公开(公告)号：KR1020030020260A

公开(公告)日：2003-03-08

申请号：KR1020027009550

申请日：2001-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세누고우지 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 배선 지연이 경감되는 동시에 배선의 신뢰성이 높은 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
베이스 절연층(10) 상에, 배선 사이의 피치(P1∼P3)가 다른 복수의 배선(12a∼12f)을 형성한다. 이어서, 배선 설계상 배선 지연이 소정치를 넘는다고 예측되는 배선 사이의 피치가 작은 인접하는 배선 사이에, 이 배선 위에 형성되는 층간 절연층(16)과의 밀착을 저해하는 밀착 저해층을 형성한다. 형성되는 반도체 장치(18)는 배선 피치가 작은 배선 사이에 유전률이 작은 공극부가 형성되는 동시에(C부), 배선 피치가 큰 배선 사이에 절연막이 선택적으로 매립된다(A부, B부).

公开(公告)号：KR102017944B1

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：KR1020170123274

申请日：2017-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키히로아키 ,  마츠모토다카시 ,  나가이히로유키 ,  이후쿠료우타

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768

公开(公告)号：KR1020170106461A

公开(公告)日：2017-09-20

申请号：KR1020177023498

申请日：2016-01-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  창프엉 ,  마츠모토켄지

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76864 ,  C23C14/025 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76877

Abstract: 정해진패턴의트렌치, 및트렌치의바닥에형성된비아를가지는막이표면에형성된기판에대하여, 트렌치및 비아에 Cu 또는 Cu 합금을매립하여 Cu 배선을형성하는방법으로서, 배리어막을형성하는공정(단계 2)과, 배리어막표면에 Ru 등으로이루어지는피습윤층을형성하는공정(단계 3)과, 이어서, 피습윤층의표면에 PVD에의해 Cu계시드막을형성하는공정(단계 4)과, 이어서, 기판을가열하여, Cu계시드막을비아내에유입시켜비아를메우는공정(단계 5)과, 이어서, 기판표면에 Cu 또는 Cu 합금으로이루어지는 Cu계막을, 피습윤층상에서유동가능한조건의 PVD에의해형성하여, Cu계막을상기트렌치내에매립하는공정(단계 6)을가진다.

Abstract translation: 与经由形成于在一个给定的图案的沟槽，以及一个沟槽，通过在沟槽和通孔中填充铜或铜合金，形成Cu布线，步骤（步骤2）的方法的底部形成一个表面上设置有相对于基片膜以形成阻挡膜 并且，阻挡过程（步骤3）和成膜的piseup yuncheung由PVD的piseup yuncheung步骤（步骤4），以形成脱膜的Cu启示，并且随后的表面上形成由Ru等表面的，然后将它，加热衬底 于Cu揭示德膜和（5）填充流入通孔中的通孔中的步骤，然后，由Cu或Cu合金的到衬底表面Cu系膜，是通过PVD在piseup yuncheung可流动状态形成的，铜 - 它基于 还有一个将薄膜嵌入沟槽的步骤（步骤6）。

公开(公告)号：KR1020170095164A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：KR1020170019589

申请日：2017-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유카이-헝 ,  오이에마나부 ,  마에카와카오루 ,  와즈다코리 ,  레우싱크게릿 ,  기쿠치유우키 ,  가와사키히로아키 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/203 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238

Abstract: 반도체제조시의구리(Cu) 금속화에의해컨포멀배리어층및 루테늄(Ru) 금속라이너를집적하는방법을여러실시예에서설명한다. 일실시예에따르면, 방법은리세스형피처를포함하는기판을제공하는단계; 리세스형피처내에배리어층을증착하는단계; 배리어층상에 Ru 금속라이너를증착하는단계; Ru 금속라이너를통하여배리어층을산화시키도록기판을산화원가스에노출시키는단계를포함한다. 방법은, IPVD 공정을이용하여 CuMn 금속으로리세스형피처를메우는단계; Mn을상기 CuMn 금속으로부터산화된배리어층으로확산시키도록기판을열처리하는단계; Mn 함유확산배리어를형성하기위하여확산된 Mn을산화된배리어층과반응시키는단계를더 포함한다.

Abstract translation: 在各种实施例中描述了用于在半导体制造期间通过铜金属化来整合共形阻挡层和钌（Ru）金属衬里的方法。 根据一个实施例，一种方法包括提供包括凹陷特征的衬底; 在凹陷特征内沉积阻挡层; 在阻挡层上沉积Ru金属衬垫; 并且将衬底暴露于氧化源气体以通过Ru金属衬垫氧化阻挡层。 该方法包括使用IPVD工艺用CuMn金属填充凹陷特征; 退火衬底以将Mn从CuMn金属扩散到氧化的阻挡层; 并且使扩散的Mn与氧化的阻挡层反应以形成含Mn的扩散阻挡层。

公开(公告)号：KR102008475B1

公开(公告)日：2019-08-07

申请号：KR1020177023498

申请日：2016-01-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  창프엉 ,  마츠모토켄지

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

公开(公告)号：KR101923841B1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：KR1020177010914

申请日：2015-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치유우키 ,  나가이히로유키 ,  히로타요시히로 ,  스즈키미키오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14 ,  H01L21/033 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C14/14 ,  C23C14/185 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 피처리체에존재하는에칭대상막(102)을에칭하기위한메탈하드마스크(103)는박막형성기술로형성된아몰퍼스합금막으로이뤄진다. 박막형성기술로서물리증착법을이용하는것이바람직하고, 그중에스퍼터링을매우적합하게이용할수 있다. 메탈하드마스크(103)는, 에칭대상막(102)의위에박막형성기술에의해아몰퍼스합금막을성막하고, 아몰퍼스합금막을패턴화하는것으로얻을수 있다.

公开(公告)号：KR1020080080941A

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：KR1020080019100

申请日：2008-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  미요시히데노리 ,  마에카와카오루

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873

Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided to suppress oxidation of a copper layer in burying a copper interconnection by using an alloy layer of copper and added metal along a concave part of an insulation layer. An alloy layer formed by adding metal to copper is formed along the wall surface of a concave part(75) of an interlayer dielectric on a substrate. A barrier layer is formed which is made of a compound of the added metal and a constitution element of the interlayer dielectric. The substrate is heated in an atmosphere including organic acid, organic acid anhydride and ketone to extract surplus added metal to the surface of the alloy layer. The surplus added metal extracted to the surface of the alloy layer can be removed. Copper is filled in the concave part.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，以通过使用铜的合金层和沿着绝缘层的凹部添加金属来抑制铜互连的铜层的氧化。 沿着衬底上的层间电介质的凹部（75）的壁面形成通过将铜添加而形成的合金层。 形成由添加金属的化合物和层间电介质的构成元素构成的阻挡层。 将基材在包括有机酸，有机酸酐和酮的气氛中加热，以向合金层的表面提取剩余的添加金属。 可以除去提取到合金层表面的剩余添加金属。 铜填充在凹部中。

公开(公告)号：KR1020080079175A

公开(公告)日：2008-08-29

申请号：KR1020080001297

申请日：2008-01-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  나가이히로유키 ,  하타노다츠오 ,  다카시사쿠마

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C14/185 ,  C23C14/027 ,  C23C14/345 ,  C23C14/544 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method and an apparatus for forming a sputter film are provided to change a concentration of an additive metal in an alloy film by changing parameters, such as a high frequency power for forming plasma and a plasma input power supplied to a metal target. An apparatus for forming a sputter film supplies gas for generating plasma into a process chamber, supplies power to the gas, and deposits an alloy film on an object to be processed. The apparatus for forming the sputter film includes a memory portion(37) and a control portion(30). The memory portion relates various parameter values including a pressure and a power inside the process chamber to a first alloy film, relates other parameter values to a second alloy film, and stores the parameter values of the first and second alloy films in a database. Concentration values of additive metals in the first and second alloy films are different from each other. The control portion reads the parameter values corresponding to the first and second alloy films from the database, and outputs a control signal, such that sputter films are sequentially formed on the first and second alloy films based on parameter values.

Abstract translation: 提供了用于形成溅射膜的方法和装置，通过改变诸如用于形成等离子体的高频功率和提供给金属靶的等离子体输入功率的参数来改变合金膜中的添加金属的浓度。 用于形成溅射膜的装置将用于产生等离子体的气体供应到处理室中，为气体供电，并将合金膜沉积在待处理物体上。 用于形成溅射膜的装置包括存储部分（37）和控制部分（30）。 存储器部分将包括处理室内的压力和功率的各种参数值与第一合金膜相关，将其它参数值与第二合金膜相关，并将第一和第二合金膜的参数值存储在数据库中。 第一和第二合金膜中的添加金属的浓度值彼此不同。 控制部分从数据库读取对应于第一和第二合金膜的参数值，并输出控制信号，使得基于参数值在第一和第二合金膜上依次形成溅射膜。

公开(公告)号：KR1020170060093A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：KR1020177010914

申请日：2015-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치유우키 ,  나가이히로유키 ,  히로타요시히로 ,  스즈키미키오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14 ,  H01L21/033 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C14/14 ,  C23C14/185 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 피처리체에존재하는에칭대상막(102)을에칭하기위한메탈하드마스크(103)는박막형성기술로형성된아몰퍼스합금막으로이뤄진다. 박막형성기술로서물리증착법을이용하는것이바람직하고, 그중에스퍼터링을매우적합하게이용할수 있다. 메탈하드마스크(103)는, 에칭대상막(102)의위에박막형성기술에의해아몰퍼스합금막을성막하고, 아몰퍼스합금막을패턴화하는것으로얻을수 있다.

Abstract translation: 用于蚀刻存在于待处理对象中的蚀刻目标膜102的金属硬掩模103由通过薄膜形成技术形成的非晶合金膜形成。 作为薄膜形成技术，优选使用物理气相沉积，并且可以适当地使用溅射。 金属硬掩模103可以通过薄膜形成技术在被蚀刻膜102的表面上形成非晶质合金膜并对该非晶质合金膜进行图案化而得到。

公开(公告)号：KR1020160111333A

公开(公告)日：2016-09-26

申请号：KR1020160029686

申请日：2016-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이시자카다다히로 ,  창펑 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: MnO막위에양호한표면상태의 Ru막을양호한성막성으로연속막으로서성막할수 있어서, 양호한매립성으로 Cu를매립한다. 표면에소정패턴의오목부(203)가형성된층간절연막(202)을갖는기판(W)에대해, 오목부(203)를매립하는 Cu 배선을제조할때에, MnO막(205)을 ALD에의해형성하는공정과, MnO막의표면에수소라디칼처리를실시하는공정과, 수소라디칼처리후의 MnO막의표면에 Ru막(206)을 CVD에의해형성하는공정과, Cu계막(207)을 PVD에의해형성하여오목부(203) 내에 Cu계막(207)을매립하는공정을구비하고, Ru막(206)을성막할때에, 핵형성이촉진되며, 또한표면평활성이높은상태로 Ru막(206)이성막되도록, MnO막(205)의성막조건및 수소라디칼처리의조건을규정한다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造铜布线的方法，通过良好的成膜性能在MnO_x膜上形成具有良好表面状态的Ru膜作为连续膜，能够通过良好的掩埋性能掩埋Cu。 当Cu布线相对于具有层间绝缘膜（202）的衬底（W）埋入凹部（203），其中在表面上形成预定图案的凹部（203）时，该方法包括： 通过原子层沉积（ALD）形成MnO_x膜（205）; 在所述MnO_x膜（205）的表面上进行氢自由基处理的工序; 在氢自由基处理之后通过化学气相沉积（CVD）在MnO_x膜的表面上形成Ru膜（206）的工艺; 以及通过物理气相沉积（PVD）形成Cu基膜（207）以将Cu基膜（207）埋入凹部（203）中的工艺。 当形成Ru膜（206）时，限定MnO_x膜（205）的成膜条件和氢自由基加工条件，以促进核形成，并在高表面光滑度的状态下形成Ru膜（206）。