公开(公告)号：KR102003058B1

公开(公告)日：2019-07-24

申请号：KR1020147018465

申请日：2012-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이노우에마사키 ,  오즈도시히사 ,  다니카와다케히로 ,  요시카와준

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR1020120120400A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020127023123

申请日：2011-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  모야마카즈키 ,  이노우에마사키 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833

Abstract: 하지(base)가 되는 실리콘이나 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 선택비를 높일 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 처리 용기(1) 내에 처리 가스를 공급하면서 처리 가스를 배기하여 처리 용기(1) 내의 압력을 소정값으로 설정하고, 처리 가스에 외부 에너지를 공급하여 플라즈마를 생성하며, 처리 용기(1) 내의 기판이 올려놓여지는 재치대(10)에 인가하는 바이어스를 소정값으로 설정함으로써, 실리콘 질화막을 실리콘 및/또는 실리콘 질화막에 대하여 선택적으로 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 처리 가스는, 플라즈마 여기용 가스, CHxFy 가스, 그리고 O
2 , CO
2 , CO의 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화성 가스를 포함하고, CHxFy 가스에 대한 산화성 가스의 유량비를 4/9 이상으로 설정한다.

公开(公告)号：KR1020140119011A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020147018465

申请日：2012-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이노우에마사키 ,  오즈도시히사 ,  다니카와다케히로 ,  요시카와준

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 일 실시형태에서는, 표면에 Ni 및 Si를 포함하는 제1 층과, Si 및 N을 포함하는 제2 층이 노출된 피처리 기체에 있어서, 제2 층을 에칭하는 방법을 제공한다. 일 실시형태의 방법은, (a) 피처리 기체를 처리 용기 내에서 준비하는 공정과, (b) 처리 용기 내에 탄소 및 불소를 포함하고 산소를 포함하지 않는 제1 처리 가스를 공급하고, 상기 처리 용기 내에서 플라즈마를 발생시키는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 示例性实施例提供了一种蚀刻待处理的基体中的第二层的方法，该第一层具有包含Ni和Si的第一层和暴露于其表面的含有Si和N的第二层。 根据示例性实施例的方法包括（a）在处理室中制备待处理的基体，以及（b）将含有碳和氟但不含氧的第一处理气体供应到处理室中并产生等离子体 处理室。

公开(公告)号：KR101430093B1

公开(公告)日：2014-09-22

申请号：KR1020127023123

申请日：2011-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  모야마카즈키 ,  이노우에마사키 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833

Abstract: 하지(base)가 되는 실리콘이나 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 선택비를 높일 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 처리 용기(1) 내에 처리 가스를 공급하면서 처리 가스를 배기하여 처리 용기(1) 내의 압력을 소정값으로 설정하고, 처리 가스에 외부 에너지를 공급하여 플라즈마를 생성하며, 처리 용기(1) 내의 기판이 올려놓여지는 재치대(10)에 인가하는 바이어스를 소정값으로 설정함으로써, 실리콘 질화막을 실리콘 및/또는 실리콘 질화막에 대하여 선택적으로 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 처리 가스는, 플라즈마 여기용 가스, CHxFy 가스, 그리고 O
2 , CO
2 , CO의 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화성 가스를 포함하고, CHxFy 가스에 대한 산화성 가스의 유량비를 4/9 이상으로 설정한다.

公开(公告)号：KR102000318B1

公开(公告)日：2019-07-15

申请号：KR1020147019294

申请日：2012-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이노우에마사키 ,  이시이가즈히사 ,  노로모토키 ,  가와다신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR1020140119020A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020147019294

申请日：2012-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이노우에마사키 ,  이시이가즈히사 ,  노로모토키 ,  가와다신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32366 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/66795

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 SiO
2 를 포함하는 유전체창(16)을 이용하고 있다. 에칭하는 절연막 FL은 실리콘 탄화질화물로 이루어지고, 제 1 플라즈마 처리 공정에 있어서의 처리 가스는 산소 가스를 함유하지 않고 CH
2 F
2 등을 포함하고 있고, 보호막(6)을 퇴적한다. 제 2 플라즈마 처리 공정에 있어서의 처리 가스는 산소 가스를 함유하고 CH
3 F 등을 포함하고 있고, 단면 볼록 형상 부분의 꼭대기면 등의 에칭을 행한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括含有SiO 2的电介质窗。 要蚀刻的绝缘膜包括碳氮化硅。 在第一等离子体处理步骤中，使用不含氧气并含有CH2F2等的处理气体沉积保护膜。 在第二等离子体处理步骤中，使用包含氧气并含有CH3F等的处理气体来蚀刻具有凸形横截面形状的部分的顶部和其它部分。