公开(公告)号：KR101772701B1

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：KR1020110022053

申请日：2011-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이성태 ,  오가사와라마사히로 ,  사사키준이치 ,  야나기다나오히토

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091

Abstract: 깊이가깊은홀이어도, 양호한형상으로에칭할수 있는플라즈마에칭방법, 플라즈마에칭장치및 컴퓨터기억매체를제공한다. 소정의패턴이형성된포토레지스트층과, 포토레지스트층의하층에위치하는유기계의반사방지막과, 반사방지막의하층에위치하는 SiON막과, SiON막의하층에위치하는비정질탄소층에의해서다층마스크를구성하고, 비정질탄소층의하층에위치하는실리콘산화막또는실리콘질화막을최종적인마스크가되는비정질탄소층의패턴에의해플라즈마에칭하는플라즈마에칭방법으로서, 실리콘산화막또는실리콘질화막의플라즈마에칭을시작할때의초기마스크는, 비정질탄소층의위에 SiON막이남은상태이고, 또한비정질탄소층의막두께/남은 SiON막의막두께≤14이다.

公开(公告)号：KR1020150021475A

公开(公告)日：2015-03-02

申请号：KR1020140107884

申请日：2014-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  우라카와마사후미 ,  하야카와요시노부 ,  구보타가즈히로 ,  와타나베히카루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76802

Abstract: 일 측면에 있어서는, 실리콘 산화막을 에칭하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 실리콘 산화막 및 상기 실리콘 산화막 상에 형성된 마스크를 갖는 피처리체를 처리 가스의 플라즈마에 노출시켜, 실리콘 산화막을 에칭하는 공정을 포함한다. 마스크는, 실리콘 산화막 상에 형성된 제1 막, 및 상기 제1 막 상에 형성된 제2 막을 포함하며, 플라즈마 중의 활성종에 대하여, 제2 막은 제1 막의 에칭 레이트보다 낮은 에칭 레이트를 갖는 막으로 이루어진다.

Abstract translation: 本发明提供一种蚀刻氧化硅膜的方法，其可以减少弓形变形。 该方法包括通过暴露具有氧化硅膜的待处理物体和形成在氧化物膜上的掩模来蚀刻氧化硅膜以处理气体等离子体的工艺。 掩模包括形成在氧化硅膜上的第一膜和形成在第一膜上的第二膜，其中第二膜在等离子体中相对于活性类型的蚀刻速率低于第一膜。

公开(公告)号：KR1020120024420A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020110079424

申请日：2011-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  가토요시유키 ,  미즈노히데키 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: PURPOSE: An etching device and a method for supplying etching gas are provided to stably control gas flow rate by controlling hunting of the gas flow rate generating when gas is changed. CONSTITUTION: First etching gas which is used for an etching process is provided within a treatment basin. Second etching gas used for the etching process is provided within the treatment basin. The flow rate of the second etching gas and the first etching gas is controlled by a gas flow rate control device. The change of the second etching gas and the first etching gas is processed by turns. A gas supply source supplies the second etching gas and the first etching gas to the treatment basin.

Abstract translation: 目的：提供蚀刻装置和提供蚀刻气体的方法，通过控制气体变化时产生的气体流量的波动来稳定地控制气体流量。 构成：在处理池内设置用于蚀刻处理的第一蚀刻气体。 用于蚀刻工艺的第二蚀刻气体设置在处理池内。 第二蚀刻气体和第一蚀刻气体的流量由气体流量控制装置控制。 第二蚀刻气体和第一蚀刻气体的变化被轮流处理。 气体供给源将第二蚀刻气体和第一蚀刻气体供给到处理池。

公开(公告)号：KR1020050086834A

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：KR1020057009448

申请日：2003-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32577 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/31116

Abstract: A plasma processing apparatus comprises a process chamber (10) which can be set to have a vacuum atmosphere. Upper electrodes (36, 38) are so arranged as to face a substrate to be processed (W) which is placed in the process chamber (10). A power supply unit having a first cylindrical conductor member (50) continuously connected to the upper electrode (36) in the circling direction supplies a first high-frequency wave from a first high-frequency power supply (52) to the upper electrode (36).

Abstract translation: 等离子体处理装置包括可设置为具有真空气氛的处理室（10）。 上电极（36,38）被布置为面对放置在处理室（10）中的待处理基板（W）。 在第一高频电源（52）向第一高频电源（52）向第一高频电源（52）提供第一高频波的电源单元，其具有在上下方向上与上电极（36）连续地连接的第一圆筒状的导体部件 ）。

公开(公告)号：KR100319468B1

公开(公告)日：2002-04-22

申请号：KR1019960025037

申请日：1996-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  노나카료 ,  고바야시요시유키

IPC: H01L21/3065

Abstract: 정전 척에 플러스 직류 전압을 인가함으로써, 발생하는 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 정전 척상에 흡착시키는 한편, 처리실내에 처리가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시키고, 웨이퍼에 대해 플라즈마 처리를 시행한다. 처리를 한 웨이퍼를 정전 척상으로부터 떼어낸 후, 다음의 웨이퍼를 정전 척상에 흡착시키기 전에, 처리실내에 질소 가스를 도입한 상태에서, 정전 척에대해 마이너스의 직류 전압을 인가하여 직류 방전 시킨다. 이에 의해, 기체속의 전하가 정전 척에 이끌려 정전 척의 표면이 플러스로 대전하고, 흡착 불량이 발생하지 않게 된다.

公开(公告)号：KR101882718B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：KR1020110079424

申请日：2011-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  가토요시유키 ,  미즈노히데키 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: (과제) 간이한방법을이용하여, 가스의전환시에발생하는가스유량의헌팅(hunting)을억제해, 가스유량의안정된제어를행한다. (해결수단) 에칭가스의공급방법은, 에칭프로세스에사용되는제1 에칭가스를처리용기내에공급하는스텝과, 상기에칭프로세스에사용되는제2 에칭가스를상기처리용기내에공급하는스텝을포함하고, 상기제1 에칭가스및 상기제2 에칭가스의한쪽으로부터다른한쪽으로가스를전환할때, 전환전의에칭가스로서필요하며전환후의에칭가스로서필요하지않은가스를미소량만계속공급한다.

公开(公告)号：KR1020100076910A

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：KR1020090131013

申请日：2009-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이성태 ,  오가사와라마사히로 ,  이토마사히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and a storage medium are provided to form a hole of perpendicular shape on a treatment object by preventing the bowing phenomena in which a part of the sidewall of hole is expanded. CONSTITUTION: A loading part(23) which loads a wafer(W) is arranged within a chamber(22). A second high frequency power(35) is connected to the loading part by a second matcher(36). A shower head(24) is arranged to face the loading part. The shower head is connected to a first high frequency power source(27) by a first matcher(28). A TMP(Turbo Molecular Pump)(25) discharges the gas within the chamber.

Abstract translation: 目的：提供基板处理方法和存储介质，通过防止孔的一部分侧壁膨胀的弯曲现象，在处理对象上形成垂直的孔。 构成：装载晶片（W）的装载部件（23）布置在室（22）内。 第二高频电源（35）通过第二匹配器（36）连接到装载部件。 淋浴头（24）布置成面向装载部件。 淋浴头通过第一匹配器（28）连接到第一高频电源（27）。 TMP（Turbo分子泵）（25）将腔内的气体排出。

公开(公告)号：KR1020050086831A

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：KR1020057009444

申请日：2003-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32935

Abstract: In the present plasma processing method, a certain process gas is supplied into a plasma production chamber (10) in which a substrate to be processed (W) is placed, and the process gas is changed into a plasma. A certain plasma process is then conducted on the substrate (W) with this plasma. By independently controlling the spatial distribution of the plasma density and the spatial distribution of the density of radicals in the plasma in relation to the substrate (W) using an opposed portion (34) facing to the substrate (W), a certain processing state can be attained along the entire surface of the substrate (W) to be processed.

Abstract translation: 在本等离子体处理方法中，将一定的处理气体供给到其中放置有待处理基板（W）的等离子体制造室（10）中，将处理气体变更为等离子体。 然后用该等离子体在衬底（W）上进行某种等离子体处理。 通过使用面对衬底（W）的相对部分（34）独立地控制等离子体密度的空间分布和等离子体中自由基的密度相对于衬底（W）的空间分布，某一处理状态可以 沿待处理的基板（W）的整个表面获得。

公开(公告)号：KR100345420B1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：KR1019960020284

申请日：1996-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아끼라 ,  오가사와라마사히로 ,  히로세게이조 ,  나가세끼가즈야 ,  도모요리리끼 ,  아오키마코토

IPC: H01L21/3065

Abstract: 하부전극이 되는 서셉터(6)의 주위에 하측 절연부재(13)를 설치히여, 상부전극(21)의 주위에는 상측 절연부재(31)를 설치한다. 상측 절연부재(31)의 바깥쪽 단부(31a)는 하측 절연부재(13)의 바깥쪽으로써, 웨이퍼(W)의 상면보다도 아래쪽에 위치한다. 하측 절연부재(13)와 위쪽 절연부재(31)사이에 가장 좁은 간격(L)은, 전극간의 갭(G)보다도 좁게 한다. 전극간에 발생한 플라즈마의 확산이 억제되어, 그대로 옆쪽으로 확산하는 일은 없으므로, 처리용기(3) 내측벽이 스퍼터링되지 않는다.

公开(公告)号：KR100174777B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019950014670

申请日：1995-06-02

Applicant: 니폰 덴신 덴와 가부시끼가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토마사아키 ,  아리다요시노부 ,  오가사와라마사히로 ,  사토히데노리 ,  간바라히로미쓰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  Y10S438/909

Abstract: 처리될 물체는 저압증기상 처리실내에 장입되고, 그런뒤 산소 첨가가스 또는 적어도 산소를 함유한 첨가가스의 소량을 에칭에 사용될 반응가스에 첨가함에 의해 얻어진 에칭가스가 저압증기 처리실의 벽과 반응가스 사이의 반응을 억제하기 위해 저압 증기상 처리실에 공급된다. 이 상태에서, 에칭될 물체는 에칭가스로 건식에칭된다.