公开(公告)号：KR1020170072809A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：KR1020160170373

申请日：2016-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키시히로키 ,  서지수

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/687 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32798 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/12

Abstract: 포커스링의소모에수반하는홀의경사의변동을억제한다. 플라즈마처리장치(1)는챔버(10)와, 배치대(16)와, 포커스링(24a)과, 제 1 전극판(36)과, 제 2 전극판(35)을구비한다. 포커스링(24a)은배치대(16)의배치면을둘러싸도록배치대(16)의주위에마련된다. 제 1 전극판(36)은배치대(16)의상방에마련된다. 제 2 전극판(35)은제 1 전극판(36)을둘러싸도록제 1 전극판(36)의주위에마련되고, 제 1 전극판(36)과절연된다. 플라즈마처리장치(1)는, 제 1 공정에있어서, 챔버내에생성된플라즈마에의해, 배치대(16)의배치면에배치된반도체웨이퍼(W)에정해진처리를실시한다. 또한플라즈마처리장치(1)는, 제 2 공정에있어서, 제 1 공정의경과시간에따라, 제 2 전극판(35)에인가되는음의직류전압의절대값을증가시킨다.

Abstract translation: 抑制了由于聚焦环的消耗引起的孔的倾斜的波动。 等离子体处理装置1包括腔室10，平台16，聚焦环24a，第一电极板36和第二电极板35。 聚焦环24a以包围载置台16的载置面的方式设置于载置台16的周围。 第一电极板36设置在轴环16的上表面上。 第二电极板35设置在第一电极板36的周围以围绕第一电极板36并且与第一电极板36绝缘。 等离子体处理装置1通过在第一步骤中在腔室中产生的等离子体对放置在放置台16的放置表面上的半导体晶片W执行预定的处理。 此外，在第二步骤中，等离子体处理装置1根据第一步骤的经过时间增加施加到第二电极板35的负DC电压的绝对值。

公开(公告)号：KR1020170028849A

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：KR1020160111667

申请日：2016-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토미오카타케토시 ,  사사키야스하루 ,  키시히로키 ,  서지수

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: B24B37/32 ,  B24B37/20

Abstract: 포커스링의흡착특성을안정화시키는것을목적으로한다. 처리용기내에서기판을배치하는하부전극의주연부에배치되고, 상기하부전극의부재와접촉하는포커스링으로서, 상기포커스링의접촉면은실리콘함유재료, 알루미나(AlO) 또는석영중 어느하나로형성되고, 상기포커스링의접촉면및 상기하부전극의부재의접촉면중 적어도어느하나는 0.1 μm 이상의표면거칠기인포커스링이제공된다.

Abstract translation: 聚焦环设置在下电极的周边部分上，该下电极在处理容器中接收基板，从而与下电极的部件接触。 聚焦环包括与下电极的构件接触并由含硅材料，氧化铝和石英中的任一种制成的接触表面。 聚焦环的接触表面和下电极的构件的接触表面中的至少一个具有0.1微米或更大的表面粗糙度。

公开(公告)号：KR1020160078917A

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020150185844

申请日：2015-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  도미오카다케토시 ,  기시히로키 ,  서지수

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67109 ,  H02N13/00

Abstract: 본발명은포커스링과정전척에의해샌드위치되는공간에공급되는열 매체의리크량의증대를억제하는것을목적으로한다. 정전흡착방법은, 기판이탑재되는정전척과, 기판이탑재되는영역을둘러싸고정전척 상에마련된포커스링과, 포커스링과정전척의사이에샌드위치되는공간에열 매체를공급하는공급부와, 정전척 내부의, 포커스링에대응하는영역에마련되는복수의전극을구비한기판처리장치를이용한정전흡착방법으로서, 기판을플라즈마처리하기위한플라즈마가생성되는기간인플라즈마처리기간에있어서공급부에의해서공간에열 매체를공급하고, 플라즈마처리기간이외의다른기간에있어서, 포커스링을정전척에흡착하도록복수의전극에서로다른전압을인가한다.

Abstract translation: 本发明的目的是抑制供给到由聚焦环和静电卡盘夹持的空间的加热介质的泄漏量的增加。 本发明涉及使用基板处理单元的静电吸收方法，该基板处理单元包括安装有基板的静电卡盘; 所述聚焦环围绕安装有所述基板的区域，并且布置在所述静电卡盘上; 供应部件，其将加热介质供应到夹在聚焦环和静电卡盘之间的空间; 以及布置在与静电卡盘内部的聚焦环相对应的区域上的多个电极。 此外，静电吸收方法的特征在于，在等离子体处理期间，通过供给部供给加热介质，该等离子体处理期间是等离子体生成等离子体的周期，用于等离子体处理基板; 并且在除了等离子体处理周期之外的其它周期中，将不同的电压施加到用于将聚焦环吸收到静电卡盘上的电极。

公开(公告)号：KR1020160140450A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：KR1020160064180

申请日：2016-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키시히로키 ,  서지수

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/6835 ,  H05H1/46

Abstract: 포커스링의소모에수반하는홀의기울기의변동을억제한다. 플라즈마처리장치는챔버와배치대(2)와포커스링(8)을구비한다. 챔버는반도체웨이퍼(W)를플라즈마처리한다. 배치대(2)는챔버의내부에마련되고, 반도체웨이퍼(W)가배치되는유지면(9a)을가진다. 포커스링(8)은유지면(9a)에배치된반도체웨이퍼(W)를둘러싸도록배치대의주위에마련되고, 유지면(9a)보다낮은제 1 평탄부(8a)와, 제 1 평탄부(8a)보다낮은제 2 평탄부(8b)와, 제 1 평탄부(8a)보다높은제 3 평탄부(8c)가내주측으로부터외주측을향해차례로형성된다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括室，安装台2和聚焦环8.该室被配置为用等离子体处理半导体晶片W. 安装台2设置在室内，并且包括保持表面9a，半导体晶片W安装在保持表面9a上。 聚焦环8被设置为围绕安装在保持表面9a上的半导体晶片W，并且包括第一平坦部分8a，第二平坦部分8b和第三平坦部分8c，第一平坦部分8a，第二平坦部分8b和第三平坦部分8c从 聚焦环8朝向其外周侧。 这里，第一平坦部8a比保持面9a低，第二平坦部8b低于第一平坦部8a，第三平坦部8c高于第一平坦部8a。