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公开(公告)号：KR1019960005774A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019950019877
申请日：1995-07-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명의 막형성처리방법은, 처리실내에서 지지체에 의해서 지지된 반도체 웨이퍼의 뒷면측으로부터 백사이드가스를 공급하면서, 반도체 웨이퍼의 표면측으로 처리가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼의 표면에 소정의 피막을 형성한다. 이 경우, WF
6 가스 및 H
2 가스를 함유하는 처리가스를 공급한다. 동시에, H
2 가스의 농도가 처리가스 중 H
2 가스의 농도와 거의 동일농도로 조정된 백사이드가스를, 처리실내를 반도체 웨이퍼의 처리가스측 공간과 백사이드가스측 공간으로 구획하는 격벽과 반도체 웨이퍼와의 사이에 형성된 간극을 경유하여 처리 가스측 공간으로 공급한다.
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