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公开(公告)号：KR100645166B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020010012839
申请日：2001-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 바탕막이 형성된 웨이퍼상에 레지스트막을 형성하고, 해당 레지스트막에 대하여 노광처리 및 현상처리를 실시함으로써 원하는 레지스트 패턴을 형성하는 기판 처리방법에 있어서, 레지스트막의 형성전에 바탕막에 대하여 노광 처리시에 조사하는 노광광과 동일한 파장의 빛을 조사하여 그 반사광을 해석하는 바탕막 반사광 해석공정과, 이 반사광의 해석에 의거하여 레지스트막 형성조건, 노광처리 조건 중에서 적어도 하나를 제어하는 처리조건 제어공정을 구비한다. 이에 따라 레지스트 패턴의 고정밀도의 선폭 제어가 가능해진다.
Abstract translation: 膜在薄膜上形成抗蚀剂所形成的晶片，在通过进行曝光处理，并在抗蚀剂膜上的显影处理形成所需抗蚀剂图案的基板处理方法，在抗蚀剂膜形成之前在曝光处理时检查的基础膜 照射相同波长的具有控制的抗蚀剂膜形成条件中的至少一个，所述基础膜的基础上的曝光处理条件的处理条件控制步骤中的曝光光的光的反射光的分析过程，用于分析所述反射光，反射光的分析 。 由此，可以高精度地控制抗蚀剂图案的线宽。
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公开(公告)号：KR1020010092282A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：KR1020010012839
申请日：2001-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to be capable of controlling the line width of a resist pattern with high precision. CONSTITUTION: A substrate processing method for forming a resist film on a wafer with a base film being formed, and performing an exposure processing and a developing processing for the resist film to thereby form a desired resist pattern, has a base reflected light analyzing step of radiating a light of the same wavelength as an exposure light radiated during the exposure processing to the base film and analyzing a reflected light, before forming the resist film, and a processing condition control step of controlling at least one of a resist film forming condition and an exposure processing condition, based on the analysis of the reflected light. The method makes it possible to control a line width of a resist pattern with high precision.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法和基板处理装置，以能够高精度地控制抗蚀剂图案的线宽度。 构成：在形成基膜的晶片上形成抗蚀剂膜的基板处理方法，对抗蚀剂膜进行曝光处理和显影处理，从而形成所需的抗蚀剂图案，具有基底反射光分析步骤 在形成抗蚀剂膜之前，将与曝光处理期间的照射光相同的波长的光照射到基膜上，并分析反射光;以及处理条件控制步骤，控制抗蚀剂膜形成条件和 曝光处理条件，基于对反射光的分析。 该方法可以高精度地控制抗蚀剂图案的线宽。
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