Abstract:
PURPOSE: A composition member within a process chamber of a substrate processing apparatus and a temperature measuring method thereof are provided to accurately measure temperature of a temperature measuring part based on the length difference of an optical path of two reflective lights reflected on a non-consumption face and a consumption face. CONSTITUTION: A chamber accepts a wafer(W). A susceptor(12) of circumferential shape is arranged within the chamber. A lateral part exhaust duct(13) is formed at the side of the susceptor and at an inner wall of the chamber. A exhaust plate(14) is used for as a partition plate which divides the inner wall of the chamber into a top portion and a bottom portion. A TMP(Turbo Molecular Pump) and a DP(Dry Pump) are connected to an exhaust pipe(17).
Abstract:
A method and system for modifying a gate dielectric stack (1) by exposure to a plasma. The method includes providing the gate dielectric stack (1) having a high-k layer (30) formed on a substrate (10, 125), generating a plasma from a process gas containing an inert gas and one of an oxygen-containing gas or a nitrogen-containing gas, where the process gas pressure is selected to control the amount of neutral radicals relative to the amount of ionic radicals in the plasma, and modifying the gate dielectric stack (1) by exposing the stack (1) to the plasma.
Abstract:
PURPOSE: A temperature measuring device, a substrate processing device, and a temperature measuring method are provided to properly measure the temperature of a measurement object by using optical interference. CONSTITUTION: A temperature measuring device(1) measures the temperature of a measurement object having a first major surface and a second major surface. The temperature measuring device comprises a data input member(16), a peak interval calculating member(17), an optical path length calculating member(20), and a temperature calculating member(21). The peak interval calculating member calculates a peak interval of spectrum. The optical path length calculating member calculates the length of an optical path from the first major surface to the second major surface on a basis of the peak interval. The temperature calculating member calculates the temperature of the measurement object on a basis of the length of the optical path. [Reference numerals] (1) Temperature measuring device; (141) Light dispersion device; (142) Light receiving unit; (16) Data input member; (17) Peak interval calculating member; (18) Peak frequency detecting member; (19) Frequency difference calculating member; (20) Optical path length calculating member; (21) Temperature calculating member; (22) Temperature correcting member
Abstract:
광로 길이를 설정하기 위한 번잡한 조작이 불필요하고, 또한 온도 측정 대상물의 제약이 적어 적용 범위가 넓은 온도 측정용 프로브를 제공한다. 저 간섭성 광의 간섭을 이용한 온도 측정용 프로브로서, 온도 측정 대상물의 표면에 접촉되어 온도 측정 대상물과 열적으로 동화되는 접촉 부재(71)와, 접촉 부재(71)에 저 간섭성 광으로 이루어지는 측정광(74)을 조사하고, 접촉 부재(71)의 표면으로부터의 반사광(75a) 및 이면으로부터의 반사광(75b)을 각각 수광하는 콜리메이터(72)와, 접촉 부재(71) 및 콜리메이터(72)와의 간격을 소정의 길이로 규정하고 또한, 측정광(74) 및 반사광(75a, 75b)의 광로를 측정 대상물이 놓여진 분위기로부터 격리하는 통 형상 부재(73)를 가지는 온도 측정용 프로브를 제공한다.
Abstract:
간단하고 쉬운 구성으로 효율적으로 처리 챔버내 파트를 가열할 수 있는 반도체 제조 장치의 처리 챔버내 파트의 가열 방법 및 반도체 제조 장치를 제공한다. 처리 챔버 내에 기판을 수용하고, 기판에 소정의 처리를 실시하는 반도체 제조 장치의 처리 챔버 내에 설치된 처리 챔버내 파트를 가열하는 반도체 제조 장치의 처리 챔버내 파트의 가열 방법으로서, 제 1 처리 챔버내 파트를 투과하고, 제 1 처리 챔버내 파트와는 상이한 재료로 이루어지는 제 2 처리 챔버내 파트에 흡수되는 파장역의 가열용의 광을 발생시키는 가열용 광원을 처리 챔버의 외측에 배치하고, 가열용의 광을 제 1 처리 챔버내 파트를 투과시켜 제 2 처리 챔버내 파트에 조사하고 제 2 처리 챔버내 파트를 가열한다.
Abstract:
PURPOSE: A measuring apparatus and a plasma processing apparatus are provided to broaden a range of a measurable subject by increasing wavelength resolution. CONSTITUTION: A first mirror(102) and a second mirror(106) are installed to reflect incident light to a desired direction. The light reflected from the second mirror enters a photodiode array(108). The incident light from an entrance slit(101) is reflected to the first mirror and is irradiated to a diffraction grid(104). The photodiode array detects power of the light. A controller(120) comprises a driving part(124), a measuring part(126), and a memory part(128). [Reference numerals] (100) Spectroscope; (120) Controller; (121) Synchronization part; (122) Driver; (124) Drive part; (126) Measuring part; (128) Memory part; (AA) Light entering
Abstract:
본 발명은 플라즈마에 노출시킴으로써 게이트 유전체 스택 (1) 을 변형하는 방법 및 시스템에 관한 것이다. 상기 방법은, 하이-k 층 (30) 을 갖는 게이트 유전체 스택을 기판 (10, 125) 상에 형성하는 단계; 불활성 기체 및 산소-함유 기체 또는 질소-함유 기체 중 하나를 함유하는 프로세스 기체로부터 플라즈마를 발생시키는 단계로서, 상기 프로세스 기체압은 상기 플라즈마 내의 이온성 라디칼의 분량에 대한 중성 라디칼의 분량을 제어하도록 선택되어 있는, 상기 플라즈마 발생 단계; 및 상기 게이트 유전체 스택 (1) 을 상기 플라즈마에 노출시킴으로써 상기 게이트 유전체 스택 (1) 을 변형시키는 단계를 포함한다. 플라즈마, 게이트 유전체 스택, 하이-k 층
Abstract:
PURPOSE: A temperature measuring method and a storage media are provided to accurately measure a temperature of a measurement object even though a thin film is formed in the measurement object. CONSTITUTION: A temperature measuring method is as follows. Light is transmitted from a light source(110) to a measurement point(P) of a measurement object in which a thin film is formed on a substrate. A first interference wave by reflection light from a surface of the substrate and second interference wave by reflection light from the substrate, the thin film, and a rear side of the thin film are measured. A length of a light path from the first interference to second interference is calculated. A thickness of the thin film is calculated based on the intensity of the second interference wave. A length difference between a light path length of the substrate and the calculated light path length is calculated based on the calculated thickness of the thin film. The light path length from the first interference wave to the second interference wave is revised based on the calculated length difference of the light path. A temperature of the measurement object with respect to the measurement point is calculated from the revised light path length.