公开(公告)号：KR100811964B1

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020010059540

申请日：2001-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  니시무코고키 ,  도미타히로시 ,  기무라요시오 ,  우에무라료이치 ,  다나카미치오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715

Abstract: 도포유닛과 현상유닛을 구비한 도포/현상장치에 노광장치를 접속하고 이들의 처리를 제어하는 제어부를 갖춘 레지스트 패턴 형성장치에 있어서, 레지스트 도포전의 바탕막의 반사율, 레지스트 도포후의 레지스트 막두께, 현상후의 현상선폭, 바탕막과 레지스트 패턴의 얼라인먼트 상태, 현상결함 등을 검사부 등으로 측정한다. 이 측정 데이터를 제어부에 송신하고, 제어부에서는 레지스트 막두께나 현상선폭 등 각 측정항목의 측정 데이터에 의거하여 측정 데이터에 대응하는 보정 파라미터가 선택되어 당해 보정 파라미터의 보정이 이루어진다. 이 때문에 보정작업이 용이하게 되고 오퍼레이터의 부담이 경감되는 동시에 적절한 보정을 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020025732A

公开(公告)日：2002-04-04

申请号：KR1020010059540

申请日：2001-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  니시무코고키 ,  도미타히로시 ,  기무라요시오 ,  우에무라료이치 ,  다나카미치오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: Provided are a method and an apparatus for forming a resist pattern in which amending operation is facilitated by a reduced workload of an operator and in the same time, the appropriate amendment can be performed. CONSTITUTION: A controller(7) having a controlling portion controls a processing of a coating and developing apparatus(100) with a coating unit(3A) and a developing unit(3B). An inspecting portion(A2) and the like measures at least one of a plurality of measurement items selected from, a reflection ratio and a film thickness of a base film and a resist film, a line width after the development, an accuracy that the base film matches with a resist pattern, a defect after the development, and so on. The measured data is transmitted to the controller(7). At the controller(7), a parameter subject to an amendment is selected based on the corresponding data of each of the measurement item such as the film thickness of the resist and the line width after the development, and the amendment of the parameters subject to the amendment is performed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成抗蚀剂图案的方法和装置，其中通过减少操作者的工作量来促进修改操作，并且同时可以进行适当的修改。 构成：具有控制部分的控制器（7）通过涂覆单元（3A）和显影单元（3B）来控制涂覆和显影设备（100）的处理。 检查部（A2）等测量从基膜和抗蚀剂膜的反射率和膜厚选择的多个测量项目中的至少一个，显影后的线宽度，基底 电影与抗蚀剂图案匹配，发展后的缺陷等。 测量数据被传送到控制器（7）。 在控制器（7）中，根据测量项目的各个对象的数据（例如抗蚀剂的膜厚度和开发后的线宽度）来选择修改参数，修改参数 执行修正。