公开(公告)号：KR1020150069514A

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：KR1020140157914

申请日：2014-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도무라마즈 ,  와타나베히카루 ,  고바야시후미야 ,  구보타가즈히로 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813

Abstract: 실리콘산화막을하드마스크를통해에칭함으로써, 피처리체에 50 이상의애스펙트비를갖는공간을형성하는에칭방법이제공된다. 이방법은, (a) 하부전극을구성하는배치대와상부전극을갖는용량결합형의플라즈마처리장치의처리용기내에있어서, 피처리체를플루오로카본계의가스의플라즈마에노출시키는제1 공정과, (b) 하부전극을구성하는배치대와상부전극을갖는용량결합형의플라즈마처리장치의처리용기내에있어서, 플루오로카본계의가스의플라즈마에피처리체를더 노출시키는제2 공정을포함한다. 이방법에서는, 제2 공정에서의배치대와상부전극사이의거리는, 제1 공정에서의배치대와상부전극사이의거리의 5/3배이상으로설정된다.

Abstract translation: 提供了通过硬掩模蚀刻氧化硅膜来形成待蚀刻对象物的纵横比为50以上的空间的蚀刻方法。 该方法包括：（a）在具有上电极和下电极的支架的集成电容等离子体处理装置的处理容器中将物体暴露于氟碳基气体的等离子体的第一工序; 以及（b）在具有形成下电极和上电极的支架的集成电容等离子体处理装置的处理容器中，使物体等离子体更多地暴露于氟碳系气体的等离子体的第二工序。 在该方法中，将第二工序的支架和上电极之间的距离设定为比第一工序的支架与上电极的距离长5/3以上的时间。