公开(公告)号：KR1020170042489A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：KR1020160129760

申请日：2016-10-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코타아키히로 ,  히모리신지 ,  오시타다츠로 ,  구사노슈 ,  이토에츠지 ,  나가세키가즈야

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32669 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069

Abstract: [과제] 본발명은직경방향의막의에칭률의분포의제어성을높이는것을목적으로한다. [해결수단] 일실시형태에따른플라즈마에칭방법에서는, 용량결합형플라즈마처리장치의배치대상에배치된피처리체의단일의막에대한플라즈마에칭을위해서, 처리가스의플라즈마가생성된다. 상기플라즈마가생성되고있는기간에있어서, 중심축선에대해직경방향에있어서의단일의막의에칭률의분포를변화시키도록, 플라즈마처리장치의상부전극위의복수의전자석의코일에공급되는전류가제어된다.

Abstract translation: 本发明的目的在于改善膜的蚀刻速率沿径向分布的可控性。 解决问题的手段在根据一个实施方式的等离子体蚀刻方法中，产生处理气体的等离子体，用于等离子体蚀刻放置在电容耦合等离子体处理设备的物体中的待处理物体的单个膜。 向等离子体处理装置的上部电极上的多个电磁铁的线圈供给的电流被控制为，在产生等离子体的期间内，改变单一膜相对于中心轴的半径方向的蚀刻速度的分布 是的。

公开(公告)号：KR1020140094461A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：KR1020140006798

申请日：2014-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  이토에츠지 ,  요코타아키히로 ,  쿠사노슈 ,  이시즈카히로아키 ,  나가세키카즈야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31138

Abstract: Provided is a method of etching a multilayer film including an organic film formed between first and second oxide films. In this method, a high frequency power for generating plasma in etching the organic film is greater than those in etching the first and second oxide films. High frequency bias powers for ion implantation in the etching of the first and second oxide films are greater than that in the etching of the organic film. In the etching of the first and second oxide films and the organic film, a magnetic field is generated such that horizontal magnetic field components in a radial direction with respect to a central axis line of a target object have an intensity distribution having a peak value at a position far from the central axis line, and a position of the peak value in the etching of the organic film is closer to the central axis line than those of the horizontal magnetic field components of the first and second oxide films.

Abstract translation: 提供了一种蚀刻包括在第一和第二氧化物膜之间形成的有机膜的多层膜的方法。 在该方法中，蚀刻有机膜时产生等离子体的高频功率大于蚀刻第一和第二氧化物膜时的高频电力。 在第一和第二氧化物膜的蚀刻中用于离子注入的高频偏置功率大于蚀刻有机膜时的高频偏置功率。 在第一和第二氧化物膜和有机膜的蚀刻中，产生磁场，使得相对于目标物体的中心轴线的径向的水平磁场分量具有峰值在 远离中心轴线的位置，并且有机膜的蚀刻中的峰值位置比第一和第二氧化物膜的水平磁场分量更靠近中心轴线。

公开(公告)号：KR102148005B1

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：KR1020197025510

申请日：2013-01-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코타아키히로 ,  이토에츠지 ,  히모리신지

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768

公开(公告)号：KR102147200B1

公开(公告)日：2020-08-24

申请号：KR1020140006798

申请日：2014-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  이토에츠지 ,  요코타아키히로 ,  쿠사노슈 ,  이시즈카히로아키 ,  나가세키카즈야

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：KR102049117B1

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：KR1020130015821

申请日：2013-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키가즈야 ,  이토에츠지 ,  요코타아키히로 ,  히모리신지 ,  마츠야마쇼이치로

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：KR1020140114821A

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020147018433

申请日：2013-01-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코타아키히로 ,  이토에츠지 ,  히모리신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76898

Abstract: 처리 공간의 플라즈마 밀도의 분포를 용이하게 변경할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 고주파 전력이 공급되는 서셉터(12)와, 이 서셉터(12)와 대향하여 배치되는 상부 전극(13)과의 사이의 처리 공간(S)에서 전계(E)를 발생시키고, 이 전계(E)에 기인하여 발생하는 플라즈마를 이용하여 서셉터(12)에 재치된 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치(10)에서는, 상부 전극(13)에서 처리 공간(S)과는 반대측의 상면(13a)에 복수의 전자석(20)이 배치되고, 각 전자석(20)은 웨이퍼(W)의 중심에 대향하는 상부 전극(13)의 중심(C)에 관하여 방사 형상으로 배치된다.

公开(公告)号：KR1020130093566A

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：KR1020130015821

申请日：2013-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키가즈야 ,  이토에츠지 ,  요코타아키히로 ,  히모리신지 ,  마츠야마쇼이치로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452 ,  H01L21/32136

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to simultaneously prevent charges from being accumulated on a gate electrode and to suppress the quantity of charges passing through a gate oxide layer. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus generates an electric field in a processing space between a top electrode and a bottom electrode. The frequency of high frequency power supplied to the bottom electrode is 60 MHz or greater. The substrate processing apparatus processes a substrate mounted on the bottom electrode by using plasma generated by the electric field. The substrate processing apparatus controls the distribution of plasma density by a magnetic field generated by controlling a plurality of electromagnets. The electromagnets are formed on the upper side of a surface which is opposite to the processing space. [Reference numerals] (AA) Ne distribution; (BB) Vdc distribution

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，以同时防止电荷积聚在栅电极上并抑制通过栅极氧化物层的电荷量。 构成：基板处理装置在顶部电极和底部电极之间的处理空间中产生电场。 提供给底部电极的高频功率的频率为60MHz或更大。 基板处理装置通过使用由电场产生的等离子体来处理安装在底部电极上的基板。 基板处理装置通过控制多个电磁体产生的磁场来控制等离子体密度的分布。 电磁体形成在与处理空间相对的表面的上侧。 （AA）Ne分布; （BB）Vdc分布