公开(公告)号：KR102038174B1

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：KR1020150023071

申请日：2015-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시루이 ,  이시타류우 ,  나리시게가즈키

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR1020150055549A

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：KR1020140150004

申请日：2014-10-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우라카와마사후미 ,  다카하시루이 ,  오가사와라마사히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 기판을정전척으로부터탈리하는것이가능한기판처리방법을제공한다. 내부에전극을갖는절연부재를포함하는정전척을갖고, 상기정전척상에탑재된기판에플라즈마처리를실시하는기판처리장치를이용한기판처리방법으로서, 상기기판을, 제 1 가스압을갖는처리가스의플라즈마에의해서플라즈마제전하면서, 상기기판의이면에제 2 가스압으로전열가스를공급하는, 제 1 공정을포함하는기판처리방법이다.

Abstract translation: 提供了能够从静电卡盘脱离的基板处理方法。 基板处理方法包括：静电卡盘，其包括在其内部具有电极的绝缘构件，并对装载在静电卡盘上的基板进行等离子体处理。 基板处理方法还包括使用具有第一气体压力的处理气体的等离子体从基板去除静电并将第二气体压力的电加热气体提供给基板的另一表面的第一工艺。

公开(公告)号：KR1020150097416A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020150023071

申请日：2015-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시루이 ,  이시타류우 ,  나리시게가즈키

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/31056

Abstract: (과제) 다층막을 고속으로, 또한, 선택적으로 에칭한다.
(해결 수단) 에칭 정지층 위에 마련되고, 또한, 서로 상이한 유전율을 갖고, 교대로 적층된 제 1 막 및 제 2 막을 포함하는 다층막을, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서, 마스크를 사이에 두고 에칭하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 이 방법은, (a) 수소, 브롬화수소, 및 삼불화질소를 포함하고, 또한, 탄화수소, 플루오로카본, 및 플루오로하이드로카본의 적어도 어느 1개를 포함하는 제 1 가스를 처리 용기 내에 공급하고, 그 제 1 가스를 여기시켜, 다층막의 표면으로부터 적층 방향의 미리 정해진 위치까지 그 다층막을 에칭하는 공정과, (b) 브롬화수소를 실질적으로 포함하지 않고, 수소 및 삼불화질소를 포함하고, 또한, 탄화수소, 플루오로카본, 및 플루오로하이드로카본의 적어도 어느 1개를 포함하는 제 2 가스를 처리 용기 내에 공급하고, 그 제 2 가스를 여기시켜, 다층막의 미리 정해진 위치로부터 에칭 정지층의 표면까지 그 다층막을 에칭하는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 以高速选择性地蚀刻多层膜。 本发明提供了一种半导体器件制造方法，其蚀刻包括设置在蚀刻停止层上的第一膜和第二膜的多层膜，具有不同的介电常数，并且在掩模之间彼此交替地形成 等离子体处理装置的处理容器。 半导体器件制造方法包括：（a）提供含有氢，溴化氢和硝基氟的第一气体三者，并且包含烃，碳氟化合物和氟烃中的至少一种，并将第一气体激发至 将多层膜从多层膜的表面蚀刻到成膜方向的规定位置; 和（b）提供实际上不含溴化氢的第二气体的方法，其中含有氢和硝基氟三种，并且含有烃，碳氟化合物和氟烃中的至少一种，并且激发第二气体以蚀刻多 从多层膜的规定位置到蚀刻停止层的表面。