-
公开(公告)号：KR100469047B1
公开(公告)日：2005-01-31
申请号：KR1019997009083
申请日：1998-04-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , Y10T29/49002 , Y10T29/49117 , Y10T29/532 , Y10T29/53204
Abstract: 본 발명은, 가스토출구멍에 착탈 및 위치결정이 용이하고 내플라즈마성이 우수한 절연부재를 끼워 장착한 처리장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 에칭장치(100)의 상부전극(128)에 배치된 가스토출구멍(128a)은 절연부재(144)의 외형형상에 대응한 형상으로 형성된다. 절연부재(144)는 폴리에테르에테르케톤이나 폴리이미드나 폴리에테르이미드로 이루어지고, 그 외부 표면에 단부(144a)가 형성된다. 절연부재(144)의 긴 쪽 방향의 길이는 가스토출구멍(128a)의 긴 쪽 방향의 길이보다 짧게 형성된다. 절연부재(144) 내에는 그 긴 쪽 방향을 따라 관통구멍(144d)이 설치됨과 더불어, 관통구멍(144d)의 처리실(102) 측 개구부 부근이 처리실(102) 측으로 향하여 직경이 확대되는 거의 테이퍼모양으로 형성된다. 절연부재(144)를 가스토출구멍(128a) 내에 가스토출구멍(128a)의 취출구 측으로부터 삽입하고, 단부(144a)와 가스토출구멍(128a) 내벽에 형성된 견부(128b)가 맞추어지도록 절연부재(144)를 밀어 넣고 끼워 장착시킨다. 이 때, 절연부재(144)는 상부전극의 서셉터(110) 측의 면보다도 돌출하여 배치된다.Abstract translation: 处理系统设置有能够容易地装配在气体排放孔中，并且能够容易地定位在气体排放孔中的绝缘构件。 蚀刻系统（100）设置有设置有与绝缘构件（144）的外部形状对应的形状的气体排出孔（128a）的上电极（128）。 绝缘部件（144）由聚醚醚酮树脂，聚酰亚胺树脂，聚醚酰亚胺树脂等形成。 每个绝缘构件144在其外表面上设有台阶（144a）。 绝缘部件（144）的长度比气体排出孔（128a）的长度短。 在各绝缘部件144上设有纵长的贯通孔144d，处理室102侧的贯通孔144d的端部形成为向处理室102侧扩大的锥状， ）。 绝缘部件144从气体排出孔128a的出口端侧被压入气体排出孔128a中，以使台阶144a与形成在其中的肩部128b接触。 排气孔（128a）的侧壁。 装配在气体排出孔128a中的每个绝缘构件144的一部分从上电极128的面对基座110的表面突出。 ＆lt;图像＆GT;
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100158234B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019930003003
申请日：1993-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
Abstract: 전자생성실 내에서 방전가스가 부플라즈마로 되고, 이 부플라즈마 중의 전자가 이온생성실 내로 도입된다.
전자는, 이온생성실내에서 원료가스에 충돌하고, 주플라즈마를 발생시킨다.
이온은, 이온생성실에 형성된 개구부를 통하여 주플라즈마 중에서 인출된다.
전자석에 의하여 이온생성실 내에 플라즈마를 집중시키기 위한 자계가 형성된다.
사용이온의 종류에 다른 자계의 최적 강도를 얻기 위한 데이타를 스토어하는 제어부가 배설된다.
제어부는 사용이온의 종류에 따른 최적 자계강도를 형성하도록 전자석용의 전원의 전류를 조정한다.-
公开(公告)号：KR100158235B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019930011795
申请日：1993-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
Abstract: 반도체 웨이퍼에 이온을 주입하는 시스템은, 이온원 장치, 질량분석기, 가속관, 및 처리실의 순서대로 배치된다. 처리실에는 여러 장의 웨이퍼를 지지하는 회전 디스크가 배치된다. 처리실에는 빔 주사위치에 대응하여 패러디 컵이 배열설치된다. 패러디 컵은, 이온주입시에, 이온주입량을 정확하게 측정하기 위하여, 웨이퍼로부터 발생하는 2차전자나 2차이온 등이 외부로 빠져 나가지 않도록 보호하기 위한 것이다. 패러디컵으로부터의 상기 2차전자의 유출을 억제하기 위하여, 서플레스 전극이 배설된다. 서플레스 전극은 카본으로 된 통형상 본체와, 그 내표면에 형성된 SIC 막으로 구성된다. SIC 막은 전극표면의 저항체로서 기능하며, 전극 표면에 있어서의 급격한 방전을 방지한다.
-
公开(公告)号：KR1019940006193A
公开(公告)日：1994-03-23
申请号：KR1019930011795
申请日：1993-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
Abstract: 반도체 웨이퍼에 이온을 주입하는 시스템은, 이온원 장치, 질량분석기, 가속관, 및 처리실의 순서대로 배치된다. 처리실에는 여러 장의 웨이퍼를 지지하는 회전 디스크가 배치된다. 처리실에는 빔 주사위치에 대응하여 패러디 컵이 배열설치된다. 패러디 컵은, 이온주입시에, 이온주입량을 정확하게 측정하기 위하여, 웨이퍼로부터 발생하는 2차전자나 2차이온 등이 외부로 빠져 나가지 않도록 보호하기 위한 것이다. 패러디컵으로부터의 상기 2차전자의 유출을 억제하기 위하여, 서플레스 전극이 배설된다. 서플레스 전극은 카본으로 된 통형상 본체와, 그 내표면에 형성된 SiC 막으로 구성된다. SiC막은 전극표면의 저항체로서 기능하며, 전극 표면에 있어서의 급격한 방전을 방지한다.
-
公开(公告)号：KR1019930020568A
公开(公告)日：1993-10-20
申请号：KR1019930003003
申请日：1993-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
Abstract: 전자생성실내에서 방전가스가 부플라즈마로 되고, 이 부플라즈마 중의 전자가 이온생성실 내로 도입된다.
전자는, 이온생성실내에서 원료가스에 충돌하고, 주플라즈마를 발생시킨다. 이온은, 이온생성실에 형성된 개구부를 통하여 주플라즈마 중에서 인출된다. 전자석에 의하여 이온생성실 내에 플라즈마를 집중시키기 위한 자계가 형성된다. 사용이온의 종류에 따른 자계의 최적 강도를 얻기 위한 데이타를 스토어하는 제어부가 배설된다. 제어부는 사용이온의 종류에 따른 최적 자계강도를 형성하도록 전자석용의 전원의 전류를 조정한다.-
公开(公告)号：KR1020010006005A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019997009083
申请日：1998-04-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , Y10T29/49002 , Y10T29/49117 , Y10T29/532 , Y10T29/53204
Abstract: 본발명은, 가스토출구멍에착탈및 위치결정이용이하고내플라즈마성이우수한절연부재를끼워장착한처리장치를제공한다. 본발명에있어서, 에칭장치(100)의상부전극(128)에배치된가스토출구멍 (128a)은절연부재(144)의외형형상에대응한형상으로형성된다. 절연부재(144)는폴리에테르에테르케톤이나폴리이미드나폴리에테르이미드로이루어지고, 그외부표면에단부(144a)가형성된다. 절연부재(144)의긴 쪽방향의길이는가스토출구멍(128a)의긴 쪽방향의길이보다짧게형성된다. 절연부재(144)내에는그 긴쪽 방향을따라관통구멍(144d)이설치됨과더불어, 관통구멍(144d)의처리실(102)측개구부부근이처리실(102)측으로향하여직경이확대되는거의테이퍼모양으로형성된다. 절연부재(144)를가스토출구멍(128a)내에가스토출구멍(128a)의취출구측으로부터삽입하고, 단부(144a)와가스토출구멍(128a) 내벽에형성된견부(128b)가맞추어지도록절연부재(144)를밀어넣고끼워장착시킨다. 이때, 절연부재(144)는상부전극의서셉터(110)측의면보다도돌출하여배치된다.
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.019 seconds)
