公开(公告)号：KR1020070081749A

公开(公告)日：2007-08-17

申请号：KR1020070010312

申请日：2007-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/304

Abstract: A method for cleaning a substrate processing chamber, a storage medium and a substrate processing chamber are provided to prevent formation of an oxide layer on a surface of a component located in the processing chamber. An attached material is removed from a component in a processing chamber using plasma which is produced from oxygen gas introduced into a space(S63). An oxide is removed from the component in the processing chamber by using second plasma which is produced from carbon tetrafluoride gas introduced into the space(S66). The component is an electrode which is disposed facing the substrate transferred into the space, and is connected to a direct current power source.

Abstract translation: 提供了一种用于清洁基板处理室，存储介质和基板处理室的方法，以防止在位于处理室中的部件的表面上形成氧化物层。 使用由导入空间的氧气制造的等离子体，将处理室中的成分除去附着材料（S63）。 通过使用由引入空间的四氟化碳气体产生的第二等离子体，从处理室中的组分中除去氧化物（S66）。 该部件是与传送到该空间中的基板相对配置的电极，并与直流电源连接。

公开(公告)号：KR102156956B1

公开(公告)日：2020-09-16

申请号：KR1020160156167

申请日：2016-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기무라히데토시 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  G01K13/02

公开(公告)号：KR100852577B1

公开(公告)日：2008-08-18

申请号：KR1020070028146

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠모토나오키 ,  다나카사토시 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/3065

Abstract: 기판 처리실을 갖는 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지한다. 기판 처리실은 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는다. 플라즈마 처리 장치는 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 더 구비한다. 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 갖고, 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠의 범위 내이다.

Abstract translation: 具有基板处理室的等离子体处理设备防止等离子体泄漏到排气空间中。 基板处理室具有用于对基板进行等离子体处理的处理空间，用于将气体排出处理空间的排气空间以及用于连通排气空间和处理空间的排气流路。 等离子体处理装置还包括设置在排气通道中并且电接地的接地组件。 接地部分具有由导电材料制成的导电部分，并且导电部分到排气通道的暴露面积在100至1000cm 2的范围内。

公开(公告)号：KR1020170061076A

公开(公告)日：2017-06-02

申请号：KR1020160156167

申请日：2016-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기무라히데토시 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  G01K13/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  B01F13/0266 ,  G01K11/00 ,  G01K13/02 ,  G01K2013/024 ,  G01L19/0007

Abstract: 배관내의가스온도를측정할수 있는가스온도측정방법을제공한다. 제 2 배관(12b)의내부용적 V, 제 1 배관(12a) 내및 제 2 배관(12b) 내에질소가스를도입했을때의제 1 배관(12a) 내의가스의압력상승률 b, 제 1 배관(12a) 내에만질소가스를도입했을때의제 1 배관(12a) 내의가스의압력상승률 b, SI 단위계로치환된도입되는질소가스의유량 Q및절대온도로치환된질소가스의온도 T에근거하여제 1 배관(12a) 내의가스의온도 T가산출된다.

Abstract translation: 提供了一种能够测量管道中的气体温度的气体温度测量方法。 第二配管12b的内容积V，氮气导入第一配管12a和第二配管12b时的第一配管12a内的气体的压力上升率b， 12a）的氮气的温度T的基础上，由第一压力增加速率为b时，流量Q和引入与在所述管第一导入naeeman氮气时的气体的SI单位（12a）的取代的氮的气体的绝对温度取代 单管12a中的气体的温度T被累积。

公开(公告)号：KR100857955B1

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：KR1020070027578

申请日：2007-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

Abstract: 전기적으로 절연되어 있는 전극으로부터 폴리머를 제거할 수 있는 플라즈마 처리 장치. 플라즈마 처리 장치의 서셉터는, 처리 공간을 갖는 기판 처리실 내에 배치된다. 고주파 전원이 서셉터에 접속되어 있다. 상부 전극판은, 기판 처리실의 벽부나 서셉터로부터 전기적으로 절연된다. 이 상부 전극판에는 직류 전원이 접속되어 있다. 플라즈마 처리 장치의 제어부는, 실행하는 RIE 처리의 처리 조건에 따라 상부 전극판에 인가하는 부의 직류 전압의 값을 결정한다.

公开(公告)号：KR1020070095830A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020070028048

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32532

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to securely remove an insulation layer on a ground electrode by securely generating an electric field with a predetermined intensity in a portion of a process space confronting the ground electrode. A substrate processing chamber(11) has a process space in which a plasma treatment is performed on a substrate. An RF electrode applies RF power to the process chamber. A DC electrode applies a DC voltage to the process space. A ground electrode is exposed to the process space. An insulation part is positioned between the ground electrode and the RF electrode. The distance between the ground electrode and the RF electrode falls within a range of 0~10 mm. The insulation part can include an insulator or a vacuum space.

Abstract translation: 提供一种等离子体处理装置，通过在与接地电极相对的处理空间的一部分中牢固地产生具有预定强度的电场来牢固地去除接地电极上的绝缘层。 基板处理室（11）具有对基板进行等离子体处理的处理空间。 RF电极向处理室施加RF功率。 直流电极向工艺空间施加直流电压。 接地电极暴露于工艺空间。 绝缘部分位于接地电极和RF电极之间。 接地电极和RF电极之间的距离在0〜10mm的范围内。 绝缘部件可以包括绝缘体或真空空间。

公开(公告)号：KR1020070096864A

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：KR1020070028146

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠모토나오키 ,  다나카사토시 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32834

Abstract: A plasma processing apparatus and method and a storage medium are provided to prevent plasma from being leaked into an exhaust space by interrupting inflow of electrons into the exhaust space. A substrate processing chamber(11) has a processing space(PS) for a plasma process, an exhaust space(ES) exhausting a gas out of the processing space, and an exhaust flow path(16) communicating the exhaust space and the processing space. A ground component(16) is disposed in the exhaust flow path, and has a conduction portion(45) made of a conductive material. The conduction portion has an area exposed to the exhaust flow path in the range of 100 to 1000 cm^2.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和方法以及存储介质，以通过中断电子流入排气空间来防止等离子体泄漏到排气空间中。 基板处理室（11）具有用于等离子体处理的处理空间（PS），从处理空间排出气体的排气空间（ES）以及将排气空间与处理空间连通的排气流路 。 接地部件（16）设置在排气流路中，并且具有由导电材料制成的导电部（45）。 导电部分具有在100至1000cm 2的范围内暴露于排气流路的区域。

公开(公告)号：KR100891754B1

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：KR1020070010312

申请日：2007-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 처리실 내 부품의 표면에 있어서의 산화막의 형성을 방지할 수 있는 기판 처리실의 세정 방법을 제공한다.
본 발명에서는, 상부 전극판(38)의 표면에 반응 생성물이 부착된 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 웨이퍼 W를 기판 처리실(11)로부터 반출한 후, 처리 공간 S에 산소 가스를 도입하고, 처리 공간 S의 압력을 26.7㎩~80.0㎩로 설정하며, 전극판 표면-공간 전위차를 0eV로 설정하고, 40㎒의 고주파 전력의 크기를 500W 이하로 설정하며, 40㎒ 고주파 전력에 의해 플라즈마를 생성하여 드라이 클리닝 처리를 실행하고, 또한, 처리 공간 S에 4불화탄소 가스를 도입하고, 40㎒ 및 2㎒의 고주파 전력에 의해 플라즈마를 생성하여 산화물 제거 처리를 실행한다.

公开(公告)号：KR100889433B1

公开(公告)日：2009-03-23

申请号：KR1020070028048

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 접지 전극상의 절연막을 제거 가능하다. 플라즈마 처리 장치는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간을 내부에 갖는 기판 처리실과, 처리 공간에 무선 주파수 전력을 인가하는 RF 전극과, 처리 공간에 DC 전압을 공급하는 DC 전극과, 처리 공간에 노출되는 접지 전극을 갖는다. 접지 전극 및 RF 전극은 절연부를 그 사이에 두고 인접하고, 접지 전극과 RF 전극 사이의 거리는 0 내지 10㎜의 범위 내로 설정된다.

公开(公告)号：KR1020070095806A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020070027578

申请日：2007-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to properly remove polymer from a second electrode by determining the value of a DC voltage applied to the second voltage according to the quantity of attachment attached to an exposure part. A substrate processing chamber(11) has a process space into which a substrate is loaded wherein a plasma treatment is performed on the substrate in the process space. A first electrode is disposed in the substrate processing chamber, connected to an RF power source(20,46). A second electrode has an exposure part exposed to the process space, electrically insulated from the substrate processing chamber and the first electrode. The second electrode is connected to a DC power source(49). A control part(52) can control the value of the DC voltage applied to the second electrode. The control part can determine the value of the applied DC voltage according to the quantity of the attachment attached to the exposure part.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置，通过根据附着于曝光部分的附着量确定施加到第二电压的直流电压的值，从第二电极适当地去除聚合物。 衬底处理室（11）具有加工衬底的工艺空间，其中对工艺空间中的衬底进行等离子体处理。 第一电极设置在衬底处理室中，连接到RF电源（20,46）。 第二电极具有暴露于处理空间的曝光部分，与基板处理室和第一电极电绝缘。 第二电极连接到直流电源（49）。 控制部分（52）可以控制施加到第二电极的直流电压的值。 控制部可以根据附着于曝光部的附件的数量来确定所施加的直流电压的值。