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    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    2.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
    等离子体加工设备和等离子体处理方法

    公开(公告)号：KR1020140104380A

    公开(公告)日：2014-08-28

    申请号：KR1020140019300

    申请日：2014-02-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나가미코이치 ,  야마다노리카즈 ,  곤다이타다시 ,  요시다코우이치

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32944

    Abstract: The present invention efficiently, stably, and definitely prevents abnormal discharge between an RF electrode (susceptor), which loads a substrate to be processed, and the substrate by using an electrostatic chuck. At a first timing after a semiconductor wafer (W) is mounted on the electrostatic chuck (38), the susceptor (12) is switched from an electrically grounded state into a floated state. From a second timing after the first timing, a second high frequency power (HF) for plasma generation is applied to the susceptor (12), and a processing gas is excited into plasma in a chamber (10). From a third timing after the second timing, a first high frequency power (LF) for ion injection is applied to the susceptor (12), and a self-bias (−Vdc) is generated. From a fourth timing close to the third timing, a negative second DC voltage (−BDC) corresponding to the self-bias (−Vdc) is applied to the susceptor (12). From the fifth timing after the fourth timing, a positive first DC voltage (ADC) is applied to an inner electrode (42) of the electrostatic chuck (38).

    Abstract translation: 本发明通过使用静电卡盘有效地，稳定地并且可靠地防止加载被处理基板的RF电极（基座）与基板之间的异常放电。 在将半导体晶片（W）安装在静电卡盘（38）上之后的第一定时，基座（12）从电接地状态切换到浮动状态。 从第一定时之后的第二定时，将用于等离子体产生的第二高频功率（HF）施加到基座（12），处理气体在腔室（10）中激发成等离子体。 从第二定时之后的第三时刻开始，对基座（12）施加用于离子注入的第一高频功率（LF），产生自偏压（-Vdc）。 从靠近第三定时的第四定时，将与自偏压（-Vdc）相对应的负的第二直流电压（-BDC）施加到基座（12）。 从第四定时之后的第五时刻开始，对静电卡盘（38）的内部电极（42）施加正的第一直流电压（ADC）。

    플라즈마 처리 방법
    8.
    发明公开
    플라즈마 처리 방법 审中-实审
    等离子处理方法

    公开(公告)号：KR1020170110036A

    公开(公告)日：2017-10-10

    申请号：KR1020170035269

    申请日：2017-03-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나가미코이치

    IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

    Abstract: 처리용기내에서서로상이한처리가스의플라즈마를생성하는복수의단계이며차례로실행되는당해복수의단계를각각이포함하는복수의사이클을차례로실행하는플라즈마처리방법에있어서, 선행하는단계로부터후속의단계로천이한후의적절한시점에고주파의설정및 직류전압의레벨의설정중 적어도하나를변경한다. 일실시형태에따른플라즈마처리방법에서는, 플라즈마처리장치의제 1 전극및 제 2 전극중 일방의전극으로고주파가공급된다. 선행하는단계로부터후속의단계로천이할때 가스공급계가출력하는처리가스가전환된다. 처리가스가전환된후에, 플라즈마의임피던스를반영하는파라미터가임계치를초과한시점에고주파의설정및 음극성의직류전압의레벨의설정중 적어도하나가변경된다.

    Abstract translation: 在用于执行多个步骤和步骤的多个按顺序执行，以生成从所述处理容器内彼此依次不同的工艺气体的等离子体以多个周期包括各个，在从前面的步骤的下一步骤的等离子体处理方法 在转换之后的适当时间处，改变高频的设置和DC电压的电平的设置中的至少一个。 在根据实施例的等离子体处理方法中，高频率被提供给等离子体处理设备的第一电极和第二电极中的一个。 当从前面的步骤转换到随后的步骤时，从气体供应系统输出的过程气体被切换。 转换过程气体后，高频组和DC电压的设定电平的负电极中的至少一个被改变为在该性别参数反映等离子体的阻抗超过阈值的时间点。

    플라즈마 처리 방법
    9.
    发明公开
    플라즈마 처리 방법 审中-实审
    等离子处理方法

    公开(公告)号：KR1020170087045A

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：KR1020170008836

    申请日：2017-01-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나가미코이치

    IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183

    Abstract: 플라즈마처리장치에있어서실행되는플라즈마처리방법을제공한다. 일실시형태의플라즈마처리방법에서는, 복수의제 1 단계와복수의제 2 단계가교호로실행된다. 제 1 단계의각각에있어서, 가스공급계로부터처리용기내에제 1 가스가공급되고, 제 1 고주파전원으로부터제 1 고주파가공급된다. 제 2 단계의각각에서는, 직전의제 1 단계로부터연속하여제 1 고주파전원으로부터제 1 고주파가공급된다. 제 2 단계의각각에서는, 제 1 가스로부터제 2 가스로전환하기위한가스전환신호가가스공급계에부여된다. 또한, 가스전환신호가가스공급계에부여된후, 부하임피던스와같은파라미터가임계치를초과했을때, 제 2 고주파전원에의한제 2 고주파의공급이개시된다.

    Abstract translation: 提供了在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。 在等离子体处理方法的一个实施例中，执行多个第一步骤和多个第二步骤桥。 在每个第一阶段，和从气体供给系统供给到处理容器内的第一气体，从第一高频电力的第一射频它被提供。 在每个第二步骤中，第一高频电力从紧接在前的第一步骤起依次从第一高频电源供应。 在每个第二级的，气体从输送到气体供给系统中的第一气体切换第二气体切换信号。 此外，当气体切换信号超过系统气体进料后的授权时，参数例如负载阻抗阈值时，第二高频的第二高频电源的供给被公开。

    플라즈마 처리 장치
    10.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020150041752A

    公开(公告)日：2015-04-17

    申请号：KR1020140135833

    申请日：2014-10-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 다이헨

    Inventor： 나가미코이치 ,  이타다니코지 ,  코모다츠요시

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/52 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183

    Abstract: 처리용기로공급되는 2 종류의고주파의파워를주파수가상이한펄스로동시에변조할경우에, 쌍방의정합기가어느쪽도안정적이고또한정확한정합동작을행할수 있도록한다. 이플라즈마처리장치에서는, 플라즈마생성용고주파(RF) 및이온인입용고주파(RF)의파워에주파수가상이한제 1 및제 2 펄스(PS, PS)로변조를걸 경우, 플라즈마생성계의정합기(40)에서, 임피던스센서(96A)가, 주파수가낮은쪽의제 2 펄스(PS)의각 사이클마다고주파급전라인(43) 상에서부하임피던스의평균값(일차이동평균값(ma))을연산하고, 그부하임피던스의평균값에기초하여부하임피던스측정값을출력한다. 그리고, 부하임피던스측정값이정합포인트(50Ω)에일치또는근사하도록, 매칭컨트롤러(94A)가정합회로(88A) 내의리액턴스소자(X, X)의리액턴스를가변으로제어한다.

    Abstract translation: 如果提供给处理容器的两种类型的高频功率由具有不同频率的脉冲同时改变，则两个匹配器执行稳定和精确的匹配运动。 根据等离子体装置，阻抗传感器（96A）对于具有低频率的第二脉冲（PS2）的每个周期计算高频馈电线路（43）上的负载阻抗的平均值（主移动平均值（ma）） 如果用于产生等离子体（RF1）的高频功率和用于插入离子（RF2）的高频率的功率是等离子体发生器的匹配器（40）中的频率，并输出基于负载阻抗的平均值的负载阻抗测量值 改变为具有不同频率的第一和第二脉冲（PS1，PS2）。 此外，匹配控制器（94A）可变地控制匹配电路（88A）中的电抗装置（XH1，XH2）的电抗，使得负载阻抗测量值与匹配点（50Ω）匹配或接合。

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