公开(公告)号：KR100158235B1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019930011795

申请日：1993-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로오 ,  기쿠치슈지 ,  도모야스마사유키 ,  다카야마나오키 ,  도모야시리키

IPC: H01L21/265

Abstract: 반도체 웨이퍼에 이온을 주입하는 시스템은, 이온원 장치, 질량분석기, 가속관, 및 처리실의 순서대로 배치된다. 처리실에는 여러 장의 웨이퍼를 지지하는 회전 디스크가 배치된다. 처리실에는 빔 주사위치에 대응하여 패러디 컵이 배열설치된다. 패러디 컵은, 이온주입시에, 이온주입량을 정확하게 측정하기 위하여, 웨이퍼로부터 발생하는 2차전자나 2차이온 등이 외부로 빠져 나가지 않도록 보호하기 위한 것이다. 패러디컵으로부터의 상기 2차전자의 유출을 억제하기 위하여, 서플레스 전극이 배설된다. 서플레스 전극은 카본으로 된 통형상 본체와, 그 내표면에 형성된 SIC 막으로 구성된다. SIC 막은 전극표면의 저항체로서 기능하며, 전극 표면에 있어서의 급격한 방전을 방지한다.

公开(公告)号：KR1019940006193A

公开(公告)日：1994-03-23

申请号：KR1019930011795

申请日：1993-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로오 ,  기쿠치슈지 ,  도모야스마사유키 ,  다카야마나오키 ,  도모야시리키

IPC: H01L21/265

Abstract: 반도체 웨이퍼에 이온을 주입하는 시스템은, 이온원 장치, 질량분석기, 가속관, 및 처리실의 순서대로 배치된다. 처리실에는 여러 장의 웨이퍼를 지지하는 회전 디스크가 배치된다. 처리실에는 빔 주사위치에 대응하여 패러디 컵이 배열설치된다. 패러디 컵은, 이온주입시에, 이온주입량을 정확하게 측정하기 위하여, 웨이퍼로부터 발생하는 2차전자나 2차이온 등이 외부로 빠져 나가지 않도록 보호하기 위한 것이다. 패러디컵으로부터의 상기 2차전자의 유출을 억제하기 위하여, 서플레스 전극이 배설된다. 서플레스 전극은 카본으로 된 통형상 본체와, 그 내표면에 형성된 SiC 막으로 구성된다. SiC막은 전극표면의 저항체로서 기능하며, 전극 표면에 있어서의 급격한 방전을 방지한다.