도포막 제거 장치, 도포막 제거 방법 및 기억 매체
    1.
    发明公开
    도포막 제거 장치, 도포막 제거 방법 및 기억 매체 审中-实审
    涂膜去除装置,涂膜去除方法和存储介质

    公开(公告)号:KR1020170055425A

    公开(公告)日:2017-05-19

    申请号:KR1020160147873

    申请日:2016-11-08

    Abstract: 기판인웨이퍼표면에형성된도포막의주연부를제거액에의해제거함에있어서, 도포막단부의형상결함의발생을억제한다. 스핀척(11)에의해회전하는웨이퍼(W)의주연부에, 제거액노즐(3)로부터제거액을토출함과함께, 웨이퍼표면의제거액의공급영역에, 기류형성부(5)에의해, 웨이퍼표면에평행하며또한웨이퍼(W)의중앙측으로부터외측을향하는띠 형상의기류를형성한다. 이기류와회전의원심력에의해, 웨이퍼표면의제거액의액류가외측으로가압되기때문에, 웨이퍼(W)에도달했을때의제거액의막 두께가저감한다. 도포막단부(13)의형상결함의일례인도포막단부(13)의융기(험프)는, 제거액노즐(3)로부터토출된제거액이웨이퍼(W)에도달했을때의큰 막두께에의한표면장력이원인이기때문에, 제거액의액류가외측으로가압됨으로써험프의발생이억제되고, 형상결함의발생이억제된다.

    Abstract translation: 在通过除去液除去作为基板的晶片表面上形成的涂膜的周边部分时,抑制了涂膜的形状缺陷的发生。 重要的是要在义州边缘晶片(W),具有晶片表面的去除剂的供给区域必须从去除器喷嘴3排出去除剂,形成单元流(5),其由旋转卡盘11中,在晶片表面旋转 并且还形成从晶片W的中心侧朝向外部的带状气流。 由于旋转流的离心力和旋转,晶片表面上待除去的液体的液体流动被向外挤压,所以当到达晶片W时待除去的液体的膜厚减小。 涂膜端部13的形状不良的一个例子是当从去除液喷嘴3排出的去除液到达晶片W时由于大膜厚引起的表面张力 由于该原因,被除去的液体的液体流动被向外挤压,由此抑制了隆起的发生并且抑制了形状缺陷的发生。

Patent Agency Ranking