公开(公告)号：KR1019940027046A

公开(公告)日：1994-12-10

申请号：KR1019940010189

申请日：1994-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  후지카와유이치로 ,  요네나가도미히로 ,  리히데키

IPC: H01L21/20

Abstract: 처리실의 상단면에 접합하여 그 구멍을 폐쇄하는 덮개체에 처리가스 공급구와 처리가스 이송통로를 설치함과 동시에, 이들 처리가스 공급구와 처리가스 이송통로를 접속관으로 접속한다. 또, 처리실에 처리가스 공급원을 접속함과 동시에, 그 측벽에 처리가스 이송통로와 통하는 처리가스 도입로를 형성한다. 또, 처리실과 덮개체의 대향면중 어느 하나에 있어서의 처리가스 이송통로 또는 처리가스 도입로의 구멍 끝단의 주위에, 이 구멍끝단을 포위하는 시일부재를 장착한다. 이것에 의하여 처리가스 공급계에 있어서의, 퍼티클의 발생을 미연에 방지하고, 처리가스의 공급의 원활화 및 생산성 및 능률을 향상하며, 메인티넌스 작업의 경감을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR100257105B1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019940010189

申请日：1994-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  후지카와유이치로 ,  요네나가도미히로 ,  리히데키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019960002604A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019940012732

申请日：1994-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리히데키 ,  오사다하쓰오 ,  다나카스미 ,  마쓰세기미히로

IPC: H01L21/304

Abstract: 진공처리장치는 피처리체를 처리하기 위한 진공처리실과; 진공처리실에 대하여 특정의 처리를 실시하는 처리가스를 공급하는 처리가스 공급원과; 처리가스 공급원으로 부터 진공처리실로 처리가스를 공급하는 처리가스 공급원과; 처리가스가 진공처리실로 공급될때에 가스 공급관내를 대기압보다도 낮은 압력으로 설정하는 감압수단을 구비한다.

公开(公告)号：KR1019960002603A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019940012731

申请日：1994-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리히데키

IPC: H01L21/304

Abstract: 처리장치는, 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 개의 처리실과, 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단과, 이들 처리실 및 반송실 중 적어도 1개의 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 크리닝 가스 공급계를 구비한다. 그리고, 개폐수단을 연 상태에서 크리닝 가스가 장치내에 공급되어 상기 모든 실이 크리닝된다.

公开(公告)号：KR100300096B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019940012732

申请日：1994-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리히데키 ,  오사다하쓰오 ,  다나카스미 ,  마쓰세기미히로

IPC: H01L21/304

Abstract: 진공처리장치는 피처리체를 처리하기 위한 진공처리실과, 상기 진공처리실내에서 상기 피처리체에 대하여 처리를 실시하는 처리가스를 공급하는 처리가스 공급원과, 상기 진공처리실내를 크리닝하기 위해 CIF
3 가스를 포함하는 크리닝가스를 공급하는 크리닝가스 공급원과, 상기 처리가스 공급원으로부터 상기 처리실내로 처리가스를 공급하는 처리가스 공급배관과, 처리가 수행된 때 형성된 퇴적물을 제거하도록 상기 진공처리상기 진공처리실의 내부를 크리닝하기 위하여 상기 크리닝 가스 공급원으로부터 상기 진공처리실로 상기 크리닝가스를 공급하는 크리닝가스 공급배관과, 크리닝가스가 상기 크리닝가스 공급매관내에서 액화되는 것을 방지하기 위해, 크리닝 가스가 상기 진공처리실로 공급되는 때에 상기 크리닝가스 공급배관내를 대기압� ��다도 낮은 압력으로 유지하는 감압밸브와, 상기 크리닝가스 공급배관으로 처리가스 및 크리닝가스의 공급을 스위칭하는 수단을 구비한다.

公开(公告)号：KR100263404B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019940012731

申请日：1994-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리히데키

IPC: H01L21/304

Abstract: 처리장치는, 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 개의 처리실과, 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단과, 이들 처리실 및 반송실 중 적어도 1개의 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 크리닝 가스 공급계를 구비한다. 그리고, 개폐수단을 연 상태에서 크리닝 가스가 장치내에 공급되어 상기 모든 실이 크리닝 된다.

公开(公告)号：KR1019960005774A

公开(公告)日：1996-02-23

申请号：KR1019950019877

申请日：1995-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구부데라마사오 ,  요네나가도미히로 ,  리히데키 ,  고미야다로

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명의 막형성처리방법은, 처리실내에서 지지체에 의해서 지지된 반도체 웨이퍼의 뒷면측으로부터 백사이드가스를 공급하면서, 반도체 웨이퍼의 표면측으로 처리가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼의 표면에 소정의 피막을 형성한다. 이 경우, WF
6 가스 및 H
2 가스를 함유하는 처리가스를 공급한다. 동시에, H
2 가스의 농도가 처리가스 중 H
2 가스의 농도와 거의 동일농도로 조정된 백사이드가스를, 처리실내를 반도체 웨이퍼의 처리가스측 공간과 백사이드가스측 공간으로 구획하는 격벽과 반도체 웨이퍼와의 사이에 형성된 간극을 경유하여 처리 가스측 공간으로 공급한다.