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公开(公告)号：KR102038617B1
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：KR1020147015208
申请日：2012-12-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
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公开(公告)号：KR102033120B1
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：KR1020197018052
申请日：2012-12-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시키가이샤 다이헨
IPC: H01J37/32
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102038642B1
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：KR1020147017715
申请日：2012-12-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시키가이샤 다이헨
IPC: H01L21/3065 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
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公开(公告)号：KR1020140105467A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020147016015
申请日：2012-12-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시키가이샤 다이헨
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J2237/24495 , H01J2237/24564 , H01J2237/334 , H05H1/46 , H05H2001/4682
Abstract: 처리 용기 내로 공급되는 고주파의 파워를 펄스로 변조하는 파워 변조 방식에서 재현성이 높은 안정적이고 정확한 정합 동작을 행한다. 플라즈마 처리 장치에서, 정합기에 구비되는 임피던스 센서(96A)는, 전압 센서계의 RF 전압 검출기(100A) 및 전류 센서계의 RF 전류 검출기(108A)로부터 얻어지는 RF 전압 측정값 및 RF 전류 측정값에 대하여 샘플링 평균값 연산 회로(104A, 112A) 및 이동 평균값 연산 회로(106A, 114A)에 의해 이중의 샘플링 평균화 처리를 가함으로써, 임피던스 센서(96A)로부터 출력되는 부하측 임피던스 측정값의 갱신의 속도와 매칭 컨트롤러에서의 모터의 구동 제어의 속도를 능숙하게 조화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101993880B1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：KR1020147016015
申请日：2012-12-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시키가이샤 다이헨
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
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公开(公告)号：KR1020140114816A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020147017715
申请日：2012-12-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시키가이샤 다이헨
IPC: H01L21/3065 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32155 , C23C16/5096 , C23C16/515 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H05H2001/4682
Abstract: 스위칭 방식의 고주파 전원에 파워 변조를 가할 시 고주파 급전 라인 상에서 RF 파워 트레일링 현상이 발생하는 것을 간편하고 확실하게 방지한다. 이 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치는, 진공 챔버(10) 내에 서셉터(하부 전극)(16)와 샤워 헤드를 겸하는 상부 전극(46)을 대향시켜 배치하고 있다. 서셉터(16)에는, 제 1 및 제 2 고주파 전원(36, 38)이 각각 정합기(40, 42)를 개재하여 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 고주파 전원(36)은 리니어 앰프 방식의 고주파 전원으로이루어지고, 플라즈마 생성용의 제 1 고주파(RF1)를 출력한다. 제 2 고주파 전원(38)은 스위칭 방식의 고주파 전원으로 이루어지고, 이온 인입용의 제 2 고주파(RF2)를 출력한다. 제 2 고주파 전원(38)측의 고주파 급전 라인(43)에는 잔류 고주파 제거부(74)가 접속되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020140105455A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020147015208
申请日：2012-12-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32091 , H01J37/32146
Abstract: 플라즈마 생성에 이용하는 고주파의 파워를 펄스 형상으로 변조하는 파워 변조 방식에서 플라즈마를 확실히 착화하여, 플라즈마 프로세스를 소정의 프로세스 조건으로 안정적으로 확실히 개시할 수 있도록 한다. 본 발명의 듀티비 제어법은, 파워 변조가 가해지는 고주파(RF1)의 듀티비를, 프로세스 개시 시점(t
0 )에서는, 실용상의 임의의 파워 변조 조건 하에서 플라즈마를 확실히 착화할 수 있는 초기값(90%)을 이용한다. 그리고, 프로세스의 개시와 동시에 고주파(RF1)의 듀티비를 초기값(90%)으로부터 일정한 음의 구배 또는 램프 파형으로 점차적으로 낮추고, 소정 시간(T
d (T
d > T
a ))을 경과한 시점(t
2 )에서 당해 에칭 프로세스용의 본래의 설정값(D
S )까지 낮춘다. 시점(t
2 ) 이후는, 프로세스의 종료 시(시점(t
4 ))까지 듀티비를 설정값(D
S )으로 고정 또는 유지한다.
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