公开(公告)号：KR1020170055425A

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020160147873

申请日：2016-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  고다마데루히코 ,  하시모토다카후미 ,  나가카네다쿠 ,  에노모토마사시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/324

Abstract: 기판인웨이퍼표면에형성된도포막의주연부를제거액에의해제거함에있어서, 도포막단부의형상결함의발생을억제한다. 스핀척(11)에의해회전하는웨이퍼(W)의주연부에, 제거액노즐(3)로부터제거액을토출함과함께, 웨이퍼표면의제거액의공급영역에, 기류형성부(5)에의해, 웨이퍼표면에평행하며또한웨이퍼(W)의중앙측으로부터외측을향하는띠 형상의기류를형성한다. 이기류와회전의원심력에의해, 웨이퍼표면의제거액의액류가외측으로가압되기때문에, 웨이퍼(W)에도달했을때의제거액의막 두께가저감한다. 도포막단부(13)의형상결함의일례인도포막단부(13)의융기(험프)는, 제거액노즐(3)로부터토출된제거액이웨이퍼(W)에도달했을때의큰 막두께에의한표면장력이원인이기때문에, 제거액의액류가외측으로가압됨으로써험프의발생이억제되고, 형상결함의발생이억제된다.

Abstract translation: 在通过除去液除去作为基板的晶片表面上形成的涂膜的周边部分时，抑制了涂膜的形状缺陷的发生。 重要的是要在义州边缘晶片（W），具有晶片表面的去除剂的供给区域必须从去除器喷嘴3排出去除剂，形成单元流（5），其由旋转卡盘11中，在晶片表面旋转 并且还形成从晶片W的中心侧朝向外部的带状气流。 由于旋转流的离心力和旋转，晶片表面上待除去的液体的液体流动被向外挤压，所以当到达晶片W时待除去的液体的膜厚减小。 涂膜端部13的形状不良的一个例子是当从去除液喷嘴3排出的去除液到达晶片W时由于大膜厚引起的表面张力 由于该原因，被除去的液体的液体流动被向外挤压，由此抑制了隆起的发生并且抑制了形状缺陷的发生。

公开(公告)号：KR1020160088225A

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：KR1020150176978

申请日：2015-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토다카후미 ,  하타케야마신이치 ,  시바타나오키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: G03F7/16

Abstract: 기판에대한처리액의도포상태의균일성을높일수 있는액 처리방법, 액처리장치및 액처리용기록매체를제공한다. 도포유닛 U1은, 웨이퍼(W)를회전시키는회전보유지지부(20)와, 웨이퍼(W)의표면(Wa) 상에처리액(R)을공급하는노즐(32)과, 웨이퍼(W)에대한노즐(32)의위치를제어하는제어부(60)를구비한다. 액처리방법은, 웨이퍼(W)를제1 회전수ω1로회전시키면서, 웨이퍼(W)의회전중심 CL1로부터편심된위치에서웨이퍼(W)의표면(Wa)에처리액(R)의공급을개시하고, 처리액(R)의공급위치를회전중심 CL1측으로이동시키는것, 처리액(R)의공급위치가회전중심 CL1에도달한후, 제1 회전수ω1보다도큰 제2 회전수ω2로웨이퍼(W)를회전시킴으로써, 처리액(R)을웨이퍼(W)의외주측에도포확산하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供液体处理方法，液体处理装置和用于液体处理的记录介质，其可以提高处理液体在基板上的涂布状态的均匀性。 涂布单元U1包括旋转保持器（20），其构造成使晶片（W）旋转;喷嘴（32），其构造成将处理液体（R）提供给晶片（W）的表面（Wa）;以及控制器 被配置为控制喷嘴（32）相对于晶片（W）的位置。 液体处理方法包括：在离开晶片（W）的旋转中心CL1的偏心位置处开始向晶片（W）的表面（Wa）供应处理液体（R），并将位置移动 在以第一旋转速度ω1旋转晶片（W）的同时向处于中心CL1供给处理液体（R）的晶片（W） 在供给处理液（R）的晶片（W）上的位置到达旋转中心CL1之后，以比第一旋转速度ω1高的第二旋转速度ω2旋转晶片（W），从而允许 处理液体（R）朝向晶片（W）的外周扩散。

公开(公告)号：KR1020160071330A

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：KR1020150174905

申请日：2015-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토다카후미 ,  하타케야마신이치 ,  시바타나오키 ,  요시하라고오스케 ,  구보타미노루 ,  이데히로유키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  G03F7/00 ,  G03F7/16

CPC classification number: G05B15/02 ,  B05D1/005 ,  B05D3/042 ,  B05D3/0466 ,  B05D3/104 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

Abstract: 기판상에도포액을도포할때에, 도포액의공급량을소량으로억제하면서, 기판면내에서균일하게도포액을도포한다. 웨이퍼상에도포액을도포하는방법이며, 웨이퍼상에도포액의용제를공급하여, 상기웨이퍼의외주부에용제의액막을환 형상으로형성하고, 웨이퍼를제1 회전속도로회전시키면서도포액을웨이퍼의중심부에공급하고(시간 t∼t), 웨이퍼를제1 회전속도보다도빠른제2 회전속도로회전시켜도포액을기판상에확산시킨다(시간 t∼t). 용제의공급은, 도포액이용제의액막에접촉하기전까지계속해서행해진다(시간 t∼t).

Abstract translation: 本发明通过涂布液均匀地涂布基板的表面，同时在涂布液体的同时抑制涂布液的供给量少。 本发明涉及用涂布液涂覆晶片的表面的方法。 该方法通过将涂布液的原料供给到晶片，以环状形成在晶片的外周部分上的原料的液膜; 在第一旋转速度（时间t_1〜t_2）旋转晶片的同时将涂布液供给到晶片的中心部分; 并以比第一转速（时刻t_4〜t_5）更快的第二转速转动晶片，将涂布液涂布在基板的表面。 连续进行原料的供给，直到涂布液与液膜接触（时刻t_0〜t_3）。