公开(公告)号：KR1020080079175A

公开(公告)日：2008-08-29

申请号：KR1020080001297

申请日：2008-01-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  나가이히로유키 ,  하타노다츠오 ,  다카시사쿠마

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C14/185 ,  C23C14/027 ,  C23C14/345 ,  C23C14/544 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method and an apparatus for forming a sputter film are provided to change a concentration of an additive metal in an alloy film by changing parameters, such as a high frequency power for forming plasma and a plasma input power supplied to a metal target. An apparatus for forming a sputter film supplies gas for generating plasma into a process chamber, supplies power to the gas, and deposits an alloy film on an object to be processed. The apparatus for forming the sputter film includes a memory portion(37) and a control portion(30). The memory portion relates various parameter values including a pressure and a power inside the process chamber to a first alloy film, relates other parameter values to a second alloy film, and stores the parameter values of the first and second alloy films in a database. Concentration values of additive metals in the first and second alloy films are different from each other. The control portion reads the parameter values corresponding to the first and second alloy films from the database, and outputs a control signal, such that sputter films are sequentially formed on the first and second alloy films based on parameter values.

Abstract translation: 提供了用于形成溅射膜的方法和装置，通过改变诸如用于形成等离子体的高频功率和提供给金属靶的等离子体输入功率的参数来改变合金膜中的添加金属的浓度。 用于形成溅射膜的装置将用于产生等离子体的气体供应到处理室中，为气体供电，并将合金膜沉积在待处理物体上。 用于形成溅射膜的装置包括存储部分（37）和控制部分（30）。 存储器部分将包括处理室内的压力和功率的各种参数值与第一合金膜相关，将其它参数值与第二合金膜相关，并将第一和第二合金膜的参数值存储在数据库中。 第一和第二合金膜中的添加金属的浓度值彼此不同。 控制部分从数据库读取对应于第一和第二合金膜的参数值，并输出控制信号，使得基于参数值在第一和第二合金膜上依次形成溅射膜。

公开(公告)号：KR100984992B1

公开(公告)日：2010-10-04

申请号：KR1020080001297

申请日：2008-01-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  나가이히로유키 ,  하타노다츠오 ,  다카시사쿠마

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C14/185 ,  C23C14/027 ,  C23C14/345 ,  C23C14/544 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: [과제]
1 개의 처리 용기 내에서 스퍼터에 의해 두께 방향으로 농도 구배를 갖도록 첨가 금속을 함유한 합금층을 피처리체 상에 용이하게 형성할 수 있는 기술을 제공하는 것.
[해결 수단]
첨가 금속과 주금속을 함유하는 합금으로 이루어지는 금속 타겟을 구비한 처리 용기 내에 플라즈마 발생용 가스를 공급함과 함께 이 가스에 전력을 공급하여 플라즈마화하고, 그 플라즈마에 의해 스퍼터된 금속 타겟 입자에 의해 제 1 합금막을 피처리체에 막형성하는 제 1 막형성 공정과, 처리 용기 내의 압력 및 상기 전력의 적어도 하나를 다르게 하여 플라즈마를 발생시키고, 스퍼터된 상기 금속 타겟의 입자에 의해, 첨가 금속의 농도가 제 1 합금막의 첨가 금속의 농도와는 상이한 제 2 합금막을 제 1 합금막에 적층하는 제 2 막형성 공정을 포함하도록 스퍼터 막형성을 실시하여, 주금속에 대한 첨가 금속의 농도가 두께 방향으로 상이한 막을 막형성할 수 있다.
농도 구배, 첨가 금속, 주금속, 피처리체, 금속 타겟, 스퍼터 막형성