公开(公告)号：KR100549175B1

公开(公告)日：2006-02-03

申请号：KR1020047008790

申请日：2002-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키카즈야 ,  미무라다카노리 ,  미야지마히로키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083

Abstract: 반도체 웨이퍼 등의 피 에칭체(212)의 표면에 밀리미터 오더의 개구 치수(R)를 갖는 오목부(220)를 형성하기 위한 에칭 방법이다. 이 방법에서는 우선 피 에칭체(212)의 표면에, 오목부(220)에 대응한 개구부분을 갖는 마스크(214)를 형성한다. 다음에, 마스크(214)가 형성된 피 에칭체(212)를 플라즈마 에칭용 처리용기내에 배치하고, 처리용기내에서 플라즈마을 이용하여 에칭한다. 본 발명에서는 마스크(214)의 재료로서, 피 에칭체(212)와 동일한 재료, 예컨대 실리콘(Si)을 사용한다. 이것에 의해서, 상기한 바와 같은 오목부(220)를 실질적으로 바닥면(222)에 서브 트렌치 형상(주연부가 중앙부보다 깊게 에칭된 형상)이 발생하지 않도록 형성할 수 있다.

Abstract translation: 用于形成具有经蚀刻的构件212，在皮肤表面上的毫米量级的开口尺寸（R）的凹部220，如半导体晶片的蚀刻方法。 在被蚀刻的构件212的第一表面上的血液中，该方法以形成掩模214具有对应于凹部220的开口部。 接着，掩模214形成为经蚀刻的构件212放入处理容器的等离子体蚀刻，并在处理容器使用peulrajeumaeul的蚀刻。 在本发明中，使用相同的材​​料和蚀刻构件212，硅（Si）作为掩模214的材料。 因此，凹部220以基本上与底部表面222到子沟槽形状（形状蚀刻比中央部周边更深）如上所述可以被形成为不发生。

公开(公告)号：KR102147200B1

公开(公告)日：2020-08-24

申请号：KR1020140006798

申请日：2014-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  이토에츠지 ,  요코타아키히로 ,  쿠사노슈 ,  이시즈카히로아키 ,  나가세키카즈야

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：KR1020140094461A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：KR1020140006798

申请日：2014-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  이토에츠지 ,  요코타아키히로 ,  쿠사노슈 ,  이시즈카히로아키 ,  나가세키카즈야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31138

Abstract: Provided is a method of etching a multilayer film including an organic film formed between first and second oxide films. In this method, a high frequency power for generating plasma in etching the organic film is greater than those in etching the first and second oxide films. High frequency bias powers for ion implantation in the etching of the first and second oxide films are greater than that in the etching of the organic film. In the etching of the first and second oxide films and the organic film, a magnetic field is generated such that horizontal magnetic field components in a radial direction with respect to a central axis line of a target object have an intensity distribution having a peak value at a position far from the central axis line, and a position of the peak value in the etching of the organic film is closer to the central axis line than those of the horizontal magnetic field components of the first and second oxide films.

Abstract translation: 提供了一种蚀刻包括在第一和第二氧化物膜之间形成的有机膜的多层膜的方法。 在该方法中，蚀刻有机膜时产生等离子体的高频功率大于蚀刻第一和第二氧化物膜时的高频电力。 在第一和第二氧化物膜的蚀刻中用于离子注入的高频偏置功率大于蚀刻有机膜时的高频偏置功率。 在第一和第二氧化物膜和有机膜的蚀刻中，产生磁场，使得相对于目标物体的中心轴线的径向的水平磁场分量具有峰值在 远离中心轴线的位置，并且有机膜的蚀刻中的峰值位置比第一和第二氧化物膜的水平磁场分量更靠近中心轴线。

公开(公告)号：KR1020050044741A

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：KR1020047008790

申请日：2002-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키카즈야 ,  미무라다카노리 ,  미야지마히로키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083

Abstract: An etching method for forming a recess (220) having an opening dimension (R) of millimeter order in an object (212) to be etched such as a semiconductor wafer. A mask (214) having an opening corresponding to the recess (220) is formed on the object (212). The object (212) with the mask (214) is placed in a processing vessel for plasma etching and etched in it using a plasma. The material of the portion around the opening of the mask (214) is the same as the material, for example, silicon of the object (212). Hence, the recess (220) can be so formed as not to form a sub-trench shape (a shape formed by etching the periphery of which is deeper than the center) substantially in the bottom (222).

Abstract translation: 一种蚀刻方法，用于在被蚀刻的物体（212）中形成具有毫米级的开口尺寸（R）的凹部（220），例如半导体晶片。 在物体（212）上形成具有对应于凹部（220）的开口的面罩（214）。 具有掩模（214）的物体（212）被放置在用于等离子体蚀刻的处理容器中，并使用等离子体蚀刻在其中。 掩模（214）的开口周围部分的材料与物体（212）的材料（例如硅）相同。 因此，凹部（220）可以形成为不形成基本上在底部（222）中形成副沟槽形状（通过蚀刻其周边比中心更深的形状形成的形状）。