公开(公告)号：KR1020000071576A

公开(公告)日：2000-11-25

申请号：KR1020000017916

申请日：2000-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이와타데루오 ,  고미야다로 ,  요네나가도미히로

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45514 ,  H01J37/3244 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32633 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

Abstract: 가스처리장치(1)는기밀하게구성된처리실(2)과, 처리실(2)에접속된가스도입관(3)과, 가스도입관(3)을통해처리실(2) 내에가스를공급하는가스공급원(4)과, 처리실(2) 내에배치되고웨이퍼(6)를적재하는적재대(7)와, 가스도입관(3)의가스출구(3a)에설치되어분출측을적재대(7)측을향해배치된샤워헤드(8)와, 샤워헤드(8)의적재대측격벽을구성하는다수의토출홀(10)이천공된토출판(9)과, 토출판(9)과가스도입관(3)의가스출구(3a)와의사이에배치되고다수의관통홀(12)이천공된배플판(11)을구비한다. 관통홀(12)은가스도입관(3)측에형성된상측홀부(13)와, 토출판(9)측에상측홀부(13)로부터확대개방된하측홀부(14)로이루어지는상이한직경홀로구성된다. 그결과, 피처리체상의전면에가스를균일하게공급할수 있는가스처리장치, 가스처리방법및 그와같은장치나방법에이용하는배플판이제공된다.

公开(公告)号：KR100667714B1

公开(公告)日：2007-01-15

申请号：KR1020000017916

申请日：2000-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이와타데루오 ,  고미야다로 ,  요네나가도미히로

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45514 ,  H01J37/3244

Abstract: 가스 처리 장치(1)는 기밀하게 구성된 처리실(2)과, 처리실(2)에 접속된 가스 도입관(3)과, 가스 도입관(3)을 통해 처리실(2) 내에 가스를 공급하는 가스 공급원(4)과, 처리실(2) 내에 배치되고 웨이퍼(6)를 적재하는 적재대(7)와, 가스 도입관(3)의 가스 출구(3a)에 설치되어 분출측을 적재대(7)측을 향해 배치된 샤워 헤드(8)와, 샤워 헤드(8)의 적재대측 격벽을 구성하는 다수의 토출홀(10)이 천공된 토출판(9)과, 토출판(9)과 가스 도입관(3)의 가스 출구(3a)와의 사이에 배치되고 다수의 관통홀(12)이 천공된 배플판(11)을 구비한다. 관통홀(12)은 가스 도입관(3)측에 형성된 상측홀부(13)와, 토출판(9)측에 상측홀부(13)로부터 확대 개방된 하측홀부(14)로 이루어지는 상이한 직경 홀로 구성된다. 그 결과, 피처리체 상의 전면에 가스를 균일하게 공급할 수 있는 가스 처리 장치, 가스 처리 방법 및 그와 같은 장치나 방법에 이용하는 배플판이 제공된다.

公开(公告)号：KR100593256B1

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020027008049

申请日：2000-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다로 ,  오사다하츠오 ,  호사카시게토시 ,  요네나가도미히로 ,  도모야스마사유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.

公开(公告)号：KR1019960005774A

公开(公告)日：1996-02-23

申请号：KR1019950019877

申请日：1995-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구부데라마사오 ,  요네나가도미히로 ,  리히데키 ,  고미야다로

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명의 막형성처리방법은, 처리실내에서 지지체에 의해서 지지된 반도체 웨이퍼의 뒷면측으로부터 백사이드가스를 공급하면서, 반도체 웨이퍼의 표면측으로 처리가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼의 표면에 소정의 피막을 형성한다. 이 경우, WF
6 가스 및 H
2 가스를 함유하는 처리가스를 공급한다. 동시에, H
2 가스의 농도가 처리가스 중 H
2 가스의 농도와 거의 동일농도로 조정된 백사이드가스를, 처리실내를 반도체 웨이퍼의 처리가스측 공간과 백사이드가스측 공간으로 구획하는 격벽과 반도체 웨이퍼와의 사이에 형성된 간극을 경유하여 처리 가스측 공간으로 공급한다.

公开(公告)号：KR1020020063253A

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：KR1020027008049

申请日：2000-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다로 ,  오사다하츠오 ,  호사카시게토시 ,  요네나가도미히로 ,  도모야스마사유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법과, 상기 배플 플레이트의 제조 장치를 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.