이퍼(W)를 회전시키는 경우 없이 파티클을 확실하고 또한 균일하게 제거할 수가 있다. 세정 장치(4) 전체 사이즈도 작다.
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