公开(公告)号：KR1020160039547A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：KR1020150136659

申请日：2015-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이아키코 ,  니와다카후미 ,  다카하시소고 ,  니시하타히로시 ,  데라시타유이치 ,  고다마데루히코

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68742

Abstract: 기판을회전시키면서기판의표면전체에대하여처리액에의해액 처리를행하는데 있어서, 기판의회전수를높게하여도처리액의액 튐을억제할수 있고, 이에의해기판의주연부에대하여양호한액 처리를행할수 있는액 처리방법등을제공한다. 기판(W)을회전가능한기판유지부(11)에수평으로유지하며, 처리액에의해액 처리를행하는데 있어서, 적어도기판(W)의주연부보다중심측의부위에대하여처리액에의해액 처리를행한후, 기판(W)을회전시키면서, 처리액노즐(32)의토출구(321)를회전방향의하류측을향하여, 기판(W)의표면에대하여비스듬하게또한기판(W)의접선방향을따라처리액을기판(W)의주연부에토출한다. 상기처리액의토출을행하면서, 상기처리액의착액(着液) 위치로부터기판(W)의중심부를향하여인접하는위치를향하여가스노즐(31)로부터가스를수직으로토출한다.

Abstract translation: 提供一种液体处理方法，其中当在基板旋转时使用处理液在基板的整个表面上进行液体处理时，即使当基板的旋转速度增加时也可以抑制处理液体的飞溅 ，因此可以进行对基板的周边部分的期望的液体处理。 液体处理方法包括：在基板保持单元（11）上设置基板（W），基板保持单元（11）使基板（W）旋转，使得基板（W）保持在水平位置，将处理液体供应到基板的中心部分 使得相对于基板的周边部位于中心侧的中心部分被液体处理，将处理液喷嘴（32）的排出口（321）朝向旋转方向的下游侧定位，使得 液体在基板旋转的同时沿着基板（W）的切线方向倾斜地向基板（W）的表面排出到周边部分，并且从气体喷嘴（31）垂直于 基板朝向与基板的表面上的液体的液着色位置相邻的位置，并且在液体被排出到周边部分的同时位于基板的中心侧。

公开(公告)号：KR1020170137625A

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：KR1020170062714

申请日：2017-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고다마데루히코 ,  가미토모신고

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 표면의주연을따라베벨부가형성된원형의기판의당해베벨부를포함하는환상영역에처리액을공급하여처리를행하는데 있어서, 당해환상영역의폭을고정밀도로제어한다. 원형의기판(웨이퍼(W))에대해, 상기베벨부(B)의형상의정보를취득하는공정과, 계속해서, 상기처리액(시너(30))을상기기판의표면에국소적으로토출하는처리액토출노즐(44)을, 취득된상기베벨부(B)의형상의정보에기초하여결정되는처리위치로이동시키는공정과, 그러한후, 상기처리위치에있어서의처리액토출노즐로부터회전하는상기기판에상기처리액을토출하고, 상기베벨부를포함하는당해기판의주연을따른환상영역에상기처리액을공급하는공정을실시한다.

Abstract translation: 通过将处理液供应到包括具有沿着表面的周边形成的斜面部分的圆形基板的斜面部分的环形区域，在处理中高精度地控制环形区域的宽度。 获得关于斜面部分B相对于圆形基板（晶片W）的形状的信息的步骤以及将处理液体（稀释剂30）局部地排放到基板表面上的步骤 将处理液排出喷嘴44移动到基于所获得的斜面部分B的形状信息确定的处理位置和使处理液排出喷嘴44从处理液排出喷嘴移动的步骤 将处理液排出到基板上并将处理液供给到沿着包括斜面部的基板的周边的环状区域的工序。

公开(公告)号：KR1020170055425A

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020160147873

申请日：2016-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  고다마데루히코 ,  하시모토다카후미 ,  나가카네다쿠 ,  에노모토마사시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/324

Abstract: 기판인웨이퍼표면에형성된도포막의주연부를제거액에의해제거함에있어서, 도포막단부의형상결함의발생을억제한다. 스핀척(11)에의해회전하는웨이퍼(W)의주연부에, 제거액노즐(3)로부터제거액을토출함과함께, 웨이퍼표면의제거액의공급영역에, 기류형성부(5)에의해, 웨이퍼표면에평행하며또한웨이퍼(W)의중앙측으로부터외측을향하는띠 형상의기류를형성한다. 이기류와회전의원심력에의해, 웨이퍼표면의제거액의액류가외측으로가압되기때문에, 웨이퍼(W)에도달했을때의제거액의막 두께가저감한다. 도포막단부(13)의형상결함의일례인도포막단부(13)의융기(험프)는, 제거액노즐(3)로부터토출된제거액이웨이퍼(W)에도달했을때의큰 막두께에의한표면장력이원인이기때문에, 제거액의액류가외측으로가압됨으로써험프의발생이억제되고, 형상결함의발생이억제된다.

Abstract translation: 在通过除去液除去作为基板的晶片表面上形成的涂膜的周边部分时，抑制了涂膜的形状缺陷的发生。 重要的是要在义州边缘晶片（W），具有晶片表面的去除剂的供给区域必须从去除器喷嘴3排出去除剂，形成单元流（5），其由旋转卡盘11中，在晶片表面旋转 并且还形成从晶片W的中心侧朝向外部的带状气流。 由于旋转流的离心力和旋转，晶片表面上待除去的液体的液体流动被向外挤压，所以当到达晶片W时待除去的液体的膜厚减小。 涂膜端部13的形状不良的一个例子是当从去除液喷嘴3排出的去除液到达晶片W时由于大膜厚引起的表面张力 由于该原因，被除去的液体的液体流动被向外挤压，由此抑制了隆起的发生并且抑制了形状缺陷的发生。