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公开(公告)号：KR100646071B1
公开(公告)日：2006-11-13
申请号：KR1020010026221
申请日：2001-05-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 각 부품마다 장치의 실제 이용 횟수에 관계없이 설정되는 제1의 보수 인터벌을 저장하는 제1의 보수 인터벌 저장부와, 각 부품마다 장치의 실제 이용 횟수에 관계되어 설정되는 제2의 보수 인터벌을 저장하는 제2의 보수 인터벌 저장부와, 제1의 보수 인터벌에 도달함에 따라 그 부품의 보수를 요구하는 보수요구 발생부와, 제1의 보수 인터벌에 도달함에 따라 제2의 보수 인터벌에 도달하였는가를 판단하여 제2의 보수 인터벌에 도달하고 있지 않은 경우에는 보수요구 발생부에 의한 보수요구를 일시적으로 금지하고 제1의 보수 인터벌을 연장하는 보수 인터벌 연장부를 구비한다. 이렇게 함으로써 복수의 부품으로 구성되는 장치측에서 부품의 보수시기를 관리하고 통지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100800642B1
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：KR1020010078792
申请日：2001-12-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67276
Abstract: 기판처리시스템은 수개의 처리유닛, 각 유닛에서 처리된 웨이퍼를 반출하고, 또한 각 유닛으로부터 처리되어진 웨이퍼(W)를 반송하는 로드/언로드부와, 상기 로드/언로드부에서 기판을 주고 받음하여 각 유닛에 기판을 순차 반송하는 서브아암기구를 구비한다. 상기 처리유닛 및 서브아암기구는 컨트롤러에 의해 제어되며, 각 유닛은 상기 소요시간 t1 내지 tn을 각 처리 유닛의 대수 m으로 나눔으로써 얻어진 소요시간 t1/m 내지 tn/m 중 최대의 소요시간을 1 사이클시간으로서 기판을 순서대로 처리한다. 상기 컨트롤러는 각 처리유닛에 전대기시간(전(前) 처리)을 설정한다.
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公开(公告)号：KR100645166B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020010012839
申请日：2001-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 바탕막이 형성된 웨이퍼상에 레지스트막을 형성하고, 해당 레지스트막에 대하여 노광처리 및 현상처리를 실시함으로써 원하는 레지스트 패턴을 형성하는 기판 처리방법에 있어서, 레지스트막의 형성전에 바탕막에 대하여 노광 처리시에 조사하는 노광광과 동일한 파장의 빛을 조사하여 그 반사광을 해석하는 바탕막 반사광 해석공정과, 이 반사광의 해석에 의거하여 레지스트막 형성조건, 노광처리 조건 중에서 적어도 하나를 제어하는 처리조건 제어공정을 구비한다. 이에 따라 레지스트 패턴의 고정밀도의 선폭 제어가 가능해진다.
Abstract translation: 膜在薄膜上形成抗蚀剂所形成的晶片，在通过进行曝光处理，并在抗蚀剂膜上的显影处理形成所需抗蚀剂图案的基板处理方法，在抗蚀剂膜形成之前在曝光处理时检查的基础膜 照射相同波长的具有控制的抗蚀剂膜形成条件中的至少一个，所述基础膜的基础上的曝光处理条件的处理条件控制步骤中的曝光光的光的反射光的分析过程，用于分析所述反射光，反射光的分析 。 由此，可以高精度地控制抗蚀剂图案的线宽。
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公开(公告)号：KR1020010092282A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：KR1020010012839
申请日：2001-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to be capable of controlling the line width of a resist pattern with high precision. CONSTITUTION: A substrate processing method for forming a resist film on a wafer with a base film being formed, and performing an exposure processing and a developing processing for the resist film to thereby form a desired resist pattern, has a base reflected light analyzing step of radiating a light of the same wavelength as an exposure light radiated during the exposure processing to the base film and analyzing a reflected light, before forming the resist film, and a processing condition control step of controlling at least one of a resist film forming condition and an exposure processing condition, based on the analysis of the reflected light. The method makes it possible to control a line width of a resist pattern with high precision.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法和基板处理装置，以能够高精度地控制抗蚀剂图案的线宽度。 构成：在形成基膜的晶片上形成抗蚀剂膜的基板处理方法，对抗蚀剂膜进行曝光处理和显影处理，从而形成所需的抗蚀剂图案，具有基底反射光分析步骤 在形成抗蚀剂膜之前，将与曝光处理期间的照射光相同的波长的光照射到基膜上，并分析反射光;以及处理条件控制步骤，控制抗蚀剂膜形成条件和 曝光处理条件，基于对反射光的分析。 该方法可以高精度地控制抗蚀剂图案的线宽。
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公开(公告)号：KR1019960032577A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019960002585
申请日：1996-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 기판처리장치는, 웨이퍼(W)가 반송되는 Y축 방향으로 늘어지는 공통의 통로와, 이 공통 통로의 양측에 다단계로 적층된 복수의 처리 유니트와, 이들의 처리 유니트에 웨이퍼(W)를 반입/반출하기 위하여, 공통의 통로내를 Y축 방향으로 이동함과 동시에, Z축 주위에 θ회전하는 주 헨드라와, 이 주 헨드라내에서 Z축 방향으로 이동하도록 설치된 아암부와, 각각이 웨이퍼(W)를 유지하도록 상기 아암부에 다단으로 배설되어, 각각이 상기 아암부로부터 XY면내에서 전진 또는 후퇴하는 복수의 유지 아암과, 아암부에 설치되어 복수의 유지아암에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지상태를 검지하는 광학 센서와, 이 광학 센서로부터의 검지결과를 토대로, 주 헨드라의 동작, 아암부의 동작, 및 복수의 유지아암의 동작을 각각 제어하는 제어기를 구비하며, 제어기에 의해, 헨드라 및 아암부 중 적어도 한쪽을 동작시키면서, 각 유지아암을 전진 또는 후퇴시키고, 유지아암이 처리유니트에 도착하기 전에 유지아암에 의한 웨이퍼(W)의 유지상태를 광학 센서로 검지해 둔다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950012620A
公开(公告)日：1995-05-16
申请号：KR1019940028108
申请日：1994-10-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
Inventor： 가와카미야스노리 , 후쿠다다카히데 , 후지모토아키히로 , 다케쿠마다카시 , 난부미쓰히로 , 이이다나루아키 , 고토히데아키 , 다테야마마사노리 , 요시모토유지 , 이시모토도모코 , 야스에가시히데타미
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은, 낱장처리에 의하여 피처리체에 처리액을 도포하는 도포처리부로부터 피처리체를 피처리체 유지부재로 옮기는 제1의 이송수단 및 복수의 피처리체 유지부재르 부착 및 이탈가능하게 얹어놓음과 함께 복수의 피처리체 유지수단을 동시에 이동하는 이동수단을 가지는 인터페이스부와, 이동수단에 얹어놓인 피처리체 유지수단과, 도포처리가 행해진 복수의 피처리체에 배치처리체 의하여 열처리를 행하는 열처리부에 옮기는 제2의 이송수단을 가지는 열처리부를 구비하는 기판처리장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020020046994A
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：KR1020010078792
申请日：2001-12-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67276
Abstract: PURPOSE: To reduce influence on rate limiting due to other treatment parts. CONSTITUTION: The system consists of a load/unload part 2 which carries an untreated wafer into each treatment unit and unloads a treated wafer W from each of the treatment units, a sub-arm mechanism which is provided to each treatment unit accessibly, delivers a wafer W between it and the load/unload part 2 and carries a wafer W to each treatment unit one by one and a controller 13, which controls each part to carry out treatment by each treatment unit one by one by applying a maximum duration tn/m per unit, which is obtained by dividing the duration tn of each treatment unit by a number (m) of the treatment units as a single cycle, and sets a prewaiting time by a heat treatment system unit.
Abstract translation: 目的：减少其他处理部件对速率限制的影响。 构成：该系统由装载/卸载部件2组成，其将未处理的晶片装载到每个处理单元中，并且从每个处理单元卸载经处理的晶片W，将辅助臂机构可访问地提供给每个处理单元， 晶片W与负载/卸载部件2之间，并且将晶片W一个接一个地运送到每个处理单元，控制器13通过施加最大持续时间tn / s来控制每个处理单元逐个进行处理， m，通过将处理单元的持续时间tn除以处理单元的数量（m）作为单个周期而获得，并且通过热处理系统单元设置预先等待时间。
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公开(公告)号：KR1020010106244A
公开(公告)日：2001-11-29
申请号：KR1020010026221
申请日：2001-05-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 각 부품마다 장치의 실제 이용 횟수에 관계없이 설정되는 제1의 보수 인터벌을 저장하는 제1의 보수 인터벌 저장부와, 각 부품마다 장치의 실제 이용 횟수에 관계되어 설정되는 제2의 보수 인터벌을 저장하는 제2의 보수 인터벌 저장부와, 제1의 보수 인터벌에 도달함으로써 그 부품의 보수를 요구하는 보수요구 발생부와, 제1의 보수 인터벌에 도달하였을 때 제2의 보수 인터벌에 도달하였는가를 판단하여 제2의 보수 인터벌에 도달하고 있지 않은 경우에는 보수요구 발생부에 의한 보수요구를 일시적으로 금지하고 제1의 보수 인터벌을 연장하는 보수 인터벌 연장부를 구비한다. 이렇게 함으로써 복수의 부품으로 구성되는 장치측에서 부품의 보수시기를 관리하고 통지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100272188B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019940028108
申请日：1994-10-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
Inventor： 가와카미야스노리 , 후쿠다다카히데 , 후지모토아키히로 , 다케쿠마다카시 , 난부미쓰히로 , 이이다나루아키 , 고토히데아키 , 다테야마마사노리 , 요시모토유지 , 이시모토도모코 , 야스에가시히데타미
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67265 , H01L21/67173 , H01L21/67766 , H01L21/67778 , Y10S134/902 , Y10S414/135 , Y10S414/136 , Y10S414/137 , Y10S414/141
Abstract: 본 발명은, 낱장처리에 의하여 피처리체에 처리액을 도포하는 도포처리부로부터 피처리체를 피처리체 유지부재로 옮기는 제1의 이송수단, 및 복수의 피처리체 유지부재를 부착 및 이탈가능하게 얹어놓음과 함께 복수의 피처리체 유지 수단을 동시에 이동하는 이동수단을 가지는 인터페이스부와, 이동수단에 얹어놓인 피처리체 유지수단과, 도포처리가 행해진 복수의 피처리체에 배치처리체 의하여 열처리를 행하는 열처리부에 옮기는 제2의 이송수단을 가지는 열처리부를 구비하는 기판 처리장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100251340B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019960002585
申请日：1996-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67781 , H01L21/68707
Abstract: 기판처리 장치는,
웨이퍼(W)가 반송되는 Y축 방향으로 늘어지는 공통의 통로와, 이 공통 통로의 양측에 다단계로 적층된 복수의 처리 유니트와, 이들의 처리 유니트에 웨이퍼 (W)를 반입/반출하기 위하여, 공통의 통로내를 Y축 방향으로 이동함과 동시에, Z축 주위에
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