公开(公告)号：KR102000318B1

公开(公告)日：2019-07-15

申请号：KR1020147019294

申请日：2012-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이노우에마사키 ,  이시이가즈히사 ,  노로모토키 ,  가와다신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR1020140119020A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020147019294

申请日：2012-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이노우에마사키 ,  이시이가즈히사 ,  노로모토키 ,  가와다신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32366 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/66795

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 SiO
2 를 포함하는 유전체창(16)을 이용하고 있다. 에칭하는 절연막 FL은 실리콘 탄화질화물로 이루어지고, 제 1 플라즈마 처리 공정에 있어서의 처리 가스는 산소 가스를 함유하지 않고 CH
2 F
2 등을 포함하고 있고, 보호막(6)을 퇴적한다. 제 2 플라즈마 처리 공정에 있어서의 처리 가스는 산소 가스를 함유하고 CH
3 F 등을 포함하고 있고, 단면 볼록 형상 부분의 꼭대기면 등의 에칭을 행한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括含有SiO 2的电介质窗。 要蚀刻的绝缘膜包括碳氮化硅。 在第一等离子体处理步骤中，使用不含氧气并含有CH2F2等的处理气体沉积保护膜。 在第二等离子体处理步骤中，使用包含氧气并含有CH3F等的处理气体来蚀刻具有凸形横截面形状的部分的顶部和其它部分。

公开(公告)号：KR102109208B1

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：KR1020130157228

申请日：2013-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노로모토키 ,  린타이추안 ,  가와다신지

IPC: H01L21/336

公开(公告)号：KR1020140079316A

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：KR1020130157228

申请日：2013-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노로모토키 ,  린타이추안 ,  가와다신지

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: Provided is a method of forming a dummy gate in manufacturing a field effect transistor. The method of forming a dummy gate includes (a) a first process of exposing a workpiece having a polycrystalline silicon layer to plasma of HBr gas, wherein the polycrystalline silicon layer is etched to form a dummy semiconductor part having a pair of side surfaces in the polycrystalline silicon layer, and a protection film is formed based on a by-product of etching on the pair of side surfaces in such a manner that the thickness of the protection film becomes smaller toward a lower end of the dummy semiconductor part; and (b) a second process of further exposing the workpiece to the plasma of HBr gas after the first process.

Abstract translation: 提供了在制造场效应晶体管时形成伪栅极的方法。 形成虚拟栅极的方法包括：（a）将具有多晶硅层的工件暴露于HBr气体的等离子体的第一工艺，其中蚀刻多晶硅层以形成具有一对侧表面的虚拟半导体部件 多晶硅层和基于一对侧表面上的蚀刻副产物的保护膜，使得保护膜的厚度朝向虚拟半导体部件的下端变小; 和（b）在第一工序之后将工件进一步暴露于HBr气体的等离子体的第二工序。