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公开(公告)号：KR1019980024574A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970046985
申请日：1997-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC: H05H1/00
Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 내부에 플라즈마 발생 영역을 갖는 처리관과, 처리 표면을 갖는 기판을 지지하기 위해 상기 처리관내에 제공된 서셉터와, 처리 가스를 상기 플라즈마 발생 영역내로 도입하기 위한 가스 도입 수단을 포함한다. 플라즈마 발생 영역내에 자력선을 갖는 자계를 발생하여, 처리 가스의 플라즈마가 플라즈마 발생 영역내에 발생되도록, 상기 처리관의 외측 주변을 따라 쌍극 링 자석이 배열된다. 이 쌍극 링 자석은 타원형 트랙상에 배열된 다수의 이방성 단편 자석들을 가지며, 이들은 동일한 형상 및 사이즈를 갖고 직경 방향으로 자화된 원통형 영구 자석이다.
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公开(公告)号：KR100165555B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019920004984
申请日：1992-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67126 , H01L21/67265 , H01L21/67745 , Y10S414/136 , Y10S414/137 , Y10S414/139
Abstract: 제1의 분위기와 제2의 분위기와의 사이에 배치되고, 상기 제1의 분위기로부터 반송된 웨이퍼를 수용하고, 상기 제1의 분위기와 차단된후, 상기 제2의 분위기와 동일하거나 또는 근사한 분위기로 되고, 그후, 상기 웨이퍼를 상기 제2의 분위기로 이송하기 위하여, 상기 제2의 분위기에 대하여 개방되는 로드록장치. 이 로드록장치는, 로드록실과 이 로드록실에 배치되고, 복수의 웨이퍼를 상하방향으로 간격을 두고 수납하는 수납수단과, 이 수납수단내의 복수의 웨이퍼 중 하나의 웨이퍼를 유지하기 위한 유지수단과, 이 유지수단에 의하여 유지된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과, 회전하는 상기 웨이퍼에 광을 조사함으로써 얻은 정보에 의거하여, 웨이퍼의 중심의 위치어긋남 및 웨이퍼의 향방의 어긋남을 검출하기 위한 어긋남 검출수단과를 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100383787B1
公开(公告)日：2003-08-19
申请号：KR1019970046985
申请日：1997-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC: H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/3266
Abstract: A plasma process device includes a process vessel (3) having a plasma generating area therein, a susceptor (6) provided in the process vessel for supporting a substrate (W) having a process surface, and a gas inlet means (23) for introducing a process gas into the plasma generating area. A dipole ring magnet (41) is arranged around the outer periphery of the process vessel, for generating a magnetic field having a magnetic line of force in the plasma generating area, so that a plasma of the process gas is generated in the plasma generating area. The dipole ring magnet has a plurality of anisotropic segment magnets arranged on an oval track, which are cylindrical permanent magnets having the same shape and size and magnetized in the diameter direction.
Abstract translation: 一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：内部具有等离子体发生区域的处理容器（3）;设置在该处理容器内并支撑具有处理面的基板（W）的基座（6）;以及气体导入装置（23） 处理气体进入等离子体发生区域。 为了在等离子体产生区域产生具有磁力线的磁场，在处理容器的外周配置偶极环形磁铁（41），在等离子体产生区域产生处理气体的等离子体 。 偶极环形磁铁具有多个布置在椭圆形轨道上的各向异性扇形段磁铁，它们是具有相同形状和尺寸并沿直径方向磁化的圆柱形永久磁铁。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR100158235B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019930011795
申请日：1993-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
Abstract: 반도체 웨이퍼에 이온을 주입하는 시스템은, 이온원 장치, 질량분석기, 가속관, 및 처리실의 순서대로 배치된다. 처리실에는 여러 장의 웨이퍼를 지지하는 회전 디스크가 배치된다. 처리실에는 빔 주사위치에 대응하여 패러디 컵이 배열설치된다. 패러디 컵은, 이온주입시에, 이온주입량을 정확하게 측정하기 위하여, 웨이퍼로부터 발생하는 2차전자나 2차이온 등이 외부로 빠져 나가지 않도록 보호하기 위한 것이다. 패러디컵으로부터의 상기 2차전자의 유출을 억제하기 위하여, 서플레스 전극이 배설된다. 서플레스 전극은 카본으로 된 통형상 본체와, 그 내표면에 형성된 SIC 막으로 구성된다. SIC 막은 전극표면의 저항체로서 기능하며, 전극 표면에 있어서의 급격한 방전을 방지한다.
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公开(公告)号：KR100165556B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019920004985
申请日：1992-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67126 , H01L21/67745 , H01L21/681 , Y10S414/136 , Y10S414/137 , Y10S414/139
Abstract: 제1의 분위기와 제2의 분위기와의 사이에 배치되고, 상기 제1의 분위기로 부터 반송된 웨이퍼를 수용하고, 상기 제1의 분위기와 차단된 후, 상기 제2의 분위기와 동일 또는 가까운 분위기로 되고, 그 후, 상기 웨이퍼를 상기 제2의 분위기로 이송하기 위하여, 상기 제2의 분위기에 대하여 개방된 로드록 장치.
이 로드록 장치는, 로드록실과, 이 로드록실에 배치되고, 웨이퍼를 보호지지하기 위한 지지수단과, 이 보호지지수단에 의하여 지지된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과, 회전하는 상기 웨이퍼에 광을 조사함으로서 얻어진 정보에 의하여, 웨이퍼의 중심의 위치어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남을 검출하기 위한 어긋남 검출수단을 구비하고 있다.-
公开(公告)号：KR1019940006193A
公开(公告)日：1994-03-23
申请号：KR1019930011795
申请日：1993-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
Abstract: 반도체 웨이퍼에 이온을 주입하는 시스템은, 이온원 장치, 질량분석기, 가속관, 및 처리실의 순서대로 배치된다. 처리실에는 여러 장의 웨이퍼를 지지하는 회전 디스크가 배치된다. 처리실에는 빔 주사위치에 대응하여 패러디 컵이 배열설치된다. 패러디 컵은, 이온주입시에, 이온주입량을 정확하게 측정하기 위하여, 웨이퍼로부터 발생하는 2차전자나 2차이온 등이 외부로 빠져 나가지 않도록 보호하기 위한 것이다. 패러디컵으로부터의 상기 2차전자의 유출을 억제하기 위하여, 서플레스 전극이 배설된다. 서플레스 전극은 카본으로 된 통형상 본체와, 그 내표면에 형성된 SiC 막으로 구성된다. SiC막은 전극표면의 저항체로서 기능하며, 전극 표면에 있어서의 급격한 방전을 방지한다.
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