公开(公告)号：KR102000318B1

公开(公告)日：2019-07-15

申请号：KR1020147019294

申请日：2012-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이노우에마사키 ,  이시이가즈히사 ,  노로모토키 ,  가와다신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR1020140119020A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020147019294

申请日：2012-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이노우에마사키 ,  이시이가즈히사 ,  노로모토키 ,  가와다신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32366 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/66795

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 SiO
2 를 포함하는 유전체창(16)을 이용하고 있다. 에칭하는 절연막 FL은 실리콘 탄화질화물로 이루어지고, 제 1 플라즈마 처리 공정에 있어서의 처리 가스는 산소 가스를 함유하지 않고 CH
2 F
2 등을 포함하고 있고, 보호막(6)을 퇴적한다. 제 2 플라즈마 처리 공정에 있어서의 처리 가스는 산소 가스를 함유하고 CH
3 F 등을 포함하고 있고, 단면 볼록 형상 부분의 꼭대기면 등의 에칭을 행한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括含有SiO 2的电介质窗。 要蚀刻的绝缘膜包括碳氮化硅。 在第一等离子体处理步骤中，使用不含氧气并含有CH2F2等的处理气体沉积保护膜。 在第二等离子体处理步骤中，使用包含氧气并含有CH3F等的处理气体来蚀刻具有凸形横截面形状的部分的顶部和其它部分。