公开(公告)号：KR1020100087636A

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：KR1020100003967

申请日：2010-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기쿠치키요타카 ,  무라카미히로키 ,  나카지마시게루 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: PURPOSE: A film forming device for processing a semiconductor, a using method thereof, and a computer readable medium for executing the same are provided to improve the property of a device related to throughput or particle generation by efficiently generating an oxide radical. CONSTITUTION: A main cleaning process and a post cleaning process are successively performed on a substrate for removing a thin film byproduct. In the main cleaning process, the film byproduct is etched by supplying a cleaning gas including fluorine in a reaction chamber. In the post cleaning process, the fluorine material including silicon is changed into the intermediate product through oxidation by supplying an oxide gas to the reaction chamber to remove the fluorine including the silicon. The process for reacting with the intermediate product is repeated several times by supplying hydrogen fluoride gas to the reactive chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体的成膜装置，其使用方法和用于执行该半导体的使用方法和用于执行该半导体的使用方法和计算机可读介质，以通过有效地产生氧化物自由基来改善与生产量或颗粒产生有关的装置的性质。 构成：在用于除去薄膜副产物的基板上连续进行主要清洁处理和后清洗处理。 在主要清洗过程中，通过在反应室中提供包括氟的清洁气体来蚀刻膜副产物。 在后清洗工序中，通过向反应室供给氧化物气体，除去包含硅的氟，将包含硅的氟材料变为氧化的中间体。 通过向反应室供应氟化氢气体，重复多次与中间产物反应的方法。

公开(公告)号：KR101285211B1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：KR1020100003967

申请日：2010-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기쿠치키요타카 ,  무라카미히로키 ,  나카지마시게루 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 성막 장치의 사용 방법은, 반응실 내에서, 주(主) 클리닝 처리와 포스트 클리닝 처리를 이 순서로 행하는 것을 구비한다. 주 클리닝 처리는, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여, 실리콘을 포함하는 성막 부(副)생성물을 에칭한다. 포스트 클리닝 처리는, 주 클리닝 처리에 의해 발생하고 그리고 반응실 내에 잔류하는 실리콘 함유 불화물을 제거하기 위해, 반응실 내에 산화 가스를 공급하여, 실리콘 함유 불화물을 산화함으로써 중간 생성물로 변환하는 공정과, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불화 수소 가스를 공급하여, 중간 생성물과 반응시켜서 제거하는 공정을 번갈아 복수회 반복한다.