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公开(公告)号：KR101860676B1
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR1020170090291
申请日：2017-07-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/768 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/203 , H01L21/027
Abstract: 내부에플라즈마가발생하는처리실, 해당처리실내부에배치된탑재대, 해당탑재대에대향해서상기처리실내부에배치된전극, 상기처리실내부에제 1 고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원, 상기탑재대에상기제 1 고주파전력보다주파수가낮은제 2 고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원, 상기전극에직류전력을인가하기위한직류전원을구비하는기판처리장치에있어서, 에칭대상막과, 그에칭대상막상에형성된마스크막을갖는기판에에칭처리를실시하는에칭처리방법이제공된다. 상기에칭처리방법은, 상기기판상의마스크막에형성된패턴의형상을개량하는패턴형상개량스텝과, 상기패턴의형상이개량된마스크막을이용하여상기에칭대상막을플라즈마로에칭하는대상막에칭스텝을갖는다. 또한, 상기패턴형상개량스텝에서는, 상기마스크막을플라즈마로에칭하고, 상기대상막에칭스텝에서는, 상기직류전력을상기전극에인가하는동시에, 상기제 2 고주파전력을상기탑재대에제 1 전력레벨과상기제 1 전력레벨보다낮은제 2 전력레벨이반복되는펄스파형상으로인가한다.
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公开(公告)号：KR101895437B1
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：KR1020147002664
申请日：2012-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/67069
Abstract: 피처리체의재치대로서기능하는하부전극과, 상기하부전극에대향하여배치되는상부전극을가지는플라즈마에칭장치를이용한플라즈마에칭방법으로서, 플루오르카본계가스를포함하는제 1 처리가스를이용하여플라즈마에칭하는제 1 에칭공정과, 플루오르카본계가스를포함하는제 2 처리가스로서, 이제 2 처리가스의라디칼의피처리체에대한부착성이상기제 1 처리가스의라디칼의상기피처리체에대한부착성보다작은상기제 2 처리가스를이용하여플라즈마에칭하는제 2 에칭공정을포함하고, 상기제 2 에칭공정은, 플라즈마생성용의고주파전력을온으로하는제 1 조건과이 고주파전력을오프로하는제 2 조건을교호로반복하면서, 상기제 1 조건의기간보다상기제 2 조건의기간이인가전압의절대값이커지도록, 상기상부전극에음의직류전압을인가하는플라즈마에칭방법이제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160074397A
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020150173955
申请日：2015-12-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자키후미오
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31144 , H01L21/32137
Abstract: 에칭에의해형성되는홀 또는홈이뒤틀리는것을억제가능한플라즈마에칭방법을제공한다. 제 1 고주파전력을하부전극에부여하면서, 제 2 고주파전력의 ON과 OFF를주기적으로전환하여하부전극에부여하는제 1 공정과, 제 1 고주파전력을하부전극에부여하면서, 제 2 고주파전력을연속적으로 ON으로하여하부전극에부여하는제 2 공정을구비하고, 이들은교호로실행된다. 에칭에의해형성되는홀의내면을심부까지, 부착물이피복하면, 부착물에의해, 홀내에인입되는이온으로부터내면이보호되어, 내면의에칭이억제되고, 홀또는홈이뒤틀리는것이억제된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种等离子体蚀刻方法，其能够防止由蚀刻形成的孔或槽被扭曲。 等离子体蚀刻方法包括：通过周期性地切换第二高频电源而对第一高频电力施加到下电极，同时向下电极施加第二高频电力的第一过程; 以及通过保持第二高频功率连续导通而向第一高频电力施加第二高频电力的第二过程，其中第一处理和第二处理交替地执行 。 当通过蚀刻形成的孔的内表面被直到芯部分的附着材料覆盖时，内表面被附着材料防止其进入其中的离子，并且内表面的蚀刻被抑制 防止扭曲。
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公开(公告)号：KR1020170087069A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020170090291
申请日：2017-07-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/768 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/203 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/02315 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H05H1/46
Abstract: 내부에플라즈마가발생하는처리실, 해당처리실내부에배치된탑재대, 해당탑재대에대향해서상기처리실내부에배치된전극, 상기처리실내부에제 1 고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원, 상기탑재대에상기제 1 고주파전력보다주파수가낮은제 2 고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원, 상기전극에직류전력을인가하기위한직류전원을구비하는기판처리장치에있어서, 에칭대상막과, 그에칭대상막상에형성된마스크막을갖는기판에에칭처리를실시하는에칭처리방법이제공된다. 상기에칭처리방법은, 상기기판상의마스크막에형성된패턴의형상을개량하는패턴형상개량스텝과, 상기패턴의형상이개량된마스크막을이용하여상기에칭대상막을플라즈마로에칭하는대상막에칭스텝을갖는다. 또한, 상기패턴형상개량스텝에서는, 상기마스크막을플라즈마로에칭하고, 상기대상막에칭스텝에서는, 상기직류전력을상기전극에인가하는동시에, 상기제 2 고주파전력을상기탑재대에제 1 전력레벨과상기제 1 전력레벨보다낮은제 2 전력레벨이반복되는펄스파형상으로인가한다.
Abstract translation: 第一高频电源，所述安装用于施加第一射频功率室内部产生的等离子体，其安装设置在所述处理室，用于内，在反对载置台在所述电极上，设置在所述处理室内部，所述处理室 在用于第一，第二高频电力施加第二高频电源是比高频功率频率较低，在具有用于施加直流电力在电极上的直流电源的基板处理装置，并且被蚀刻膜，和 提供了一种蚀刻处理方法，用于对在待蚀刻膜上形成有掩模膜的基板进行蚀刻处理。 蚀刻处理的方法，且具有图案形状提高改善形成于基板上的掩模膜的图案的形状的步骤中，目标膜蚀刻工序中提到的刻蚀对象膜的等离子体，使用该图案提高掩模的图像的薄膜 。 另外，在图案形状改善步骤中，由掩模层称为等离子体，在目标膜蚀刻工序中，在同一时间的直流电力被第一功率电平施加到所述电极，与所述第二高频电源的大和 并且以重复脉冲形状施加比第一功率电平低的第二功率电平。
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公开(公告)号：KR101760949B1
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020110016251
申请日：2011-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01J37/32
Abstract: 내부에플라즈마가발생하는처리실, 해당처리실내부에배치된탑재대, 해당탑재대에대향해서상기처리실내부에배치된전극, 상기처리실내부에제 1 고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원, 상기탑재대에상기제 1 고주파전력보다주파수가낮은제 2 고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원, 상기전극에직류전력을인가하기위한직류전원을구비하는기판처리장치에있어서, 에칭대상막과, 그에칭대상막상에형성된마스크막을갖는기판에에칭처리를실시하는에칭처리방법이제공된다. 상기에칭처리방법은, 상기기판상의마스크막에형성된패턴의형상을개량하는패턴형상개량스텝과, 상기패턴의형상이개량된마스크막을이용하여상기에칭대상막을플라즈마로에칭하는대상막에칭스텝을갖는다. 또한, 상기패턴형상개량스텝에서는, 상기마스크막을플라즈마로에칭하고, 상기대상막에칭스텝에서는, 상기직류전력을상기전극에인가하는동시에, 상기제 2 고주파전력을상기탑재대에제 1 전력레벨과상기제 1 전력레벨보다낮은제 2 전력레벨이반복되는펄스파형상으로인가한다.
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公开(公告)号：KR1020140051282A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：KR1020147002664
申请日：2012-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/67069
Abstract: 피처리체의 재치대로서 기능하는 하부 전극과, 상기 하부 전극에 대향하여 배치되는 상부 전극을 가지는 플라즈마 에칭 장치를 이용한 플라즈마 에칭 방법으로서, 플루오르 카본계 가스를 포함하는 제 1 처리 가스를 이용하여 플라즈마 에칭하는 제 1 에칭 공정과, 플루오르 카본계 가스를 포함하는 제 2 처리 가스로서, 이 제 2 처리 가스의 라디칼의 피처리체에 대한 부착성이 상기 제 1 처리 가스의 라디칼의 상기 피처리체에 대한 부착성보다 작은 상기 제 2 처리 가스를 이용하여 플라즈마 에칭하는 제 2 에칭 공정을 포함하고, 상기 제 2 에칭 공정은, 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 온으로 하는 제 1 조건과 이 고주파 전력을 오프로 하는 제 2 조건을 교호로 반복하면서, 상기 제 1 조건의 기간보다 상기 제 2 조건의 기간이 인가 전압의 절대값이 커지� ��록, 상기 상부 전극에 음의 직류 전압을 인가하는 플라즈마 에칭 방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020110097706A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020110016251
申请日：2011-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/02 , H01L21/02266 , H01L21/02315 , H01L21/0273 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H05H1/46
Abstract: 내부에 플라즈마가 발생하는 처리실, 해당 처리실 내부에 배치된 탑재대, 해당 탑재대에 대향해서 상기 처리실 내부에 배치된 전극, 상기 처리실 내부에 제 １ 고주파 전력을 인가하기 위한 제 1 고주파 전원, 상기 탑재대에 상기 제 １ 고주파 전력보다 주파수가 낮은 제 ２ 고주파 전력을 인가하기 위한 제 2 고주파 전원, 상기 전극에 직류 전력을 인가하기 위한 직류 전원을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 에칭 대상막과, 그 에칭 대상막 상에 형성된 마스크막을 갖는 기판에 에칭 처리를 실시하는 에칭 처리 방법이 제공된다. 상기 에칭 처리 방법은, 상기 기판상의 마스크막에 형성된 패턴의 형상을 개량하는 패턴 형상 개량 스텝과, 상기 패턴의 형상이 개량된 마스크막을 이용하여 상기 에칭 대상막을 플라즈마로 에칭하는 대상막 에칭 스텝을 갖는다. 또한, 상기 패턴 형상 개량 스텝에서는, 상기 마스크 막을 플라즈마로 에칭하고, 상기 대상막 에칭 스텝에서는, 상기 직류 전력을 상기 전극에 인가하는 동시에, 상기 제 ２ 고주파 전력을 상기 탑재대에 제 1 전력 레벨과 상기 제 1 전력 레벨보다 낮은 제 2 전력 레벨이 반복되는 펄스파 형상으로 인가한다.
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