公开(公告)号：KR101464613B1

公开(公告)日：2014-11-24

申请号：KR1020120025403

申请日：2012-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시켄지 ,  다케시타카즈히로 ,  오가타노부히로 ,  다나카사토루 ,  미조타쇼고

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 간소한 방법으로, 행해지는 액처리에 적합한 처리 분위기를 형성하는 것이 가능한 액처리 장치 등을 제공한다. 하우징 내의 처리 공간(21)에서 피처리 기판(W)의 표면으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 장치(2)에서, 회전 보지부(33, 341)는 피처리 기판(W)을 보지(保持)하여 수직축을 중심으로 회전시키고, 처리액 공급 노즐(35)은 회전하는 피처리 기판(W)의 표면으로 처리액을 공급한다. 제 1 기체 공급부(23)는, 상기 액처리에 적합한 처리 분위기를 형성하기 위하여, 피처리 기판(W)의 표면 전체를 흘러, 컵(31)으로 유입하는 제 1 기체의 하강류를 형성하고, 제 2 기체 공급부(22)는 이 제 1 기체의 하강류의 외방 영역에, 상기 제 1 기체와는 상이한 제 2 기체의 하강류를 형성한다. 그리고, 제 1 기체 공급부(23) 및 제 2 기체 공급부(22)는, 상기 처리 공간(21)을 이루는 하우징의 천장부에 설치되어 있다.

Abstract translation: 提供了一种能够以简单的方式形成适合于液体处理的处理气氛的液体处理装置等。 在向壳体内的处理空间21内的基板W的表面供给处理液而进行液体处理的液体处理装置2中，为了保持被处理基板W而设置有旋转保持部33,341 并且，处理液供给喷嘴35将处理液供给到被处理基板W的表面而旋转。 第一气体供应单元23流动基板W的整个表面以形成流入杯31中的第一气体的向下流动，以形成适于液体处理的处理气氛， 第二气体供给部22在第一气体的下游侧以外的区域形成与第一气体不同的第二气体的下游。 第一气体供给部23和第二气体供给部22设置在构成处理空间21的壳体的顶部。

公开(公告)号：KR1020120106584A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020120025403

申请日：2012-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시켄지 ,  다케시타카즈히로 ,  오가타노부히로 ,  다나카사토루 ,  미조타쇼고

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus and method and a storage medium are provided to locally form process atmosphere suitable for liquid processing on the entire surface of a processed substrate by changing supply amount from a first gas supply unit. CONSTITUTION: A rotation holding unit rotates a processed substrate around a vertical axis. A process liquid supply nozzle(35) supplies a processing liquid to the surface of the rotating processed substrate. A first gas supply unit(23) forms a descending current of first gas entering into a cup(31) flowing through the entire surface of the processed substrate. A second gas supply unit(22) forms the descending current of second gas different from the first gas in an outside area of the descending current of the first gas. The first and second gas supply units are arranged in a ceiling portion of a housing comprising a process space. [Reference numerals] (2) Liquid processing unit; (22(20)) Second gas supply unit; (23) First gas supply unit; (5) Control unit; (W) Photoresist whose pattern is formed on a wafer

Abstract translation: 目的：提供一种液体处理装置和方法以及存储介质，通过改变来自第一气体供应单元的供给量，在处理过的基板的整个表面上局部地形成适合于液体处理的工艺气氛。 构成：旋转保持单元围绕垂直轴旋转经处理的基板。 处理液供给喷嘴（35）将处理液供给到旋转处理基板的表面。 第一气体供给单元（23）形成进入流过处理过的基板的整个表面的杯状物（31）的第一气体的下降电流。 第二气体供给单元（22）在第一气体的下降电流的外部区域形成与第一气体不同的第二气体的下降电流。 第一和第二气体供应单元布置在包括处理空间的壳体的顶部。 （附图标记）（2）液体处理单元; （22（20））第二气体供给单元; （23）第一气体供应单元; （5）控制单元; （W）在晶片上形成图案的光致抗蚀剂