公开(公告)号：KR1020170006278A

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：KR1020160085395

申请日：2016-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다바타마사히로 ,  가츠누마다카유키 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76897 ,  H01L2221/1063

Abstract: (과제) 산화실리콘으로구성된제 1 영역을질화실리콘으로구성된제 2 영역에대하여선택적으로에칭하는방법을제공한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, 제 1 영역및 제 2 영역을갖는피처리체를플라즈마처리장치의처리용기내에준비하는공정과, 처리용기내에있어서, 플루오로카본가스및 희가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 처리가스의플라즈마를생성하는상기공정에있어서, 자기바이어스전위가 4V 이상, 350V 이하이다. 또한, 처리가스중의플루오로카본가스의유량에대하여처리가스중의희가스의유량은, 250배이상, 5000배이하이다.

Abstract translation: 一种用于相对于第二氮化硅区域选择性蚀刻氧化硅的第一区域的方法包括：在等离子体处理设备的处理室中制备包括第一区域和第二区域的目标物体; 以及在所述处理室中产生含有碳氟化合物气体和稀有气体的处理气体的等离子体。 在产生处理气体的等离子体中，安装目标物体的下电极的自偏压电位大于或等于4V且小于或等于350V，并且稀土气体的流量在 处理气体是处理气体中的碳氟化合物气体的流量的250〜5000倍。