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公开(公告)号：KR1020120110060A
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020120031448
申请日：2012-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
CPC classification number: G01K11/14 , G01K5/48 , H01L21/67248
Abstract: PURPOSE: A composition member within a process chamber of a substrate processing apparatus and a temperature measuring method thereof are provided to accurately measure temperature of a temperature measuring part based on the length difference of an optical path of two reflective lights reflected on a non-consumption face and a consumption face. CONSTITUTION: A chamber accepts a wafer(W). A susceptor(12) of circumferential shape is arranged within the chamber. A lateral part exhaust duct(13) is formed at the side of the susceptor and at an inner wall of the chamber. A exhaust plate(14) is used for as a partition plate which divides the inner wall of the chamber into a top portion and a bottom portion. A TMP(Turbo Molecular Pump) and a DP(Dry Pump) are connected to an exhaust pipe(17).
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置的处理室内的组成部件及其温度测量方法，以基于在不消耗的反射的两个反射光的光路的长度差来精确地测量温度测量部件的温度 脸和消费面。 构成：室接受晶圆（W）。 周围形状的基座（12）布置在腔室内。 侧部排气管（13）形成在基座的侧面和室的内壁处。 排气板（14）用作将室的内壁分成顶部和底部的隔板。 TMP（涡轮分子泵）和DP（干式泵）连接到排气管17。
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公开(公告)号：KR1020080009675A
公开(公告)日：2008-01-29
申请号：KR1020077003092
申请日：2005-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
IPC: H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/022 , H01L21/02142 , H01L21/02175 , H01L21/02274 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/3115 , H01L21/3144 , H01L21/3165 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: A method and system for modifying a gate dielectric stack (1) by exposure to a plasma. The method includes providing the gate dielectric stack (1) having a high-k layer (30) formed on a substrate (10, 125), generating a plasma from a process gas containing an inert gas and one of an oxygen-containing gas or a nitrogen-containing gas, where the process gas pressure is selected to control the amount of neutral radicals relative to the amount of ionic radicals in the plasma, and modifying the gate dielectric stack (1) by exposing the stack (1) to the plasma.
Abstract translation: 一种用于通过暴露于等离子体来修改栅极电介质堆叠（1）的方法和系统。 该方法包括提供具有形成在衬底（10,125）上的高k层（30）的栅极电介质叠层（1），从包含惰性气体和含氧气体之一的工艺气体产生等离子体 含氮气体，其中选择工艺气体压力以相对于等离子体中的离子基团的量来控制中性自由基的量，以及通过将叠层（1）暴露于等离子体来修改栅极电介质堆叠（1） 。
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公开(公告)号：KR101715249B1
公开(公告)日：2017-03-10
申请号：KR1020110016746
申请日：2011-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , F27B17/00 , F27D11/12 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D11/12
Abstract: 간단하고쉬운구성으로효율적으로처리챔버내파트를가열할수 있는반도체제조장치의처리챔버내파트의가열방법및 반도체제조장치를제공한다. 처리챔버내에기판을수용하고, 기판에소정의처리를실시하는반도체제조장치의처리챔버내에설치된처리챔버내파트를가열하는반도체제조장치의처리챔버내파트의가열방법으로서, 제 1 처리챔버내파트를투과하고, 제 1 처리챔버내파트와는상이한재료로이루어지는제 2 처리챔버내파트에흡수되는파장역의가열용의광을발생시키는가열용광원을처리챔버의외측에배치하고, 가열용의광을제 1 처리챔버내파트를투과시켜제 2 처리챔버내파트에조사하고제 2 처리챔버내파트를가열한다.
Abstract translation: 提供了一种用于加热在处理室中具有基板的半导体制造装置的处理室内的部件并在基板上进行处理的方法。 该加热方法包括产生由设置在处理室外部的加热光源产生的加热灯，并且具有能够通过处理室中的第一部分并被吸收到处理室中的第二部分中的波长带 与第一部分不同的材料，并且通过使加热灯通过处理室中的第一部分并且将加热灯照射到处理室中的第二部分来加热处理室中的第二部分。
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公开(公告)号：KR1020130007447A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020120067059
申请日：2012-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01J5/0007 , G01J2005/583
Abstract: PURPOSE: A temperature measuring device, a substrate processing device, and a temperature measuring method are provided to properly measure the temperature of a measurement object by using optical interference. CONSTITUTION: A temperature measuring device(1) measures the temperature of a measurement object having a first major surface and a second major surface. The temperature measuring device comprises a data input member(16), a peak interval calculating member(17), an optical path length calculating member(20), and a temperature calculating member(21). The peak interval calculating member calculates a peak interval of spectrum. The optical path length calculating member calculates the length of an optical path from the first major surface to the second major surface on a basis of the peak interval. The temperature calculating member calculates the temperature of the measurement object on a basis of the length of the optical path. [Reference numerals] (1) Temperature measuring device; (141) Light dispersion device; (142) Light receiving unit; (16) Data input member; (17) Peak interval calculating member; (18) Peak frequency detecting member; (19) Frequency difference calculating member; (20) Optical path length calculating member; (21) Temperature calculating member; (22) Temperature correcting member
Abstract translation: 目的：提供温度测量装置，基板处理装置和温度测量方法，以通过使用光学干涉来适当地测量测量对象的温度。 构成：温度测量装置（1）测量具有第一主表面和第二主表面的测量对象的温度。 温度测量装置包括数据输入部件（16），峰值间隔计算部件（17），光程长度计算部件（20）和温度计算部件（21）。 峰值间隔计算部件计算频谱的峰值间隔。 光路长度计算部件基于峰值间隔计算从第一主表面到第二主表面的光路的长度。 温度计算部件基于光路的长度计算测量对象的温度。 （附图标记）（1）温度测量装置; （141）光分散装置; （142）光接收单元; （16）数据输入成员; （17）峰值间隔计算部件; （18）峰值频率检测部件; （19）频率差计算部件; （20）光路长度计算部件; （21）温度计算部件; （22）温度校正部件
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公开(公告)号：KR1020110103331A
公开(公告)日：2011-09-20
申请号：KR1020110018891
申请日：2011-03-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 마츠도타츠오
IPC: G01K11/12 , G01J5/02 , H01L21/324
CPC classification number: G01K11/00
Abstract: 광로 길이를 설정하기 위한 번잡한 조작이 불필요하고, 또한 온도 측정 대상물의 제약이 적어 적용 범위가 넓은 온도 측정용 프로브를 제공한다. 저 간섭성 광의 간섭을 이용한 온도 측정용 프로브로서, 온도 측정 대상물의 표면에 접촉되어 온도 측정 대상물과 열적으로 동화되는 접촉 부재(71)와, 접촉 부재(71)에 저 간섭성 광으로 이루어지는 측정광(74)을 조사하고, 접촉 부재(71)의 표면으로부터의 반사광(75a) 및 이면으로부터의 반사광(75b)을 각각 수광하는 콜리메이터(72)와, 접촉 부재(71) 및 콜리메이터(72)와의 간격을 소정의 길이로 규정하고 또한, 측정광(74) 및 반사광(75a, 75b)의 광로를 측정 대상물이 놓여진 분위기로부터 격리하는 통 형상 부재(73)를 가지는 온도 측정용 프로브를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110098661A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020110016746
申请日：2011-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , F27B17/00 , F27D11/12 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D11/12 , H01L21/02 , H01L21/02266 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H05H1/46
Abstract: 간단하고 쉬운 구성으로 효율적으로 처리 챔버내 파트를 가열할 수 있는 반도체 제조 장치의 처리 챔버내 파트의 가열 방법 및 반도체 제조 장치를 제공한다. 처리 챔버 내에 기판을 수용하고, 기판에 소정의 처리를 실시하는 반도체 제조 장치의 처리 챔버 내에 설치된 처리 챔버내 파트를 가열하는 반도체 제조 장치의 처리 챔버내 파트의 가열 방법으로서, 제 1 처리 챔버내 파트를 투과하고, 제 1 처리 챔버내 파트와는 상이한 재료로 이루어지는 제 2 처리 챔버내 파트에 흡수되는 파장역의 가열용의 광을 발생시키는 가열용 광원을 처리 챔버의 외측에 배치하고, 가열용의 광을 제 1 처리 챔버내 파트를 투과시켜 제 2 처리 챔버내 파트에 조사하고 제 2 처리 챔버내 파트를 가열한다.
Abstract translation: 提供了一种用于加热在处理室中具有基板的半导体制造装置的处理室内的部件并在基板上进行处理的方法。 该加热方法包括产生由设置在处理室外部的加热光源产生的加热灯，并且具有能够通过处理室中的第一部分并被吸收到处理室中的第二部分中的波长带 与第一部分不同的材料，并且通过使加热灯通过处理室中的第一部分并且将加热灯照射到处理室中的第二部分来加热处理室中的第二部分。
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公开(公告)号：KR101812541B1
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020110098711
申请日：2011-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01K11/125 , G01B9/02021 , G01B9/02025 , G01B9/0209 , G01B11/0675
Abstract: (과제) 측정대상물상에박막이형성되어있는경우라도, 측정대상물의온도를종래에비해정확하게측정할수 있는온도측정방법을제공한다. (해결수단) 광원으로부터의빛을, 기판상에박막이형성된측정대상물의측정포인트까지전송하는공정과, 기판의표면에서의반사광에의한제1 간섭파와, 기판과박막과의계면및 박막의이면(裏面)에서의반사광에의한제2 간섭파를측정하는공정과, 제1 간섭파에서제2 간섭파까지의광로길이를산출하는공정과, 제2 간섭파의강도에기초하여, 박막의막두께를산출하는공정과, 산출한박막의막두께에기초하여, 기판의광로길이와산출한광로길이와의광로차를산출하는공정과, 산출한광로차에기초하여산출한제1 간섭파에서제2 간섭파까지의광로길이를보정하는공정과, 보정된광로길이로부터측정포인트에있어서의측정대상물의온도를산출하는공정을구비한다.
Abstract translation: （本发明要解决的问题）提供一种温度测量方法，即使当在被测物体上形成薄膜时，该温度测量方法也能够精确地测量待测量物体的温度。 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：将来自光源的光传输到其上形成有薄膜的测量对象的测量点;测量从所述衬底的表面反射的第一干涉波， 并且基于第二干涉波的强度计算薄膜的厚度;基于第二干涉波的强度计算薄膜的厚度; 在这个过程中的第二干扰波和，一个基于薄膜产率的膜厚度，在计算光程差之间的长度在基板的光路长度并计算汉王和的步骤的差的基础上计算，计算汉王第一干扰该 以及从校正光路长度计算测量点处的测量对象的温度的步骤。
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公开(公告)号：KR1020120112238A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120033278
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67248 , G01K5/50 , G01K11/00 , H01J37/32972
Abstract: PURPOSE: A measuring apparatus and a plasma processing apparatus are provided to broaden a range of a measurable subject by increasing wavelength resolution. CONSTITUTION: A first mirror(102) and a second mirror(106) are installed to reflect incident light to a desired direction. The light reflected from the second mirror enters a photodiode array(108). The incident light from an entrance slit(101) is reflected to the first mirror and is irradiated to a diffraction grid(104). The photodiode array detects power of the light. A controller(120) comprises a driving part(124), a measuring part(126), and a memory part(128). [Reference numerals] (100) Spectroscope; (120) Controller; (121) Synchronization part; (122) Driver; (124) Drive part; (126) Measuring part; (128) Memory part; (AA) Light entering
Abstract translation: 目的：提供测量装置和等离子体处理装置，以通过增加波长分辨率来扩大可测量对象的范围。 构成：安装第一反射镜（102）和第二反射镜（106）以将入射光反射到期望的方向。 从第二反射镜反射的光进入光电二极管阵列（108）。 来自入口狭缝（101）的入射光被反射到第一反射镜并照射到衍射栅极（104）。 光电二极管阵列检测光的功率。 控制器（120）包括驱动部分（124），测量部分（126）和存储部分（128）。 （附图标记）（100）分光镜; （120）控制器; （121）同步部分; （122）司机; （124）驱动部件; （126）测量部件; （128）内存部分; （AA）光进入
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公开(公告)号：KR101163264B1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020077003092
申请日：2005-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
IPC: H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/022 , H01L21/02142 , H01L21/02175 , H01L21/02274 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/3115 , H01L21/3144 , H01L21/3165 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 본 발명은 플라즈마에 노출시킴으로써 게이트 유전체 스택 (1) 을 변형하는 방법 및 시스템에 관한 것이다. 상기 방법은, 하이-k 층 (30) 을 갖는 게이트 유전체 스택을 기판 (10, 125) 상에 형성하는 단계; 불활성 기체 및 산소-함유 기체 또는 질소-함유 기체 중 하나를 함유하는 프로세스 기체로부터 플라즈마를 발생시키는 단계로서, 상기 프로세스 기체압은 상기 플라즈마 내의 이온성 라디칼의 분량에 대한 중성 라디칼의 분량을 제어하도록 선택되어 있는, 상기 플라즈마 발생 단계; 및 상기 게이트 유전체 스택 (1) 을 상기 플라즈마에 노출시킴으로써 상기 게이트 유전체 스택 (1) 을 변형시키는 단계를 포함한다.
플라즈마, 게이트 유전체 스택, 하이-k 층-
公开(公告)号：KR1020120034012A
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020110098711
申请日：2011-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01K11/125 , G01B9/02021 , G01B9/02025 , G01B9/0209 , G01B11/0675
Abstract: PURPOSE: A temperature measuring method and a storage media are provided to accurately measure a temperature of a measurement object even though a thin film is formed in the measurement object. CONSTITUTION: A temperature measuring method is as follows. Light is transmitted from a light source(110) to a measurement point(P) of a measurement object in which a thin film is formed on a substrate. A first interference wave by reflection light from a surface of the substrate and second interference wave by reflection light from the substrate, the thin film, and a rear side of the thin film are measured. A length of a light path from the first interference to second interference is calculated. A thickness of the thin film is calculated based on the intensity of the second interference wave. A length difference between a light path length of the substrate and the calculated light path length is calculated based on the calculated thickness of the thin film. The light path length from the first interference wave to the second interference wave is revised based on the calculated length difference of the light path. A temperature of the measurement object with respect to the measurement point is calculated from the revised light path length.
Abstract translation: 目的：提供温度测量方法和存储介质以精确地测量测量对象的温度，即使在测量对象中形成薄膜。 构成：温度测量方法如下。 光从光源（110）传输到其中在基板上形成薄膜的测量对象的测量点（P）。 测量来自基板表面的反射光的第一干涉波和来自基板，薄膜以及薄膜背面的反射光的第二干涉波。 计算从第一干扰到第二干扰的光路的长度。 基于第二干涉波的强度来计算薄膜的厚度。 基于计算出的薄膜厚度来计算基板的光路长度与计算出的光路长度之间的长度差。 基于计算出的光路的长度差，修正从第一干涉波到第二干涉波的光路长度。 测量对象相对于测量点的温度根据修改的光路长度计算。
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