公开(公告)号：KR1020140068091A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147007812

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타가즈히로 ,  혼다마사노부 ,  가츠누마다카유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/26 ,  H01L2221/1015 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 에칭 처리 대상의 기판에 공급되는 에칭 가스의 공급 조건을 조절하는 공급 조건 조정부와, 탑재대 상에 탑재되는 상기 기판의 온도를 상기 반경 방향을 따라서 조정하는 온도 조정부와, 상기 공급 조건 조정부 및 상기 탑재대 사이의 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부를 가지는 에칭 장치에서 상기 기판을 에칭하는 에칭 방법으로서, 상기 기판의 온도가 상기 기판면내에서 균일하게 되도록 상기 온도 조정부에 의해 제어하는 공정과, 상기 플라즈마 발생부에 의해 발생되는 플라즈마 중의 활성종의 상기 기판 위쪽에서의 농도 분포를 상기 공급 조건 조정부에 의해 조정하는 공정을 포함하는 플라즈마 에칭 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101813321B1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：KR1020150047645

申请日：2015-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마다카유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  H01J37/32045 ,  H01L21/02115

Abstract: 산화막과카본막이교대로적층된피처리막에, 마이크로트렌치나, 측벽의요철이적은홈을형성한다. HTO막(2020)과카본막(2021)이교대로적층된 OCOC막(202)을, OCOC막(202) 상에형성된실리콘막(203)을마스크로하여, 제1 또는제2 CF계가스와산소가스를포함하는혼합가스의플라즈마에의해에칭하는플라즈마에칭방법에있어서, OCOC막(202)의도중까지는, 불소에대한탄소의함유비율이소정의비율인제1 CF계가스와산소가스를포함하는혼합가스의플라즈마에의해, OCOC막(202)을에칭하는제1 에칭공정을행하고, OCOC막(202)의도중부터는, 불소에대한탄소의함유비율이제1 CF계가스보다높은제2 CF계가스와산소가스를포함하는혼합가스의플라즈마에의해, OCOC막(202)을에칭하는제2 에칭공정을행한다.

Abstract translation: 在氧化膜和碳膜交替堆叠的待处理膜中形成在侧壁上具有小的不规则性的微沟槽和沟槽。 通过使用形成在OCOC膜202上的硅膜203作为掩模来形成堆叠为HTO膜2020和碳膜2021交联的OCOC膜202， 包含含碳气体和含氧气体的混合气体的等离子体的碳含量与氟的比率被确定为直到等离子体蚀刻方法中的OCOC膜202的程度， 对OCOC膜202进行第一蚀刻工艺以蚀刻OCOC膜202.OCOC膜202中的碳含量与氟的比例现在高于第一CF- 蚀刻OCOC膜202的第二蚀刻步骤通过混合气体的等离子体来进行。

公开(公告)号：KR1020120042775A

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020120011804

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지 ,  이마이노리아키 ,  오세다케시 ,  아베준 ,  가츠누마다카유키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to improve the stability and reliability of a plasma process by efficiently preventing the generation of charging damage. CONSTITUTION: An upper electrode(38) and a bottom electrode(12) are arranged in parallel facing each other in a processing container(10) which is vacuum exhaustible. A first radio frequency is applied to the bottom electrode passing through a first adapter(34) rather than a first radio frequency power(32). A controller(68) controls the first radio frequency power. A first period has first amplitude in which the first radio frequency contributing to plasma generation produces plasma. A second period has second amplitude in which the plasma is materially not produced. The first and second periods are alternatively repeated at a certain cycle.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过有效地防止产生充电损伤来提高等离子体工艺的稳定性和可靠性。 构成：在真空可耗尽的处理容器（10）中，上部电极（38）和下部电极（12）相互平行地排列。 第一射频被施加到穿过第一适配器（34）而不是第一射频功率（32）的底部电极。 控制器（68）控制第一射频功率。 第一时段具有第一幅度，其中有助于等离子体产生的第一射频产生等离子体。 第二时段具有第二幅度，其中等离子体实质上不产生。 交替地，在一个周期重复第一和第二周期。

公开(公告)号：KR1020170000340A

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020160075717

申请日：2016-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마다카유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116

Abstract: 피에칭층의에칭방법을제공한다. 일실시형태의방법은, 금속을함유하는마스크및 실리콘을함유하는피에칭층상에플루오로카본을포함하는퇴적물을형성하기위해, 그마스크및 그피에칭층을갖는피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에있어서, 플루오로카본가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과, 퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해피에칭층을에칭하기위해, 처리용기내에있어서불활성가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 이방법에서는, 제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함하는복수회의시퀀스가실행된다.

Abstract translation: 公开了一种蚀刻含有硅的蚀刻目标层并在其上设置有金属掩模的方法。 该方法包括：在容纳蚀刻目标层和掩模的处理容器中产生含有碳氟化合物气体的第一处理气体的等离子体，以在掩模和蚀刻目标层上形成含氟烃沉积物; 以及在所述处理容器中产生含有惰性气体的第二处理气体的等离子体，以通过所述沉积物中所含的碳氟化物的自由基来蚀刻所述蚀刻目标层。 执行多个序列，每个序列包括产生第一处理气体的等离子体和产生第二处理气体的等离子体。

公开(公告)号：KR1020140090162A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：KR1020147010840

申请日：2012-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마다카유키 ,  혼다마사노부 ,  구보타가즈히로 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 중앙부와 둘레가장자리부에서 에칭 형상을 균일화할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 챔버와, 그 챔버 내에 설치되어 피처리 웨이퍼가 배치되는 척과, 상기 척의 둘레가장자리부에 상기 웨이퍼의 배치 위치를 둘러싸도록 배치된 포커스 링과, 상기 웨이퍼의 직경 방향의 위치에 따라서 상이한 종류의 가스를 공급할 수 있는 가스 공급 기구를 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용하여 상기 웨이퍼를 포함하는 반도체 장치를 제조하는 제조 방법으로서, 유기막이 형성된 웨이퍼를 상기 척 상에 배치하고, 상기 처리 가스 공급 기구로부터, 상기 웨이퍼의 유기막을 에칭하는 에칭 가스를 상기 웨이퍼의 중앙부에 도입하며, 상기 처리 가스 공급 기구로부터, 상기 에칭 가스와 반응하는 성질을 갖는 에칭 저해 인자 가스를 상기 웨이퍼의 둘레가장자리부에 도입하고, 상기 에칭 가스를 이용하여 상기 웨이퍼를 플라즈마 에칭하는 것을 특징으로 한� ��.

公开(公告)号：KR101913891B1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：KR1020147007812

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타가즈히로 ,  혼다마사노부 ,  가츠누마다카유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/26 ,  H01L2221/1015 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 에칭처리대상의기판에공급되는에칭가스의공급조건을조절하는공급조건조정부와, 탑재대상에탑재되는상기기판의온도를상기반경방향을따라서조정하는온도조정부와, 상기공급조건조정부및 상기탑재대사이의공간에플라즈마를발생시키는플라즈마발생부를가지는에칭장치에서상기기판을에칭하는에칭방법으로서, 상기기판의온도가상기기판면내에서균일하게되도록상기온도조정부에의해제어하는공정과, 상기플라즈마발생부에의해발생되는플라즈마중의활성종의상기기판위쪽에서의농도분포를상기공급조건조정부에의해조정하는공정을포함하는플라즈마에칭방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020170006278A

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：KR1020160085395

申请日：2016-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다바타마사히로 ,  가츠누마다카유키 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76897 ,  H01L2221/1063

Abstract: (과제) 산화실리콘으로구성된제 1 영역을질화실리콘으로구성된제 2 영역에대하여선택적으로에칭하는방법을제공한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, 제 1 영역및 제 2 영역을갖는피처리체를플라즈마처리장치의처리용기내에준비하는공정과, 처리용기내에있어서, 플루오로카본가스및 희가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 처리가스의플라즈마를생성하는상기공정에있어서, 자기바이어스전위가 4V 이상, 350V 이하이다. 또한, 처리가스중의플루오로카본가스의유량에대하여처리가스중의희가스의유량은, 250배이상, 5000배이하이다.

Abstract translation: 一种用于相对于第二氮化硅区域选择性蚀刻氧化硅的第一区域的方法包括：在等离子体处理设备的处理室中制备包括第一区域和第二区域的目标物体; 以及在所述处理室中产生含有碳氟化合物气体和稀有气体的处理气体的等离子体。 在产生处理气体的等离子体中，安装目标物体的下电极的自偏压电位大于或等于4V且小于或等于350V，并且稀土气体的流量在 处理气体是处理气体中的碳氟化合物气体的流量的250〜5000倍。

公开(公告)号：KR1020090018582A

公开(公告)日：2009-02-20

申请号：KR1020080079816

申请日：2008-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지 ,  이마이노리아키 ,  오세다케시 ,  아베준 ,  가츠누마다카유키

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: A plasma processing apparatus, and the plasma processing method and a storage media are provided to effectively prevent generation of charging damage and to realize stability and reliability of plasma processing. An object to be processed is mounted on a first electrode in a processing chamber(10). A second electrode faces parallel to the first electrode in processing chamber. A processing gas supply unit(62) supplies a processing gas to a processing space between the first and second electrodes. A first radio frequency feeding unit applies the first radio frequency contributing to a plasma generation of the processing gas. A controller(68) controls the first radio frequency feeding unit to alternate the first and second periods. In a first period, the first radio frequency of a first amplitude creates plasma. In a second period, the first radio frequency does not create plasma substantially.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和存储介质，以有效地防止产生充电损坏并实现等离子体处理的稳定性和可靠性。 要处理的物体安装在处理室（10）中的第一电极上。 第二电极在处理室中平行于第一电极。 处理气体供给单元（62）将处理气体供给到第一和第二电极之间的处理空间。 第一射频馈送单元施加有助于处理气体的等离子体产生的第一射频。 控制器（68）控制第一射频馈送单元交替第一和第二周期。 在第一时段中，第一幅度的第一射频产生等离子体。 在第二时段中，第一射频不产生等离子体。

公开(公告)号：KR1020160124670A

公开(公告)日：2016-10-28

申请号：KR1020160044063

申请日：2016-04-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이청종 ,  가츠누마다카유키 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

Abstract: 유기막의플라즈마에칭에있어서, 하드마스크의형상을개선한다. 일실시형태의방법에서는, 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에있어서수소가스및 질소가스를포함하는처리가스의플라즈마가생성된다. 처리가스의플라즈마의생성에의해, 하드마스크로부터노출되어있는유기막의일부영역이변질영역으로변화한다. 계속해서, 처리용기내에있어서희가스의플라즈마가생성된다. 희가스의플라즈마에의해, 변질영역이제거되고, 상기변질영역으로부터방출되는물질이하드마스크의표면상에퇴적한다. 이방법에서는, 처리가스의플라즈마의생성과희가스의플라즈마의생성이교대로반복된다.

公开(公告)号：KR1020150117215A

公开(公告)日：2015-10-19

申请号：KR1020150047645

申请日：2015-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마다카유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  H01J37/32045 ,  H01L21/02115

Abstract: 산화막과카본막이교대로적층된피처리막에, 마이크로트렌치나, 측벽의요철이적은홈을형성한다. HTO막(2020)과카본막(2021)이교대로적층된 OCOC막(202)을, OCOC막(202) 상에형성된실리콘막(203)을마스크로하여, 제1 또는제2 CF계가스와산소가스를포함하는혼합가스의플라즈마에의해에칭하는플라즈마에칭방법에있어서, OCOC막(202)의도중까지는, 불소에대한탄소의함유비율이소정의비율인제1 CF계가스와산소가스를포함하는혼합가스의플라즈마에의해, OCOC막(202)을에칭하는제1 에칭공정을행하고, OCOC막(202)의도중부터는, 불소에대한탄소의함유비율이제1 CF계가스보다높은제2 CF계가스와산소가스를포함하는혼합가스의플라즈마에의해, OCOC막(202)을에칭하는제2 에칭공정을행한다.

Abstract translation: 在要处理的膜上依次堆叠氧化膜和碳膜，形成在侧壁上具有少量凸起的微通道或凹槽。 在用于蚀刻其中HTO膜（2020）和碳膜（2021）依次用形成在OCOC膜（202）上的硅酮膜（203）作为掩模的OCOC膜（202）的等离子体蚀刻方法中， 通过包含第一或第二CF基气体和氧气的混合气体的等离子体，进行第一蚀刻工艺，以通过包含第一CF基气体的混合气体的等离子体蚀刻OCOC膜（202） 具有一定比例的碳与氟的氧气直到OCOC膜（202）的中间，并且进行第二蚀刻工艺，以通过包含第二CF基的混合气体的等离子体来蚀刻OCOC膜（202） 气体和氧气比OCOC膜（202）中间的第一CF基气体的碳与氟比高。