公开(公告)号：KR101178663B1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：KR1020077005723

申请日：2005-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코 ,  루진크게릿제이 ,  맥필리펜튼알 ,  제미슨폴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/517

Abstract: 본 발명은 산소-함유 분위기로의 후속 노출 동안 하지 금속층의 특성 및 모폴로지를 보존하는 패시배이팅된 금속층을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 방법은 프로세스 챔버(1)에 기판(50, 302, 403, 510)을 설치하는 단계, 화학적 기상 증착 프로세스로 상기 기판(50, 302, 403, 510) 상에 레늄 금속층(304, 408, 508)을 적층하기 위하여, 상기 기판(50, 302, 403, 510)을 레늄-카르보닐 전구체를 포함하는 프로세스 가스에 노출시키는 단계; 및 상기 레늄 금속 표면 상의 레늄-함유 노듈들(306)의 산소 유발된 성장을 금지하기 위하여, 상기 레늄 금속층(304, 408, 580) 상에 패시배이션층(414, 590)을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101234492B1

公开(公告)日：2013-02-18

申请号：KR1020067015601

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  와즈다코리 ,  모스카엔리코 ,  루싱크거트 ,  멕펠리펜톤알 ,  가와노유미코 ,  말호트라산드라지

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/16

Abstract: 본 발명은 프로세스 챔버(10) 내의 세라믹 기판 히터(20, 600, 700) 상에서 기판(26, 620, 720)을 처리하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 프로세스 챔버(10) 내의 세라믹 기판 히터(20, 600, 700) 상에 보호 코팅(730, 790)을 형성하는 단계와, 코팅된 세라믹 기판 히터 상에서 기판(25, 620, 720)을 처리하는 단계를 포함한다. 상기 처리 단계는 처리할 기판(25, 620, 720)을 코팅된 세라믹 기판 히터 상에 제공하는 단계와, 프로세스 가스에 기판(25, 620, 720)을 노출시킴으로써 기판(25, 620, 720) 상에서 처리를 행하는 단계와, 처리된 기판을 프로세스 챔버(10)로부터 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR100697512B1

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020057009559

申请日：2003-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  마츠자와고우메이 ,  마츠다츠카사 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

Abstract: 본 발명은 기판 처리 용기내의 부재의 손상을 저감한 기판 처리 장치의 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 기판 처리 용기를 클리닝하는 클리닝 방법은 기판 처리 장치에 설치된 리모트 플라즈마 발생부에 가스를 도입하는 가스 도입 단계와, 리모트 플라즈마 발생부에 의해 가스를 여기하여 반응종을 생성하는 반응종 생성 단계와, 반응종을 상기 리모트 플라즈마 발생부로부터 처리 용기에 공급하는 동시에, 처리 용기내의 압력을 1333㎩ 이상의 상태로 하는 반응 단계로 구성된다.

公开(公告)号：KR1020080039514A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020087007208

申请日：2006-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4405

Abstract: This invention provides a method for treating a substrate by a film forming apparatus comprising a holding table with heating means for holding a substrate to be treated and a treatment container having the holding table in its interior. The method is characterized by comprising a film formation step of feeding a film forming gas into the treatment container to form a film on the substrate, a cleaning step of feeding a cleaning gas excited by plasma into the treatment container after the film formation step to clean the inside of the treatment container, and a coating step of forming a coating within the treatment container after the cleaning step, the cleaning step comprising a high pressure step of regulating the pressure within the treatment container so that cleaning with molecules of plasma excited recombined radicals contained in the cleaning gas is dominative, the coating step comprising a low-temperature film formation step of forming the coating film at a holding table temperature below the temperature at which the film formation on the substrate in the film formation step is carried out.

Abstract translation: 本发明提供一种通过成膜装置处理基板的方法，该成膜装置包括具有用于保持待处理基板的加热装置的保持台和在其内部具有保持台的处理容器。 该方法的特征在于包括将成膜气体供给到处理容器中以在基板上形成膜的成膜步骤，在成膜步骤之后将清除气体供给到处理容器中的清洗步骤 处理容器的内部以及在清洁步骤之后在处理容器内形成涂层的涂布步骤，所述清洁步骤包括调节处理容器内的压力的高压步骤，以便用等离子体激发的重组基团的分子 包含在清洁气体中的涂布步骤是主要的，所述涂布步骤包括在保持台温度以下的低温成膜步骤，所述保持台温度低于在成膜步骤中在基材上形成膜的温度。

公开(公告)号：KR1020070058497A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020077005723

申请日：2005-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코 ,  루진크게릿제이 ,  맥필리펜튼알 ,  제미슨폴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/517

Abstract: A method for forming a passivated metal layer that preserves the properties and morphology of an underlying metal layer during subsequent exposure to oxygen-containing ambients. The method includes providing a substrate (50, 302, 403, 510) in a process chamber (1), exposing the substrate (50, 302, 403, 510) to a process gas containing a rhenium-carbonyl precursor to deposit a rhenium metal layer (304, 408, 508) on the substrate (50, 302, 403, 510) in a chemical vapor deposition process, and forming a passivation layer (414, 590) on the rhenium metal layer (304, 408, 580) to thereby inhibit oxygen-induced growth of rhenium-containing nodules (306) on the rhenium metal surface.

Abstract translation: 用于形成钝化金属层的方法，其在随后暴露于含氧环境期间保持下面的金属层的性质和形态。 该方法包括在处理室（1）中提供衬底（50,302,403,510），将衬底（50,302,403,510）暴露于含有铼 - 羰基前体的工艺气体中以沉积铼金属 在化学气相沉积工艺中在衬底（50,302,403,510）上形成钝化层（304,408,508），以及在铼金属层（304,408,580）上形成钝化层（414,590）至 从而抑制铼金属表面上含铼结核（306）的氧诱导生长。

公开(公告)号：KR1020070026378A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020067015601

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  와즈다코리 ,  모스카엔리코 ,  루싱크거트 ,  멕펠리펜톤알 ,  가와노유미코 ,  말호트라산드라지

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/16

Abstract: A method for processing a substrate (25, 620, 720) on a ceramic substrate heater (20, 600, 700) in a process chamber (10). The method includes forming a protective coating (730, 790) on the ceramic substrate heater (20, 600, 700) in the process chamber (10) and processing a substrate (25, 620, 720) on the coated substrate heater. The processing can include providing a substrate (25, 620, 720) to be processed on the coated ceramic substrate heater, performing a process on the substrate (25, 620, 720) by exposing the substrate (25, 620, 720) to a process gas, and removing the processed substrate from the process chamber (10). ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种用于在处理室（10）中的陶瓷衬底加热器（20,600,700）上处理衬底（25,620,720）的方法。 该方法包括在处理室（10）中的陶瓷衬底加热器（20,600,700）上形成保护涂层（730,790）并且处理涂覆的衬底加热器上的衬底（25,620,720）。 该处理可以包括提供在被涂覆的陶瓷基板加热器上待处理的基板（25,620,720），通过将基板（25,620,720）暴露于基板（25,620,720）到基板 处理气体，以及从所述处理室（10）去除所述经处理的基板。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR101012959B1

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：KR1020087007208

申请日：2006-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4405

Abstract: 피처리 기판을 유지하고 가열수단을 갖는 유지대와, 상기 유지대를 내부에 구비한 처리용기를 갖는 성막장치에 의한 기판 처리 방법으로서, 상기 처리용기에 성막가스를 공급하여 상기 피처리 기판에 성막을 실행하는 성막 공정과, 상기 성막 공정 후에, 플라즈마 여기된 클리닝가스를 상기 처리용기에 공급하여 상기 처리용기 내의 클리닝을 하는 클리닝 공정과, 상기 클리닝 공정 후에 상기 처리용기 내에 코팅 성막을 실행하는 코팅 공정을 갖고, 상기 클리닝 공정에서는 플라즈마 여기된 상기 클리닝가스 중의 래디컬이 재결합된 분자에 의한 클리닝이 지배적으로 되도록 상기 처리용기 내의 압력이 제어되는 고압 공정을 포함하고, 상기 코팅 공정에서는 상기 성막 공정의 상기 피처리 기판으로의 성막의 경우보다 상기 유지대의 온도를 내려 상기 코팅 성막이 실행되는 저온 성막 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

公开(公告)号：KR101011867B1

公开(公告)日：2011-01-31

申请号：KR1020087030958

申请日：2007-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C23C16/42 ,  H01L29/49

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517

Abstract: 처리용기내에 기판을 배치하고, 상기 처리용기에 Ta=N 결합을 갖는 유기Ta화합물 가스와, Si함유 가스와, N함유 가스를 도입해서 CVD에 의해 TaSiN막을 성막할 때에, 처리용기내의 Si함유 가스의 분압, 처리용기내의 전체압력, 성막온도 및 N함유 가스의 분압의 적어도 1개를 제어하는 것에 의해 막중 Si농도를 제어한다. 특히, Si함유 가스로서 SiH
4 가스를 이용할 때, 소정의 프로세스 조건하에 있어서 원하는 막중 Si농도가 SiH
4 가스의 분압의 대수의 일차함수로서 표현할 수 있는 것을 이용하여, SiH
4 가스의 분압을 결정한다.

公开(公告)号：KR1020090057944A

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：KR1020087030958

申请日：2007-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C23C16/42 ,  H01L29/49

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517

Abstract: A substrate is disposed in a treating vessel. An organic Ta compound gas having a Ta=N bond, an Si-containing gas, and an N-containing gas are introduced into the treating vessel to form a TaSiN film by CVD. In this film formation, at least one of the partial pressure of the Si-containing gas in the treating vessel, total pressure in the treating vessel, film formation temperature, and partial pressure of the N-containing gas is controlled to thereby regulate the Si concentration in the film. Especially when SiH4 gas is used as the Si-containing gas, the partial SiH4 gas pressure is determined based on the fact that the desired Si concentration in the film under given processing conditions can be expressed as a linear function involving the logarithm of the partial pressure of SiH4 gas.

Abstract translation: 将基板设置在处理容器中。 将具有Ta = N键的有机Ta化合物气体，含Si气体和含N气体引入处理容器中，通过CVD形成TaSiN膜。 在该成膜中，处理容器内的含Si气体的分压，处理容器内的总压，成膜温度，含N气体的分压中的至少一个被控制，从而调节Si 集中在电影里。 特别是当使用SiH 4气体作为含Si气体时，部分SiH 4气体压力基于以下事实来确定：在给定加工条件下膜中期望的Si浓度可以表示为涉及分压对数的线性函数 的SiH4气体。

公开(公告)号：KR100935481B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020077019763

申请日：2006-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 본 발명은, 진공 흡인 가능하게 되어 있는 처리 용기 내에 고융점 금속 유기 원료 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 공정, 및 상기 처리 용기 내에 질소 함유 가스, 실리콘 함유 가스 및 탄소 함유 가스 중 어느 하나 또는 복수로 이루어진 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 공정을 구비하고, 상기 처리 용기 내에 재치된 피처리체의 표면에, 고융점 금속의 질화물, 규화물 및 탄화물 중 어느 하나 또는 복수로 이루어진 금속 화합물막의 박막을 형성하는 성막 방법이다. 제 1 가스 공급 공정과 제 2 가스 공급 공정은 교대로 실시되고, 제 1 가스 공급 공정 중 및 제 2 가스 공급 공정 중에 있어서, 상기 피처리체의 온도가 상기 고융점 금속 유기 원료의 분해 개시 온도 이상의 온도로 유지된다.