-
公开(公告)号：KR101380985B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020100134570
申请日：2010-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/68771
Abstract: 본 발명은 기판에 대해 플라즈마에 의해 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 그 내부에서 상기 기판에 대해 상기 플라즈마에 의해 처리가 행해지는 진공 용기와, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 기판을 적재하기 위한 복수의 기판 적재 영역이 형성된 회전 테이블과, 이 회전 테이블을 회전시키는 회전 기구와, 상기 기판 적재 영역에 플라즈마 발생용 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 기판 적재 영역의 통과 영역에 대향하는 위치에 있어서 상기 회전 테이블의 중앙부측과 외주측 사이에 막대 형상으로 신장되도록 설치되고, 상기 가스에 에너지를 공급하여 플라즈마화하기 위한 주 플라즈마 발생부와, 이 주 플라즈마 발생부에 대해 상기 진공 용기의 주위 방향으로 이격되어 설치되고, 당해 주 플라즈마 발생부에 의한 플라즈마의 부족분을 보상하기 위한 보조 플라즈마 발생부와, 상기 진공 용기 내를 진공 배기하는 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR101512880B1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：KR1020120052468
申请日：2012-05-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에 기판을 반입하고, 진공 용기 내에 회전 가능하도록 설치된 회전 테이블에 기판을 적재하는 스텝과, 회전 테이블을 회전하는 스텝과, 제1 반응 가스 공급부로부터 기판에 대하여 제1 반응 가스를 공급하고, 제1 반응 가스를 기판에 흡착시키는 흡착 스텝과, 제2 반응 가스 공급부로부터 기판에 대하여, 제1 반응 가스와 반응하는 제2 반응 가스를 공급하고, 기판에 흡착되는 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 반응시켜서 기판에 반응 생성물을 형성하는 형성 스텝과, 제1 및 제2 반응 가스 공급부로부터 회전 테이블의 원주 방향으로 이격해서 설치되는 플라즈마 발생부에 대하여 수소 함유 가스를 공급하고, 회전 테이블의 상방에 플라즈마를 생성하는 스텝을 포함하는 성막 방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明是第1反应气体相对于从气体供给该第一反应基板的工序，使在真空室中的基板，并且使旋转台的用于在旋转台将衬底装载的步骤是安装成能够在真空室中可旋转 并且与第一反应气体反应的第二反应气体从第二反应气体供应单元和吸附在基板和第二反应气体上的第一反应气体供应到基板， 由气体反应形成的第二反应以形成在基板步骤的反应产物，含氢气相对于所述第一和所述等离子体产生部的供给气体被从所述第二反应气体的旋转台的圆周方向上间隔开的供给部，旋转安装 还有一个在桌子上方产生等离子体的步骤。
-
公开(公告)号：KR1020130020593A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020120089372
申请日：2012-08-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/0228
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to form a film with high uniformity by uniformly supplying processing gas from a processing gas nozzle in a diameter direction of a rotating table. CONSTITUTION: A rotating table(2) is installed in a vacuum container and rotates a substrate loading region. A plurality of substrate loading regions are formed on the upper side of the rotating table. A gas nozzle includes a plurality of gas outlets. An exhaust port(61) exhausts the outside of the rotating table of gas in a rotation direction of the rotating table. A regulating member includes a wall part which partitions a space between the exhaust port and the gas nozzle in a part of an area between an outer frame and an inner frame of the substrate loading region. [Reference numerals] (100) Control unit
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过在旋转台的直径方向上均匀地从处理气体喷嘴提供处理气体，形成均匀的膜。 构成：旋转台（2）安装在真空容器中并旋转基板装载区域。 在旋转台的上侧形成有多个基板负载区域。 气体喷嘴包括多个气体出口。 排气口（61）沿旋转台的旋转方向排出气体旋转台的外部。 调节构件包括在基板装载区域的外框架和内框架之间的区域的一部分中分隔排气口和气体喷嘴之间的空间的壁部。 （附图标记）（100）控制单元
-
公开(公告)号：KR1020110074713A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：KR1020100134570
申请日：2010-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/68771
Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing plasma is provided to improve the processing capacity of plasma by including a generation part for secondary plasma to compensate the shortage of plasma. CONSTITUTION: A vacuum container processes an internal substrate with plasma. A penetration hole supporting the rear side of a wafer(W) and lifting the wafer is formed in the bottom surface of a concave part(24). A spinning table is fixed into the core part of a central cylindrical shape. A main plasma generation part(80) is arranged in a rod shape to be extended between the center and the perimeter of a spinning table. An activation gas injector(220) is arranged around the vacuum container in a radial shape.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理等离子体的装置，通过包括用于二次等离子体的发生部分来补偿等离子体的不足，从而提高等离子体的处理能力。 构成：真空容器用等离子体处理内部基板。 在凹部（24）的底面形成有支撑晶片（W）的后侧并提升晶片的贯通孔。 纺纱台固定在中心圆筒形的芯部。 主等离子体产生部件（80）以杆状布置以在纺纱台的中心和周边之间延伸。 激活气体注入器（220）以径向形状设置在真空容器周围。
-
公开(公告)号：KR101563773B1
公开(公告)日：2015-10-27
申请号：KR1020120049992
申请日：2012-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/4554 , H01J37/321
Abstract: 본발명은, 성막장치에있어서, 제1 처리가스및 제2 처리가스가순서대로복수회그 내부에공급되는진공용기, 기판적재영역을포함하는일면을갖고, 상기기판적재영역을상기진공용기내에서회전시키는회전테이블, 상기제1 처리가스를제1 영역에공급하는제1 처리가스공급부, 상기제2 처리가스를분리영역을통하여상기제1 영역으로부터상기회전테이블의주위방향으로이격한제2 영역에공급하는제2 처리가스공급부, 상기진공용기내에플라즈마발생용가스를공급하는플라즈마발생가스공급부, 상기회전테이블의상기일면에대향하고, 유도결합에의해상기플라즈마발생용가스로부터플라즈마를플라즈마공간에서발생시키는안테나, 상기안테나와상기플라즈마공간사이에설치되고, 상기안테나에직교하는방향으로배열되어있는복수의슬릿을갖고, 접지된, 패러데이쉴드를구비하는, 성막장치에관한것이다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101535682B1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：KR1020090080671
申请日：2009-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32559 , C23C16/452 , C23C16/45517 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J1/00 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 본발명의활성화가스인젝터는, 가스활성화실과가스도입실로구획되어, 이들의공간이서로연통된유로형성부재와, 가스도입실에처리가스를도입하기위한가스도입포트와, 가스활성화실내로병행하여신장되도록설치되고, 처리가스를활성화시키기위한전력이인가되는한 쌍의전극과, 가스활성화실에서활성화된가스를토출하기위하여전극의길이방향을따라설치된가스토출구를구비한다.
-
公开(公告)号：KR1020120129798A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020120052468
申请日：2012-05-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for forming a film are provided to improve the quality of a thin film by exposing the film to gas activated by plasma generation source. CONSTITUTION: A substrate is put in a vacuum chamber(1). A rotation table(2) is installed in the vacuum chamber. A substrate is mounted in the rotation table. The rotation table rotates. A reaction gas is supplied to the substrate. A reaction gas is adsorbed on the substrate to form a reactant. A gas including hydrogen is supplied to a plasma generation unit to generate plasma. [Reference numerals] (100) Control unit; (101) Memory unit; (102) Media; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的设备和方法，以通过将膜暴露于由等离子体产生源激活的气体来提高薄膜的质量。 构成：将基板放入真空室（1）中。 旋转台（2）安装在真空室中。 基板安装在旋转台中。 旋转台旋转。 将反应气体供给到基板。 反应气体被吸附在基底上以形成反应物。 包括氢的气体被供应到等离子体产生单元以产生等离子体。 （附图标记）（100）控制单元; （101）存储单元; （102）媒体; （AA，BB，CC，DD）N_2气体
-
公开(公告)号：KR101324367B1
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR1020100076663
申请日：2010-08-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/402 , C23C16/45536
Abstract: 회전 테이블을 회전시켜 웨이퍼(W) 상에 BTBAS 가스를 흡착시키고, 계속해서 웨이퍼(W)의 표면에 O
3 가스를 공급하여 웨이퍼(W)의 표면에 흡착한 BTBAS 가스를 반응시켜 산화 실리콘막을 성막하는 데 있어서, 산화 실리콘막을 성막한 후, 활성화 가스 인젝터로부터 웨이퍼(W) 상의 산화 실리콘막에 대해 Ar 가스의 플라즈마를 공급하여, 성막 사이클마다 개질 처리를 행한다.-
公开(公告)号：KR1020130026395A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：KR1020120097536
申请日：2012-09-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/345 , C23C16/45551 , H01J37/321 , H01J37/32733
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus, a film forming method, and a memory medium are provided to improve the degree of freedom in processing a substrate by including a main plasma generating unit and a sub plasma generating unit for a different kind of plasma processes. CONSTITUTION: A ceiling panel(11) is attached to or detached from a container body(12). A rotary table(2) rotates a substrate loading part in a vacuum container(1). The rotary table is fixed to a cylindrical core part(21). A first process gas supply unit and a second process gas supply unit supply a first process gas and a second process gas, respectively. A main plasma generating gas supply unit and a sub plasma generating gas supply unit(34) supply a main plasma generating gas and a sub plasma generating gas to the vacuum container, respectively. A main plasma generating unit(81) and a sub plasma generating unit are separately installed around the rotary table. [Reference numerals] (AA) Plasma generating gas; (BB,CC,DD,EE) N_2 gas
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，成膜方法和存储介质，以通过包括用于不同种类的等离子体处理的主等离子体产生单元和子等离子体生成单元来提高基板处理的自由度。 构成：将天花板（11）连接到容器主体（12）或从容器主体（12）拆卸下来。 旋转台（2）使真空容器（1）中的基板装载部分旋转。 旋转工作台固定在圆筒形芯部件21上。 第一处理气体供应单元和第二处理气体供应单元分别提供第一处理气体和第二处理气体。 主等离子体产生气体供给单元和副等离子体发生气体供给单元（34）分别向真空容器供给主等离子体产生气体和副等离子体产生气体。 主等离子体发生单元（81）和副等离子体产生单元分别安装在旋转台周围。 （附图标记）（AA）等离子体产生气体; （BB，CC，DD，EE）N_2气体
-
公开(公告)号：KR1020120127281A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020120049992
申请日：2012-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/4554 , H01J37/321
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus, a film forming method, and a storage medium are provided to remove or reduce impurities by forming a thin film and reforming the thin film using plasma with the deposition of. CONSTITUTION: A vacuum container(1) comprises a ceiling panel(11) and a container body(12). A spinning table(2) is fixed to a cylindrical core part(21). A driving part(23) rotates a rotary shaft(22) around vertical axis. A case(20) receives the rotary shaft and the driving part. A flange part of the case is closely installed at the lower side of a bottom surface(14) of the vacuum container. [Reference numerals] (AA) Gas for plasma generation; (BB) Plasma generation unit; (CC,DD,EE,FF) N_2 gas
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，成膜方法和存储介质，通过形成薄膜并通过沉积等离子体重整薄膜来除去或减少杂质。 构成：真空容器（1）包括顶板（11）和容器主体（12）。 旋转台（2）固定在圆筒形芯部（21）上。 驱动部（23）使旋转轴（22）绕垂直轴线旋转。 壳体（20）接收旋转轴和驱动部件。 壳体的凸缘部分紧密地安装在真空容器的底表面（14）的下侧。 （附图标记）（AA）用于等离子体产生的气体; （BB）等离子体发生单元; （CC，DD，EE，FF）N_2气体
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.026 seconds)
