公开(公告)号：KR101037308B1

公开(公告)日：2011-05-27

申请号：KR1020057022970

申请日：2004-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  감바라히로미츠 ,  이와마노부히로 ,  코메이키 ,  모치키히로마사 ,  하기하라마사아키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 시스템에서 기판 상의 고-k 유전층을 에칭하는 방법에 관한 것이다. 상기 고-k 유전층은 예컨대 HfO
2 를 포함할 수 있다. 상기 고-k 유전층 에칭 방법은 상기 기판의 온도를 200 ℃ 이상(즉, 통상 대략 400 ℃)으로 상승시키는 단계와, 할로겐 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 도입하는 단계와, 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 점화하는 단계와, 상기 기판을 상기 플라즈마에 노출시키는 단계를 포함한다. 상기 처리 가스는 Si 및 SiO
2 에 대한 HfO
2 의 에칭 레이트를 향상시키기 위해서 환원 가스를 더 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070051846A

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：KR1020077002485

申请日：2005-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 시아애니와이 ,  모치키히로마사 ,  마호로와라앨판피

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 가변 에칭 저항성 무반사(Tunable Etch Resistant Anti-reflective; TERA) 코팅의 방법 및 시스템이 설명된다. TERA 코팅은 예컨대 하드 마스크 또는 리소그래피 구조체를 보완하기 위한 무반사 코팅으로 이용될 수 있다. TERA 코팅은 구조식 R:C:H:X를 포함하되, R은 Si, Ge, B, Sn, Fe, Ti 및 이들의 조합물 중 적어도 하나로 구성된 그룹으로부터 선택되고, X는 존재하지 않거나 O, N, S 및 F 중 하나 이상으로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 필름 스택 안의 구조체가 형성되는 동안, 패턴은 SF
6 기반의 에칭 화학을 갖는 건식 플라스마 에칭을 사용해 TERA 코팅에 전사된다.

公开(公告)号：KR101760949B1

公开(公告)日：2017-07-24

申请号：KR1020110016251

申请日：2011-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치키히로마사 ,  오카모토신 ,  니시지마다카시 ,  야마자키후미오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 내부에플라즈마가발생하는처리실, 해당처리실내부에배치된탑재대, 해당탑재대에대향해서상기처리실내부에배치된전극, 상기처리실내부에제 1 고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원, 상기탑재대에상기제 1 고주파전력보다주파수가낮은제 2 고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원, 상기전극에직류전력을인가하기위한직류전원을구비하는기판처리장치에있어서, 에칭대상막과, 그에칭대상막상에형성된마스크막을갖는기판에에칭처리를실시하는에칭처리방법이제공된다. 상기에칭처리방법은, 상기기판상의마스크막에형성된패턴의형상을개량하는패턴형상개량스텝과, 상기패턴의형상이개량된마스크막을이용하여상기에칭대상막을플라즈마로에칭하는대상막에칭스텝을갖는다. 또한, 상기패턴형상개량스텝에서는, 상기마스크막을플라즈마로에칭하고, 상기대상막에칭스텝에서는, 상기직류전력을상기전극에인가하는동시에, 상기제 2 고주파전력을상기탑재대에제 1 전력레벨과상기제 1 전력레벨보다낮은제 2 전력레벨이반복되는펄스파형상으로인가한다.

公开(公告)号：KR1020090048339A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：KR1020080110065

申请日：2008-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시미즈치시오 ,  덴포가즈키 ,  모치키히로마사

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 사용 시간이 경과해도 샤워 플레이트의 수명을 연장시키기 위해 이상 방전의 발생을 방지할 수 있는 샤워 플레이트를 제공한다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(11)내의 처리공간(S)에 처리 가스를 공급하는 샤워 헤드(30)를 구비하고, 해당 샤워헤드(30)는 원판형상의 샤워 플레이트(31)를 갖고, 해당 샤워 플레이트(31)는 샤워헤드(30)내에 형성되고 처리 가스가 도입되는 공간(34) 및 처리공간 S의 사이에 개재하고 공간(34) 및 처리공간(S)을 연통시키는 처리 가스 공급 경로(36)를 갖고, 해당 처리 가스 공급 경로(36)는 공간(34)측에 형성된 복수의 가스 구멍(40)과, 처리공간 S측에 형성된 복수의 가스 홈(41)을 갖고, 복수의 가스 구멍(40) 및 복수의 가스 홈(41)은 서로 연통하며, 모든 가스 홈(41)의 유로 단면적의 합계값은 모든 가스 구멍(40)의 유로 단면적의 합계값보다 크다.

公开(公告)号：KR1020170087069A

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：KR1020170090291

申请日：2017-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치키히로마사 ,  오카모토신 ,  니시지마다카시 ,  야마자키후미오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/768 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/203 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 내부에플라즈마가발생하는처리실, 해당처리실내부에배치된탑재대, 해당탑재대에대향해서상기처리실내부에배치된전극, 상기처리실내부에제 1 고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원, 상기탑재대에상기제 1 고주파전력보다주파수가낮은제 2 고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원, 상기전극에직류전력을인가하기위한직류전원을구비하는기판처리장치에있어서, 에칭대상막과, 그에칭대상막상에형성된마스크막을갖는기판에에칭처리를실시하는에칭처리방법이제공된다. 상기에칭처리방법은, 상기기판상의마스크막에형성된패턴의형상을개량하는패턴형상개량스텝과, 상기패턴의형상이개량된마스크막을이용하여상기에칭대상막을플라즈마로에칭하는대상막에칭스텝을갖는다. 또한, 상기패턴형상개량스텝에서는, 상기마스크막을플라즈마로에칭하고, 상기대상막에칭스텝에서는, 상기직류전력을상기전극에인가하는동시에, 상기제 2 고주파전력을상기탑재대에제 1 전력레벨과상기제 1 전력레벨보다낮은제 2 전력레벨이반복되는펄스파형상으로인가한다.

Abstract translation: 第一高频电源，所述安装用于施加第一射频功率室内部产生的等离子体，其安装设置在所述处理室，用于内，在反对载置台在所述电极上，设置在所述处理室内部，所述处理室 在用于第一，第二高频电力施加第二高频电源是比高频功率频率较低，在具有用于施加直流电力在电极上的直流电源的基板处理装置，并且被蚀刻膜，和 提供了一种蚀刻处理方法，用于对在待蚀刻膜上形成有掩模膜的基板进行蚀刻处理。 蚀刻处理的方法，且具有图案形状提高改善形成于基板上的掩模膜的图案的形状的步骤中，目标膜蚀刻工序中提到的刻蚀对象膜的等离子体，使用该图案提高掩模的图像的薄膜 。 另外，在图案形状改善步骤中，由掩模层称为等离子体，在目标膜蚀刻工序中，在同一时间的直流电力被第一功率电平施加到所述电极，与所述第二高频电源的大和 并且以重复脉冲形状施加比第一功率电平低的第二功率电平。

公开(公告)号：KR101037812B1

公开(公告)日：2011-05-30

申请号：KR1020080110065

申请日：2008-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시미즈치시오 ,  덴포가즈키 ,  모치키히로마사

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 사용 시간이 경과해도 샤워 플레이트의 수명을 연장시키기 위해 이상 방전의 발생을 방지할 수 있는 샤워 플레이트를 제공한다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(11)내의 처리공간(S)에 처리 가스를 공급하는 샤워 헤드(30)를 구비하고, 해당 샤워헤드(30)는 원판형상의 샤워 플레이트(31)를 갖고, 해당 샤워 플레이트(31)는 샤워헤드(30)내에 형성되고 처리 가스가 도입되는 공간(34) 및 처리공간 S의 사이에 개재하고 공간(34) 및 처리공간(S)을 연통시키는 처리 가스 공급 경로(36)를 갖고, 해당 처리 가스 공급 경로(36)는 공간(34)측에 형성된 복수의 가스 구멍(40)과, 처리공간 S측에 형성된 복수의 가스 홈(41)을 갖고, 복수의 가스 구멍(40) 및 복수의 가스 홈(41)은 서로 연통하며, 모든 가스 홈(41)의 유로 단면적의 합계값은 모든 가스 구멍(40)의 유로 단면적의 합계값보다 크다.

公开(公告)号：KR101475546B1

公开(公告)日：2014-12-22

申请号：KR1020100006725

申请日：2010-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야츠다고이치 ,  오오야요시노부 ,  오카모토신 ,  모치키히로마사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32697

Abstract: 형상성좋고, 또한높은에칭레이트로피에칭막을에칭해서고어스펙트비의홀을형성할수 있는플라즈마에칭방법을제공하는것이다. 플라즈마에칭에의해에칭대상막에홀을형성하는데있어서, 플라즈마생성용고주파전력인가유닛을온으로해서처리용기내에플라즈마를생성하고, 또한직류전원으로부터음의직류전압을상부전극에인가하는제 1 조건과, 플라즈마생성용고주파전력인가유닛을오프로해서처리용기내의플라즈마를소멸시키고, 또한직류전원으로부터음의직류전압을상부전극에인가하는제 2 조건을교대로반복하고, 제 1 조건에의해플라즈마중의양이온에의해에칭을진행시키고, 제 2 조건에의해음이온을생성하고, 직류전압에의해음이온을상기홀 내에공급함으로써홀 내의양전하를중화한다.

公开(公告)号：KR1020110097706A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020110016251

申请日：2011-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치키히로마사 ,  오카모토신 ,  니시지마다카시 ,  야마자키후미오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 내부에 플라즈마가 발생하는 처리실, 해당 처리실 내부에 배치된 탑재대, 해당 탑재대에 대향해서 상기 처리실 내부에 배치된 전극, 상기 처리실 내부에 제 １ 고주파 전력을 인가하기 위한 제 1 고주파 전원, 상기 탑재대에 상기 제 １ 고주파 전력보다 주파수가 낮은 제 ２ 고주파 전력을 인가하기 위한 제 2 고주파 전원, 상기 전극에 직류 전력을 인가하기 위한 직류 전원을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 에칭 대상막과, 그 에칭 대상막 상에 형성된 마스크막을 갖는 기판에 에칭 처리를 실시하는 에칭 처리 방법이 제공된다. 상기 에칭 처리 방법은, 상기 기판상의 마스크막에 형성된 패턴의 형상을 개량하는 패턴 형상 개량 스텝과, 상기 패턴의 형상이 개량된 마스크막을 이용하여 상기 에칭 대상막을 플라즈마로 에칭하는 대상막 에칭 스텝을 갖는다. 또한, 상기 패턴 형상 개량 스텝에서는, 상기 마스크 막을 플라즈마로 에칭하고, 상기 대상막 에칭 스텝에서는, 상기 직류 전력을 상기 전극에 인가하는 동시에, 상기 제 ２ 고주파 전력을 상기 탑재대에 제 1 전력 레벨과 상기 제 1 전력 레벨보다 낮은 제 2 전력 레벨이 반복되는 펄스파 형상으로 인가한다.

公开(公告)号：KR101860676B1

公开(公告)日：2018-05-23

申请号：KR1020170090291

申请日：2017-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치키히로마사 ,  오카모토신 ,  니시지마다카시 ,  야마자키후미오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/768 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/203 ,  H01L21/027

Abstract: 내부에플라즈마가발생하는처리실, 해당처리실내부에배치된탑재대, 해당탑재대에대향해서상기처리실내부에배치된전극, 상기처리실내부에제 1 고주파전력을인가하기위한제 1 고주파전원, 상기탑재대에상기제 1 고주파전력보다주파수가낮은제 2 고주파전력을인가하기위한제 2 고주파전원, 상기전극에직류전력을인가하기위한직류전원을구비하는기판처리장치에있어서, 에칭대상막과, 그에칭대상막상에형성된마스크막을갖는기판에에칭처리를실시하는에칭처리방법이제공된다. 상기에칭처리방법은, 상기기판상의마스크막에형성된패턴의형상을개량하는패턴형상개량스텝과, 상기패턴의형상이개량된마스크막을이용하여상기에칭대상막을플라즈마로에칭하는대상막에칭스텝을갖는다. 또한, 상기패턴형상개량스텝에서는, 상기마스크막을플라즈마로에칭하고, 상기대상막에칭스텝에서는, 상기직류전력을상기전극에인가하는동시에, 상기제 2 고주파전력을상기탑재대에제 1 전력레벨과상기제 1 전력레벨보다낮은제 2 전력레벨이반복되는펄스파형상으로인가한다.

公开(公告)号：KR101807558B1

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：KR1020110060614

申请日：2011-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야츠다코이치 ,  모치키히로마사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/3065

Abstract: 양이온에의한에칭효율을저하시키지않고, 음이온을유효하게이용하여전체적으로에칭효율을높일수 있는기판처리방법을제공한다. 플라즈마 RF 및바이어스 RF를각각펄스파로서인가하고, 플라즈마 RF 및바이어스 RF를모두인가하여플라즈마중의양이온에의해기판에에칭처리를실시하는양이온에칭단계(3b)와, 플라즈마 RF 및바이어스 RF의인가를모두정지하여처리실내에서음이온을발생시키는음이온생성단계(3c)와, 플라즈마 RF의인가를정지하고, 바이어스 RF를인가하여음이온을기판으로인입하는음이온인입단계(3a)를차례로반복하고, 바이어스 RF의듀티비를플라즈마 RF의듀티비보다크게한다.

Abstract translation: 本发明提供一种基板处理方法，其能够有效地利用阴离子且整体上提高蚀刻效率而不降低阳离子的蚀刻效率。 分别施加作为脉冲波等离子体RF及一偏压RF，所有的等离子体的RF及一偏压RF是由阳离子在等离子体中施加到阳离子蚀刻步骤（3b）中，以蚀刻工艺以在基板，等离子体RF的应用和偏置RF 负离子发生步骤3c，用于通过停止所有的负离子并停止施加等离子体RF并将负离子RF施加到基板以重复负离子引入步骤3a来在处理室中产生负离子， 等离子体RF的占空比大于等离子体RF的占空比。