公开(公告)号：KR1020140021628A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020137028611

申请日：2012-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠시마다카라 ,  이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C14/046 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 Cu 배선의 형성 방법은, 트렌치를 가지는 웨이퍼의 전체면(全面)에 배리어막을 형성하는 공정과, 배리어막 상에 Ru막을 형성하는 공정과, Ru막 상에 PVD에 의해 순Cu막을 형성해서 트렌치를 매립하는 공정과, 순Cu막 상에 PVD에 의해 Cu 합금막을 형성하는 공정과, CMP에 의해 전체면을 연마해서 Cu 배선을 형성하는 공정과, Cu 배선상에 유전체로 이루어지는 캡층을 형성하는 공정과, Cu 배선과 캡층의 계면에 대응하는 부분을 포함하는 영역에, Cu 합금막에 포함되는 합금성분을 편석시키는 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR101196501B1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020097001198

申请日：2007-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877

Abstract: 유기 불순물층의 형성을 억제하고 또한 구리막과 하지로 되는 금속의 밀착성이 양호한 반도체장치를 제조한다. 티탄 등의 산화 경향이 높은 금속으로 이루어지는 배리어 메탈층(13)(하지막)이 피복된 기판(웨이퍼(W))이 처리 용기내에 탑재된다. 수증기의 공급 개시와 동시 또는 그 후, 구리의 유기 화합물(예를 들면 Cu(hfac)TMVS)로 이루어지는 원료 가스가 공급되어, 수증기에 의해 산화물층(13a)이 형성된 배리어 메탈층(13)의 표면에 구리막이 성막된다. 다음에, 이 웨이퍼(W)에 열처리를 실시하여, 산화물층(13a)을, 배리어 메탈층(13)을 구성하는 금속과 구리의 합금층(13b)으로 변환한다.

公开(公告)号：KR101134713B1

公开(公告)日：2012-04-13

申请号：KR1020067005658

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은 SFD(sequential flow deposition)를 사용하여 양호한 표면 형태를 가지는 금속층을 성막하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 처리 챔버 내의 기판을 금속 카르보닐 전구체 가스와 환원 가스에 번갈아 노출시키는 것을 포함한다. 금속 카르보닐 전구체 가스에 노출되는 동안, 열 분해에 의해 상기 기판에 얇은 금속층이 성막되고, 후속해서 상기 금속층을 상기 환원 가스에 노출시키는 것은, 상기 금속층으로부터 반응 부산물을 제거하는 것을 돕는다. 원하는 두께의 금속층이 얻어질 때까지 상기 금속 카르보닐 전구체 및 환원 가스에 노출시키는 단계는 반복될 수 있다. 예컨대, 상기 금속 카르보닐 전구체는 W(CO)
6 , Ni(CO)
4 , Mo(CO)
6 , Co
2 (CO)
8 , Rh
4 (CO)
12 , Re
2 (CO)
10 , Cr(CO)
6 , Ru
3 (CO)
12 로부터 선택될 수 있다.
SFD, 성막, 금속 카르보닐 전구체

公开(公告)号：KR1020110134524A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：KR1020117028190

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리팬톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은 SFD(sequential flow deposition)를 사용하여 양호한 표면 형태를 가지는 금속층을 성막하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 처리 챔버 내의 기판을 금속 카르보닐 전구체 가스와 환원 가스에 번갈아 노출시키는 것을 포함한다. 금속 카르보닐 전구체 가스에 노출되는 동안, 열 분해에 의해 상기 기판에 얇은 금속층이 성막되고, 후속해서 상기 금속층을 상기 환원 가스에 노출시키는 것은, 상기 금속층으로부터 반응 부산물을 제거하는 것을 돕는다. 원하는 두께의 금속층이 얻어질 때까지 상기 금속 카르보닐 전구체 및 환원 가스에 노출시키는 단계는 반복될 수 있다. 예컨대, 상기 금속 카르보닐 전구체는 W(CO)
6 , Ni(CO)
4 , Mo(CO)
6 , Co
2 (CO)
8 , Rh
4 (CO)
12 , Re
2 (CO)
10 , Cr(CO)
6 , Ru
3 (CO)
12 로부터 선택될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100126307A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107018300

申请日：2009-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  미즈사와야스시 ,  다가사토시 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/16

CPC classification number: C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

Abstract: 성막 방법은, 금속 카르보닐을 함유하는 처리 가스와 일산화탄소를 함유하는 캐리어 가스를 포함하는 처리 가스 흐름을, 피처리 기판의 표면을 피하여, 피처리 기판의 외주보다 직경 방향 상외측의 영역으로 흘리고, 상기 처리 가스 흐름으로부터 상기 금속 카르보닐을 상기 피처리 기판의 표면으로 확산시켜, 상기 피처리 기판의 표면에 금속막을 성막하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060089212A

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：KR1020067005658

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: A method for depositing metal layers with good surface morphology using sequential flow deposition includes alternately exposing a substrate in a process chamber to a metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas. During exposure with the metal-carbonyl precursor gas, a thin metal layer is deposited on the substrate by thermal decomposition, and subsequent exposure of the metal layer to the reducing gas aids in the removal of reaction by-products from the metal layer. The metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas exposure steps can be repeated until a metal layer with a desired thickness is achieved. The metal-carbonyl precursor can, for example, be selected from W(CO) 6, Ni(CO)4, MO(CO)6, C02(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12.

Abstract translation: 使用顺序流动沉积沉积具有良好表面形态的金属层的方法包括将处理室中的衬底交替地暴露于羰基金属前体气体和还原气体。 在用羰基金属前驱体气体曝光的同时，通过热分解在基板上沉积薄金属层，随后将金属层暴露于还原气体有助于从金属层除去反应副产物。 可以重复金属羰基前体气体和还原气体暴露步骤，直到达到具有所需厚度的金属层。 金属羰基前体可以例如选自W（CO）6，Ni（CO）4，MO（CO）6，CO 2（CO）8，Rh 4（CO）12，Re 2（CO） （CO）6和Ru 3（CO）12。

公开(公告)号：KR100348575B1

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：KR1019980023061

申请日：1998-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하타노다츠오

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명에 따른 세정 처리 방법에서는 피처리체를 CVD 장치의 처리 챔버내의 탑재대 상에 탑재하고, TiCl
4 가스, H
2 가스 및 Ar 가스를 도입하며, 플라즈마가 생성된 영역내에서 피처리체의 표면상에 Ti 막을 형성하며, 피처리체를 처리 챔버로부터 이송하며, 그 후 플라즈마를 생성시키지 않고서 H
2 가스 및 Ar 가스의 공급을 중단하며, TiCl
4 가스를 반송 가스에 의해 도입하여 성막 장치의 내벽에 고착된 불필요한 Ti 막을 제거한다.

公开(公告)号：KR1019960002583A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019950018049

申请日：1995-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  하타노다츠오

IPC: H01L21/28

Abstract: 상막처리실로 성막용의 저증기압 액체재료를 공급하는 장치에 있어서, 저장통 내의 저증기압 액체재료를 가압용 통로로부터의 가압기체에 의해서 가압액체 공급통로로 밀어내고 이것을 유량제어부에서 유량제어하면서 기화기로 공급하여 기화시키고, 기화된 가스를 재액화 방지용의 가열수단을 설치한 가스공급통로를 통해서 성막처리실로 공급한다. 이에 의해서, 성막용 액체재료를 안정적이고 또한 정밀도 좋게 공급한다.

公开(公告)号：KR101434033B1

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：KR1020120107787

申请日：2012-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키 ,  고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

Abstract: 본 발명의 과제는 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시키고, 타겟의 사용 효율을 향상시키는 것이다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터 장치는 진공용기(2)내에 탑재된 웨이퍼(10)에 대향하도록 타겟(31)을 배치하고, 이 타겟(31)의 배면측에 마그네트 배열체(5)를 마련한다. 이 마그네트 배열체(5)는 마그네트(61, 62)가 매트릭스형상으로 배열된 내측 마그네트군(54)과, 이 내측 마그네트군(54)의 주위에 마련되고, 전자의 튀어나감을 저지하는 리턴용의 마그네트(53)를 구비하고 있다. 이에 따라 타겟(31)의 바로 아래에 커스프 자계에 의한 전자의 드리프트에 의거하여 고밀도의 플라즈마가 발생하고, 또 이로전의 면내 균일성이 높아진다. 이 때문에 타겟(31)과 웨이퍼(10)를 접근시켜 스퍼터를 실행할 수 있고, 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시킬 수 있는 동시에, 타겟의 사용 효율이 높아진다.

公开(公告)号：KR101240076B1

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：KR1020107028339

申请日：2009-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  야스무로치아키

IPC: H01L21/205 ,  B01D53/14 ,  B01D53/72 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  B01D53/002 ,  B01D53/62 ,  B01D53/75 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/416 ,  C23C16/16 ,  Y02C20/30

Abstract: 본 발명은, 특정한 냉매에 대하여 분해되지 않고 안정된 특성을 갖는 유기 금속 화합물의 원료를 기화시켜 얻어진 원료 가스를 이용하여 피처리체의 표면에 금속의 박막을 형성하도록 한 처리 용기로부터 배출되는 배기 가스중으로부터, 상기 원료를 회수하는 원료 회수 방법에 있어서, 상기 배기 가스를 상기 냉매와 접촉시켜 냉각함으로써, 미반응의 원료 가스를 응고시키고, 상기 원료를 재석출시키는 응고 공정과, 상기 응고 공정에서 재석출된 상기 원료를, 상기 냉매로부터 분리하여 회수하는 회수 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 원료 회수 방법이다.