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公开(公告)号：KR1020050054831A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020040100147
申请日：2004-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 본 발명은 정전기력을 사용하여 웨이퍼(W)를 흡착하는 정전척(16)에 관한 것으로, 정전척(16)은, 웨이퍼(W)와 접촉하는 복수의 돌기부(16C)를 갖고, 그리고 돌기부(16C)를, 1∼2㎛의 평균 입자직경을 갖는 알루미나 결정 입자를 포함하는 세라믹 유전체(16A)에 의해 형성함과 더불어, 돌기부(16C)의 웨이퍼(W)와의 접촉면을 입자직경에 의존하는 표면 조도의 Ra 02∼0.3㎛로 형성한다. 본 발명에 의하면, 리프터 핀에 의해 웨이퍼(W)가 튀어오르는 문제가 해결되며, 웨이퍼(W) 면내의 온도를 균일하게 제어하는 것이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020020027604A
公开(公告)日：2002-04-13
申请号：KR1020027002700
申请日：2000-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 기판(30)에 마그네트론 플라즈마 처리를 하는 데 있어서, 다수의 이방성 세그먼트 자석(22)을 챔버(1)의 둘레의 벽의 주위에 링 형상으로 배치하여 구성되는 쌍극자 링 자석(21)을 설치하고, 서로 이격된 한 쌍의 평행 전극 사이의 전계 방향에 직교하는 평면 내에서 자장 방향 B에 직교하는 방향을 따라서 E극측으로부터 W극측을 향해 자장 강도가 작아지는 자장 구배를 형성하며, 상기 복수의 이방성 세그먼트 자석은 피처리 기판의 E극측 단부의 외측에 위치하는 영역
A 의 근방에 이 영역에 N극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 1 부분(
a )과, 상기 영역에 S극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 2 부분(
b )을 포함하고, 이들 제 1 부분 및 제 2 부분에 의해 상기 제 1 및 제 2의 영역의 자장 강도를 국부적으� �� 높게 하고 있다.-
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公开(公告)号：KR1020120112238A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120033278
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67248 , G01K5/50 , G01K11/00 , H01J37/32972
Abstract: PURPOSE: A measuring apparatus and a plasma processing apparatus are provided to broaden a range of a measurable subject by increasing wavelength resolution. CONSTITUTION: A first mirror(102) and a second mirror(106) are installed to reflect incident light to a desired direction. The light reflected from the second mirror enters a photodiode array(108). The incident light from an entrance slit(101) is reflected to the first mirror and is irradiated to a diffraction grid(104). The photodiode array detects power of the light. A controller(120) comprises a driving part(124), a measuring part(126), and a memory part(128). [Reference numerals] (100) Spectroscope; (120) Controller; (121) Synchronization part; (122) Driver; (124) Drive part; (126) Measuring part; (128) Memory part; (AA) Light entering
Abstract translation: 目的：提供测量装置和等离子体处理装置，以通过增加波长分辨率来扩大可测量对象的范围。 构成：安装第一反射镜（102）和第二反射镜（106）以将入射光反射到期望的方向。 从第二反射镜反射的光进入光电二极管阵列（108）。 来自入口狭缝（101）的入射光被反射到第一反射镜并照射到衍射栅极（104）。 光电二极管阵列检测光的功率。 控制器（120）包括驱动部分（124），测量部分（126）和存储部分（128）。 （附图标记）（100）分光镜; （120）控制器; （121）同步部分; （122）司机; （124）驱动部件; （126）测量部件; （128）内存部分; （AA）光进入
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100666039B1
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020040100147
申请日：2004-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 본 발명은 정전기력을 사용하여 웨이퍼(W)를 흡착하는 정전척(16)에 관한 것으로, 정전척(16)은, 웨이퍼(W)와 접촉하는 복수의 돌기부(16C)를 갖고, 그리고 돌기부(16C)를, 1∼2㎛의 평균 입자직경을 갖는 알루미나 결정 입자를 포함하는 세라믹 유전체(16A)에 의해 형성함과 더불어, 돌기부(16C)의 웨이퍼(W)와의 접촉면을 입자직경에 의존하는 표면 조도의 Ra 02∼0.3㎛로 형성한다. 본 발명에 의하면, 리프터 핀에 의해 웨이퍼(W)가 튀어오르는 문제가 해결되며, 웨이퍼(W) 면내의 온도를 균일하게 제어하는 것이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020170061076A
公开(公告)日：2017-06-02
申请号：KR1020160156167
申请日：2016-11-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67248 , B01F13/0266 , G01K11/00 , G01K13/02 , G01K2013/024 , G01L19/0007
Abstract: 배관내의가스온도를측정할수 있는가스온도측정방법을제공한다. 제 2 배관(12b)의내부용적 V, 제 1 배관(12a) 내및 제 2 배관(12b) 내에질소가스를도입했을때의제 1 배관(12a) 내의가스의압력상승률 b, 제 1 배관(12a) 내에만질소가스를도입했을때의제 1 배관(12a) 내의가스의압력상승률 b, SI 단위계로치환된도입되는질소가스의유량 Q및절대온도로치환된질소가스의온도 T에근거하여제 1 배관(12a) 내의가스의온도 T가산출된다.
Abstract translation: 提供了一种能够测量管道中的气体温度的气体温度测量方法。 第二配管12b的内容积V，氮气导入第一配管12a和第二配管12b时的第一配管12a内的气体的压力上升率b， 12a）的氮气的温度T的基础上，由第一压力增加速率为b时，流量Q和引入与在所述管第一导入naeeman氮气时的气体的SI单位（12a）的取代的氮的气体的绝对温度取代 单管12a中的气体的温度T被累积。
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公开(公告)号：KR100600177B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020027002700
申请日：2000-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 기판(30)에 마그네트론 플라즈마 처리를 하는 데 있어서, 다수의 이방성 세그먼트 자석(22)을 챔버(1)의 둘레의 벽의 주위에 링 형상으로 배치하여 구성되는 쌍극자 링 자석(21)을 설치하고, 서로 이격된 한 쌍의 평행 전극 사이의 전계 방향에 직교하는 평면 내에서 자장 방향 B에 직교하는 방향을 따라서 E극측으로부터 W극측을 향해 자장 강도가 작아지는 자장 구배를 형성하며, 상기 복수의 이방성 세그먼트 자석은 피처리 기판의 E극측 단부의 외측에 위치하는 영역
A 의 근방에 이 영역에 N극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 1 부분(
a )과, 상기 영역에 S극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 2 부분(
b )을 포함하고, 이들 제 1 부분 및 제 2 부분에 의해 상기 제 1 및 제 2의 영역의 자장 강도를 국부적으로 높게 하고 있다.-
公开(公告)号：KR100242531B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019930027536
申请日：1993-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: G01R1/073
CPC classification number: G01R1/07342 , G01R1/06705 , G01R31/2863
Abstract: 프로브 테스트 중에 프로브 침이 접촉하는 기판으로부터 열적 영향을 받는 프로브 카드 어셈블리로서, 상기 기판에 접촉될 다수 개의 프로브 침을 가지는 프로브 카드 유니트와, 이 프로브 카드 유니트를 그 중앙부에 유지하는 홀더를 구비하고 있다. 이 홀더는 본체 프레임의 상판에 의하여 지지되고, 프로브 카드 유니트를 아래 쪽으로부터 지지하는 링부재와, 이 링부재에 생기는 국부응력 집중을 완화하기 위한 절단 단부 및 슬로트 구멍을 가진다.
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公开(公告)号：KR1019940016978A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019930027536
申请日：1993-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: G01R1/073
Abstract: 프로우브 테스트중에 프로우브 침이 접촉되는 기판으로부터 열적 영향을 받는 프로우브 카드 어셈블리로서, 상기 기판에 접촉될 다수개의 프로우브 침을 가지고는 프로우브 카드 유니트와, 이 프로우브 카드 유니트를 그 중앙부에 유지하는 홀더를 구비하고 있다. 이 홀더는 본체 프레임의 상판에 의하여 지지되고, 프로우브 카드 유니트를 아래쪽으로부터 지지하는 링부재와, 이 링부재에 생기는 국부응력집중을 완화하기 위한 절단 단부 및 슬로트 구멍을 가진다.
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