公开(公告)号：KR101251133B1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：KR1020077023334

申请日：2006-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠다츠카사

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/28562

Abstract: PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition) 프로세스를 사용해 기판에 필름을 증착하기 위한 방법은 기판을 PEALD 프로세스를 용이하게 하도록 구성된 프로세스 챔버에 배치하는 단계, 프로세스 챔버내에 제1 프로세스 재료를 도입하는 단계, 및 프로세스 챔버내에 제2 프로세스 재료를 도입하는 단계를 포함한다. 기판의 표면에서 제1 프로세스 재료와 제2 프로세스 재료 사이의 환원 반응을 용이하게 하는 플라즈마를 발생시키기 위해, 제2 프로세스 재료의 도입 동안, 전자파 전력을 프로세스 챔버에 커플링하는 단계도 포함된다. 프로세스 챔버의 오염 물질들과 화학적으로 반응하여 프로세스 챔버 컴포넌트들 또는 기판 중 하나 이상으로부터 오염 물질들을 방출하는 반응성 가스가 프로세스 챔버내에 도입된다.
PEALD 프로세스, 플라즈마, 프로세스 챔버, 프로세스 재료, 전자파 전력, 환원 반응 가속, 오염 물질 감소, 원자층 증착

公开(公告)号：KR1020070000436A

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020067014711

申请日：2005-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 이케다타로 ,  마츠다츠카사 ,  맥필리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/16

CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/02 ,  C23C16/16

Abstract: A method and a processing tool are provided for forming a metal layer with improved morphology on a substrate. The method includes pre-treating the substrate by exposing the substrate to excited species in a plasma, exposing the pre-treated substrate to a process gas containing a metal-carbonyl precursor, and forming a metal. layer on the pre-treated substrate surface by a chemical vapor deposition process. The metal-carbonyl precursor can contain W(CO) 6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, or Ru3(CO)12or any combination thereof, and the metal layer can contain W, Ni, Mo, Co, Rh, Re, Cr, or Ru, or any combination thereof, respectively. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 提供了一种用于在衬底上形成具有改善的形态的金属层的方法和加工工具。 该方法包括通过将衬底暴露于等离子体中的激发物质来预处理衬底，将预处理衬底暴露于含有羰基金属前体的工艺气体，并形成金属。 层通过化学气相沉积工艺在预处理的基材表面上。 金属羰基前体可以含有W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co2（CO）8，Rh4（CO）12，Re2（CO）10，Cr（CO） Ru 3（CO）12或其任何组合，并且金属层可以分别含有W，Ni，Mo，Co，Rh，Re，Cr或Ru，或其任何组合。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR101001521B1

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020090077471

申请日：2009-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  마츠다츠카사 ,  이케다교코

IPC: G01N15/06 ,  G01N21/47 ,  H01L21/66

Abstract: 본 발명은, 처리 챔버(48) 내의 대기 또는 가스를 진공 펌프(98)에 의해 배기시킨 분위기를 생성하여, 그 분위기 내에서 웨이퍼 W에 대해 반도체 장치 제조에 관한 처리를 실시하는 처리 장치(40)에 구비되고, 처리 챔버(48)의 배기구(86)와 진공 펌프(98)를 연결하는 배기관(90)에 장착되어, 배기 가스중의 파티클수를 계측하는 파티클 계측 장치 및 그 계측 방법에 관한 것이다.
파티클, 파티클 계측 장치, 파티클 계측 방법, 반도체 처리 장치

公开(公告)号：KR1020070121614A

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：KR1020070118140

申请日：2007-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  마츠다츠카사 ,  이케다교코

IPC: G01N21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G01N1/24 ,  G01N15/06 ,  G01N2015/0693 ,  G01N21/00

Abstract: A particle measuring apparatus and a processing apparatus thereof are provided to improve product quality by detecting conditions of particle generation inside a processing chamber by counting the number of particles generated and discharged from the chamber. A particle measuring apparatus(46) equipped to a processor for discharging air or gas inside a processing chamber(48) through a vacuum pump(98) and processing a material to be processed, comprises: a laser light transmitting unit transmitting a laser to particles, a stopper member arranged to receive the laser transmitted from the laser transmitting unit and a scattered light detection unit detecting scattered light of the particles transmitted by the laser. The scattered light detection unit is arranged to be faced in a detection direction to a portion with high-density of the particles. In addition, the scattered light detection unit is mounted to an exhaust pipe(90) connecting an exhaust hole(86) of the processing member with the vacuum pump, which counts the number of particles in exhaust gas.

Abstract translation: 提供了一种粒子测量装置及其处理装置，通过对从腔室产生和排出的颗粒数进行计数，通过检测处理室内的颗粒产生条件来提高产品质量。 一种装配到处理器中的颗粒测量装置（46），用于通过真空泵（98）排出处理室（48）内的空气或气体并处理待处理的材料，包括：将激光传输到颗粒的激光传输单元 设置成接收从激光发射单元传送的激光的阻挡构件和检测由激光发射的粒子的散射光的散射光检测单元。 散射光检测单元被布置成面向具有高密度颗粒的部分的检测方向。 此外，散射光检测单元安装到将处理构件的排气孔（86）与真空泵连接的排气管（90），真空泵对废气中的颗粒数进行计数。

公开(公告)号：KR1020050087807A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：KR1020057009559

申请日：2003-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  마츠자와고우메이 ,  마츠다츠카사 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a substrate processing chamber which causes less damage to members in the substrate processing chamber is disclosed. The method for cleaning a processing chamber of an apparatus for processing a substrate comprises a gas supply step wherein a gas is supplied into a remote plasma generating unit provided to the substrate processing apparatus, a reacting species formation step wherein a reacting species is formed by exciting the gas in the remote plasma generating unit, and a reaction step wherein the reacting species is supplied into the processing chamber from the remote plasma generating unit while keeping the pressure within the processing chamber at 1333 Pa or higher.

Abstract translation: 公开了一种用于清洁对衬底处理室中的构件造成较小损坏的衬底处理室的方法。 用于清洁处理基板的设备的处理室的方法包括：气体供给步骤，其中将气体供应到设置到基板处理设备的远程等离子体生成单元中，反应物质形成步骤，其中通过激发形成反应物质 远程等离子体发生单元中的气体，以及反应步骤，其中将反应物质从远程等离子体发生单元供应到处理室中，同时将处理室内的压力保持在1333Pa或更高。

公开(公告)号：KR101088931B1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：KR1020067006035

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  마츠다츠카사 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오 ,  다치바나,미츠히로 ,  마츠자바고우메이 ,  가와노유미코 ,  레우싱크게르트제이. ,  멕펠리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치. ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 본 발명은 간헐적 전구체 가스 플로우 프로세스(intermittent precursor gas flow process)를 사용하여 기판 상에 금속 층을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 환원성 가스에 기판을 노출시킴과 아울러 그 기판을 금속-카르보닐 전구체(metal-carbonyl precursor) 가스의 펄스에 노출시키는 것을 포함한다. 상기 프로세스는 소망의 두께를 지닌 금속 층이 기판 상에 형성될 때까지 실행된다. 상기 금속 층은 기판 상에 형성될 수 있거나, 그 대안으로 금속 층은 금속 핵형성 층 상에서 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR101025986B1

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020087021299

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: 피처리체 예컨대 반도체 웨이퍼 W의 표면에 형성된 오목부, 특히 직경 또는 폭이 100㎚ 이하인 미세한 홀 또는 트렌치를, 플라즈마 스퍼터링만에 의해, 금속 특히 구리로 매립하는 것을 가능하게 하는 기술이 개시된다. 오목부 내에 소량의 금속막을 퇴적시키는 성막 공정과, 이 퇴적시킨 금속막을 오목부의 바닥부를 향해 이동시키는 확산 공정이 교대로 복수회 실행된다. 성막 공정에 있어서는 웨이퍼 W의 표면에서, 금속 입자의 인입에 의해 생기는 금속의 퇴적의 퇴적 레이트가 플라즈마에 의해 생기는 스퍼터 에칭의 에칭 레이트와 대략 균형을 이루도록, 웨이퍼 W를 지지하는 탑재대에 인가되는 바이어스 전력이 설정된다. 확산 공정에 있어서는, 오목부 내에 퇴적시킨 금속막의 표면 확산이 생기는 온도로 웨이퍼 W를 유지한다.

公开(公告)号：KR100935258B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020070118140

申请日：2007-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  마츠다츠카사 ,  이케다교코

IPC: G01N21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G01N1/24 ,  G01N15/06 ,  G01N2015/0693

Abstract: 본 발명은, 처리 챔버(48) 내의 대기 또는 가스를 진공 펌프(98)에 의해 배기시킨 분위기를 생성하여, 그 분위기 내에서 웨이퍼 W에 대해 반도체 장치 제조에 관한 처리를 실시하는 처리 장치(40)에 구비되고, 처리 챔버(48)의 배기구(86)와 진공 펌프(98)를 연결하는 배기관(90)에 장착되어, 배기 가스중의 파티클수를 계측하는 파티클 계측 장치 및 그 계측 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020090106436A

公开(公告)日：2009-10-09

申请号：KR1020090077471

申请日：2009-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  마츠다츠카사 ,  이케다교코

IPC: G01N15/06 ,  G01N21/47 ,  H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A particle measuring method and a device thereof are provided to exactly count particles discharged from a processing chamber, thereby grasping a particle generation situation with high correlation. CONSTITUTION: A particle measuring method comprises the following steps. A parameter is modeled. A locus of exhaust gas including particles flowing in an exhaust pipe is shown. A locus value simulation process of the exhaust gas and particle is performed.

Abstract translation: 目的：提供粒子测量方法及其装置，以精确地计数从处理室排出的颗粒，从而掌握高相关性的颗粒生成情况。 构成：粒子测量方法包括以下步骤。 一个参数被建模。 示出了包括在排气管中流动的颗粒的废气的轨迹。 执行排气和颗粒的轨迹值模拟处理。

公开(公告)号：KR1020070120986A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：KR1020077023334

申请日：2006-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠다츠카사

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/28562

Abstract: A method for depositing a film on a substrate using a plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) process includes disposing the substrate in a process chamber configured to facilitate the PEALD process, introducing a first process material within the process chamber and introducing a second process material within the process chamber. Also included is coupling electromagnetic power to the process chamber during introduction of the second process material in order to generate a plasma that facilitates a reduction reaction between the first and second process materials at a surface of the substrate. A reactive gas is introduced within the process chamber, the reactive gas chemically reacting with contaminants in the process chamber to release the contaminants from at least one of a process chamber component or the substrate.

Abstract translation: 使用等离子体增强原子层沉积（PEALD）工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底布置在处理室中，该处理室被配置为便于PEALD工艺，在处理室内引入第一工艺材料并引入第二工艺材料 在处理室内。 还包括在引入第二工艺材料期间将电磁功率耦合到处理室，以便产生促进第一和第二工艺材料在衬底表面处的还原反应的等离子体。 反应性气体被引入处理室内，反应气体与处理室中的污染物质化学反应以从处理室组件或衬底中的至少一个释放污染物。