公开(公告)号：KR1020170132096A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：KR1020170062720

申请日：2017-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시지마다카시

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3288 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/3347

Abstract: 틸팅각도의변화량을허용범위내에서저하시키는것을목적으로한다. 진공배기가능한처리용기와, 상기처리용기내에서피 처리기판을탑재하는하부전극과, 상기하부전극의주위에배치되는포커스링과, 상기처리용기내에서상기하부전극에대향하여배치되는내측상부전극과, 상기처리용기내에서상기내측상부전극으로부터전기적으로절연되며, 해당내측상부전극의외측에배치되는외측상부전극과, 상기내측상부전극과상기외측상부전극의사이에있어서, 또한상기포커스링의상방에배치되는석영부재와, 상기내측상부전극및 상기외측상부전극과상기하부전극의사이의처리공간에처리가스를공급하는가스공급부와, 고주파방전에의해상기처리가스의플라즈마를생성하기위한제 1 고주파의전력을상기하부전극혹은상기내측상부전극및 상기외측상부전극에인가하는제 1 고주파급전부와, 상기외측상부전극에가변의제 1 직류전압을인가하는제 1 직류급전부와, 상기제 1 직류전압을제어하는제어부를갖는플라즈마처리장치에있어서, 상기제어부는, 틸팅각도의변화량을저하시키도록, 상기제 1 직류전압을제어하는, 플라즈마처리방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是将倾斜角度的变化量减小到允许范围内。 和可能的抽空处理容器，用于安装在所述处理容器内的基板的Surfynol的下部电极，以及设置围绕所述下电极的聚焦环中，处理容器内的内侧上部电极被布置为与下部电极 ，是从处理室内的内侧上部电极电绝缘的，在外侧上部电极之间，和内侧上部电极和设置在内侧上部电极的外侧的外侧上部电极，与聚焦环以上 和石英构件设置，并且内侧上部电极和用于供给处理气体，以外侧上部电极之间以及下电极的处理空间，所述第一对由高频放电产生的工艺气体的等离子体的气体供给部 以及用于将高频功率到下电极或上电极和外侧上部电极的内侧，所述第一直流电压的可变向外侧上部电极的第一高频电源部 在施加具有第一DC电力馈线的等离子体处理装置，以及用于控制所述第一直流电压，一个控制单元，其中，用于控制所述第一直流电压，以便降低在等离子体处理中的倾斜角度的变化量的方法 它现在可用。

公开(公告)号：KR101760949B1

公开(公告)日：2017-07-24

申请号：KR1020110016251

申请日：2011-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치키히로마사 ,  오카모토신 ,  니시지마다카시 ,  야마자키후미오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 내부에플라즈마가발생하는처리실, 해당처리실내부에배치된탑재대, 해당탑재대에대향해서상기처리실내부에배치된전극, 상기처리실내부에제 1 고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원, 상기탑재대에상기제 1 고주파전력보다주파수가낮은제 2 고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원, 상기전극에직류전력을인가하기위한직류전원을구비하는기판처리장치에있어서, 에칭대상막과, 그에칭대상막상에형성된마스크막을갖는기판에에칭처리를실시하는에칭처리방법이제공된다. 상기에칭처리방법은, 상기기판상의마스크막에형성된패턴의형상을개량하는패턴형상개량스텝과, 상기패턴의형상이개량된마스크막을이용하여상기에칭대상막을플라즈마로에칭하는대상막에칭스텝을갖는다. 또한, 상기패턴형상개량스텝에서는, 상기마스크막을플라즈마로에칭하고, 상기대상막에칭스텝에서는, 상기직류전력을상기전극에인가하는동시에, 상기제 2 고주파전력을상기탑재대에제 1 전력레벨과상기제 1 전력레벨보다낮은제 2 전력레벨이반복되는펄스파형상으로인가한다.

公开(公告)号：KR101860676B1

公开(公告)日：2018-05-23

申请号：KR1020170090291

申请日：2017-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치키히로마사 ,  오카모토신 ,  니시지마다카시 ,  야마자키후미오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/768 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/203 ,  H01L21/027

Abstract: 내부에플라즈마가발생하는처리실, 해당처리실내부에배치된탑재대, 해당탑재대에대향해서상기처리실내부에배치된전극, 상기처리실내부에제 1 고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원, 상기탑재대에상기제 1 고주파전력보다주파수가낮은제 2 고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원, 상기전극에직류전력을인가하기위한직류전원을구비하는기판처리장치에있어서, 에칭대상막과, 그에칭대상막상에형성된마스크막을갖는기판에에칭처리를실시하는에칭처리방법이제공된다. 상기에칭처리방법은, 상기기판상의마스크막에형성된패턴의형상을개량하는패턴형상개량스텝과, 상기패턴의형상이개량된마스크막을이용하여상기에칭대상막을플라즈마로에칭하는대상막에칭스텝을갖는다. 또한, 상기패턴형상개량스텝에서는, 상기마스크막을플라즈마로에칭하고, 상기대상막에칭스텝에서는, 상기직류전력을상기전극에인가하는동시에, 상기제 2 고주파전력을상기탑재대에제 1 전력레벨과상기제 1 전력레벨보다낮은제 2 전력레벨이반복되는펄스파형상으로인가한다.

公开(公告)号：KR1020170087069A

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：KR1020170090291

申请日：2017-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치키히로마사 ,  오카모토신 ,  니시지마다카시 ,  야마자키후미오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/768 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/203 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 내부에플라즈마가발생하는처리실, 해당처리실내부에배치된탑재대, 해당탑재대에대향해서상기처리실내부에배치된전극, 상기처리실내부에제 1 고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원, 상기탑재대에상기제 1 고주파전력보다주파수가낮은제 2 고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원, 상기전극에직류전력을인가하기위한직류전원을구비하는기판처리장치에있어서, 에칭대상막과, 그에칭대상막상에형성된마스크막을갖는기판에에칭처리를실시하는에칭처리방법이제공된다. 상기에칭처리방법은, 상기기판상의마스크막에형성된패턴의형상을개량하는패턴형상개량스텝과, 상기패턴의형상이개량된마스크막을이용하여상기에칭대상막을플라즈마로에칭하는대상막에칭스텝을갖는다. 또한, 상기패턴형상개량스텝에서는, 상기마스크막을플라즈마로에칭하고, 상기대상막에칭스텝에서는, 상기직류전력을상기전극에인가하는동시에, 상기제 2 고주파전력을상기탑재대에제 1 전력레벨과상기제 1 전력레벨보다낮은제 2 전력레벨이반복되는펄스파형상으로인가한다.

Abstract translation: 第一高频电源，所述安装用于施加第一射频功率室内部产生的等离子体，其安装设置在所述处理室，用于内，在反对载置台在所述电极上，设置在所述处理室内部，所述处理室 在用于第一，第二高频电力施加第二高频电源是比高频功率频率较低，在具有用于施加直流电力在电极上的直流电源的基板处理装置，并且被蚀刻膜，和 提供了一种蚀刻处理方法，用于对在待蚀刻膜上形成有掩模膜的基板进行蚀刻处理。 蚀刻处理的方法，且具有图案形状提高改善形成于基板上的掩模膜的图案的形状的步骤中，目标膜蚀刻工序中提到的刻蚀对象膜的等离子体，使用该图案提高掩模的图像的薄膜 。 另外，在图案形状改善步骤中，由掩模层称为等离子体，在目标膜蚀刻工序中，在同一时间的直流电力被第一功率电平施加到所述电极，与所述第二高频电源的大和 并且以重复脉冲形状施加比第一功率电平低的第二功率电平。

公开(公告)号：KR1020110097706A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020110016251

申请日：2011-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치키히로마사 ,  오카모토신 ,  니시지마다카시 ,  야마자키후미오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 내부에 플라즈마가 발생하는 처리실, 해당 처리실 내부에 배치된 탑재대, 해당 탑재대에 대향해서 상기 처리실 내부에 배치된 전극, 상기 처리실 내부에 제 １ 고주파 전력을 인가하기 위한 제 1 고주파 전원, 상기 탑재대에 상기 제 １ 고주파 전력보다 주파수가 낮은 제 ２ 고주파 전력을 인가하기 위한 제 2 고주파 전원, 상기 전극에 직류 전력을 인가하기 위한 직류 전원을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 에칭 대상막과, 그 에칭 대상막 상에 형성된 마스크막을 갖는 기판에 에칭 처리를 실시하는 에칭 처리 방법이 제공된다. 상기 에칭 처리 방법은, 상기 기판상의 마스크막에 형성된 패턴의 형상을 개량하는 패턴 형상 개량 스텝과, 상기 패턴의 형상이 개량된 마스크막을 이용하여 상기 에칭 대상막을 플라즈마로 에칭하는 대상막 에칭 스텝을 갖는다. 또한, 상기 패턴 형상 개량 스텝에서는, 상기 마스크 막을 플라즈마로 에칭하고, 상기 대상막 에칭 스텝에서는, 상기 직류 전력을 상기 전극에 인가하는 동시에, 상기 제 ２ 고주파 전력을 상기 탑재대에 제 1 전력 레벨과 상기 제 1 전력 레벨보다 낮은 제 2 전력 레벨이 반복되는 펄스파 형상으로 인가한다.