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公开(公告)号：KR1020120129798A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020120052468
申请日：2012-05-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for forming a film are provided to improve the quality of a thin film by exposing the film to gas activated by plasma generation source. CONSTITUTION: A substrate is put in a vacuum chamber(1). A rotation table(2) is installed in the vacuum chamber. A substrate is mounted in the rotation table. The rotation table rotates. A reaction gas is supplied to the substrate. A reaction gas is adsorbed on the substrate to form a reactant. A gas including hydrogen is supplied to a plasma generation unit to generate plasma. [Reference numerals] (100) Control unit; (101) Memory unit; (102) Media; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的设备和方法，以通过将膜暴露于由等离子体产生源激活的气体来提高薄膜的质量。 构成：将基板放入真空室（1）中。 旋转台（2）安装在真空室中。 基板安装在旋转台中。 旋转台旋转。 将反应气体供给到基板。 反应气体被吸附在基底上以形成反应物。 包括氢的气体被供应到等离子体产生单元以产生等离子体。 （附图标记）（100）控制单元; （101）存储单元; （102）媒体; （AA，BB，CC，DD）N_2气体
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110049710A
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020100108491
申请日：2010-11-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/45502 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45587 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T137/8376
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium are provided to perform vacuum process of a substrate by discharging the air inside a vacuum container from a plurality of discharge pipes. CONSTITUTION: In a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium, a vacuum container(1) separates a ceiling plate(11) from the whole of a container body(12). A rotary table(2) is fixed to the core of a cylindrical shape. A groove is formed on the surface of the rotary table to mount a wafer. A core unit is fixed to the upper part of a rotary shaft(22) extended in vertical direction. A first discharge duct(63a) and a second discharge duct(63b) discharge the vacuum of the vacuum container.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以通过从多个排出管排出真空容器内的空气来进行基板的真空处理。 构成：在基板处理装置，基板处理方法和存储介质中，真空容器（1）将顶板（11）与容器主体（12）的整体分开。 旋转台（2）固定在圆筒形的芯上。 在旋转工作台的表面上形成一个槽以安装晶片。 芯单元固定在沿垂直方向延伸的旋转轴（22）的上部。 第一排出管道（63a）和第二排出管道（63b）排出真空容器的真空。
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公开(公告)号：KR101512880B1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：KR1020120052468
申请日：2012-05-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에 기판을 반입하고, 진공 용기 내에 회전 가능하도록 설치된 회전 테이블에 기판을 적재하는 스텝과, 회전 테이블을 회전하는 스텝과, 제1 반응 가스 공급부로부터 기판에 대하여 제1 반응 가스를 공급하고, 제1 반응 가스를 기판에 흡착시키는 흡착 스텝과, 제2 반응 가스 공급부로부터 기판에 대하여, 제1 반응 가스와 반응하는 제2 반응 가스를 공급하고, 기판에 흡착되는 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 반응시켜서 기판에 반응 생성물을 형성하는 형성 스텝과, 제1 및 제2 반응 가스 공급부로부터 회전 테이블의 원주 방향으로 이격해서 설치되는 플라즈마 발생부에 대하여 수소 함유 가스를 공급하고, 회전 테이블의 상방에 플라즈마를 생성하는 스텝을 포함하는 성막 방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明是第1反应气体相对于从气体供给该第一反应基板的工序，使在真空室中的基板，并且使旋转台的用于在旋转台将衬底装载的步骤是安装成能够在真空室中可旋转 并且与第一反应气体反应的第二反应气体从第二反应气体供应单元和吸附在基板和第二反应气体上的第一反应气体供应到基板， 由气体反应形成的第二反应以形成在基板步骤的反应产物，含氢气相对于所述第一和所述等离子体产生部的供给气体被从所述第二反应气体的旋转台的圆周方向上间隔开的供给部，旋转安装 还有一个在桌子上方产生等离子体的步骤。
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公开(公告)号：KR1020110074713A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：KR1020100134570
申请日：2010-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/68771
Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing plasma is provided to improve the processing capacity of plasma by including a generation part for secondary plasma to compensate the shortage of plasma. CONSTITUTION: A vacuum container processes an internal substrate with plasma. A penetration hole supporting the rear side of a wafer(W) and lifting the wafer is formed in the bottom surface of a concave part(24). A spinning table is fixed into the core part of a central cylindrical shape. A main plasma generation part(80) is arranged in a rod shape to be extended between the center and the perimeter of a spinning table. An activation gas injector(220) is arranged around the vacuum container in a radial shape.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理等离子体的装置，通过包括用于二次等离子体的发生部分来补偿等离子体的不足，从而提高等离子体的处理能力。 构成：真空容器用等离子体处理内部基板。 在凹部（24）的底面形成有支撑晶片（W）的后侧并提升晶片的贯通孔。 纺纱台固定在中心圆筒形的芯部。 主等离子体产生部件（80）以杆状布置以在纺纱台的中心和周边之间延伸。 激活气体注入器（220）以径向形状设置在真空容器周围。
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公开(公告)号：KR101380985B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020100134570
申请日：2010-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/68771
Abstract: 본 발명은 기판에 대해 플라즈마에 의해 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 그 내부에서 상기 기판에 대해 상기 플라즈마에 의해 처리가 행해지는 진공 용기와, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 기판을 적재하기 위한 복수의 기판 적재 영역이 형성된 회전 테이블과, 이 회전 테이블을 회전시키는 회전 기구와, 상기 기판 적재 영역에 플라즈마 발생용 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 기판 적재 영역의 통과 영역에 대향하는 위치에 있어서 상기 회전 테이블의 중앙부측과 외주측 사이에 막대 형상으로 신장되도록 설치되고, 상기 가스에 에너지를 공급하여 플라즈마화하기 위한 주 플라즈마 발생부와, 이 주 플라즈마 발생부에 대해 상기 진공 용기의 주위 방향으로 이격되어 설치되고, 당해 주 플라즈마 발생부에 의한 플라즈마의 부족분을 보상하기 위한 보조 플라즈마 발생부와, 상기 진공 용기 내를 진공 배기하는 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101291872B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：KR1020100108491
申请日：2010-11-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/45502 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45587 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T137/8376
Abstract: 제1 밸브가 개재 설치된 제1 배기로와, 제2 밸브가 개재 설치된 제2 배기로로부터 진공 용기(1) 내의 분위기를 각각 진공 배기할 수 있도록 하고, 진공 용기 내의 압력이 처리 압력(P)으로 되도록 제1 밸브의 개방도를 조정하는 동시에, 제1 배기로의 배기 유량과 제2 배기로의 배기 유량을 레시피에 따른 설정치로 하기 위해, 제2 배기로에 더 설치된 나비 밸브의 개방도(V)를 테이블에 기재된 값으로 설정하고, 계속해서, 제2 배기로에 더 설치된 차압계의 측정치가 테이블에 기재된 차압(ΔP)으로 되도록 제2 밸브의 개방도를 조정한다.
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