公开(公告)号：KR101888728B1

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：KR1020150092004

申请日：2015-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  혼다마사노부 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063

Abstract: 피처리체를처리하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를처리하여, 산화영역으로부터 2개의융기영역사이를통과하여하지층까지도달하는개구를형성하는것이다. 이방법은, (1) 2개의융기영역사이에서질화영역의제2 부분을노출시키는개구를산화영역에형성하는공정과, (2) 개구내의산화실리콘제의잔사및 제2 부분을에칭하는공정을포함한다. 잔사및 제2 부분을에칭하는공정에서는, 수소를함유하는가스및 NF가스를포함하는혼합가스의플라즈마에피처리체를노출시켜잔사및 제2 부분을변질시킴으로써변질영역을형성하고, 그변질영역을제거한다.

公开(公告)号：KR1020160003565A

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：KR1020150092004

申请日：2015-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  혼다마사노부 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063

Abstract: 피처리체를처리하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를처리하여, 산화영역으로부터 2개의융기영역사이를통과하여하지층까지도달하는개구를형성하는것이다. 이방법은, (1) 2개의융기영역사이에서질화영역의제2 부분을노출시키는개구를산화영역에형성하는공정과, (2) 개구내의산화실리콘제의잔사및 제2 부분을에칭하는공정을포함한다. 잔사및 제2 부분을에칭하는공정에서는, 수소를함유하는가스및 NF가스를포함하는혼합가스의플라즈마에피처리체를노출시켜잔사및 제2 부분을변질시킴으로써변질영역을형성하고, 그변질영역을제거한다.

Abstract translation: 提供了一种加工工件的方法。 一种实施方式的方法是处理工件以形成通过来自氧化区域的两个提升区域到达下层的开口。 该方法包括以下处理：（1）形成在氧化区域中的两个隆起区域之间露出氮化物区域的第二部分的开口; 和（2）在开口和第二部分内蚀刻硅氧烷氧化物的残留物。 在蚀刻残留物和第二部分的过程中，将工件暴露于含有氢的气体和含有NF_3气体的气体混合物的等离子体，其影响残留物和第二部分以形成受影响区域，然后影响受影响区域 被删除。

公开(公告)号：KR1020150069514A

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：KR1020140157914

申请日：2014-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도무라마즈 ,  와타나베히카루 ,  고바야시후미야 ,  구보타가즈히로 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813

Abstract: 실리콘산화막을하드마스크를통해에칭함으로써, 피처리체에 50 이상의애스펙트비를갖는공간을형성하는에칭방법이제공된다. 이방법은, (a) 하부전극을구성하는배치대와상부전극을갖는용량결합형의플라즈마처리장치의처리용기내에있어서, 피처리체를플루오로카본계의가스의플라즈마에노출시키는제1 공정과, (b) 하부전극을구성하는배치대와상부전극을갖는용량결합형의플라즈마처리장치의처리용기내에있어서, 플루오로카본계의가스의플라즈마에피처리체를더 노출시키는제2 공정을포함한다. 이방법에서는, 제2 공정에서의배치대와상부전극사이의거리는, 제1 공정에서의배치대와상부전극사이의거리의 5/3배이상으로설정된다.

Abstract translation: 提供了通过硬掩模蚀刻氧化硅膜来形成待蚀刻对象物的纵横比为50以上的空间的蚀刻方法。 该方法包括：（a）在具有上电极和下电极的支架的集成电容等离子体处理装置的处理容器中将物体暴露于氟碳基气体的等离子体的第一工序; 以及（b）在具有形成下电极和上电极的支架的集成电容等离子体处理装置的处理容器中，使物体等离子体更多地暴露于氟碳系气体的等离子体的第二工序。 在该方法中，将第二工序的支架和上电极之间的距离设定为比第一工序的支架与上电极的距离长5/3以上的时间。

公开(公告)号：KR1020140068090A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147007790

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877

Abstract: 종래 기술의 상부 DC 인가 방식의 장점을 유지하고, 또한 상부 DC 인가 방식의 단점을 해소하는 것이다. 이 용량 결합형 플라즈마 처리 장치에 있어서, 서셉터(하부 전극)(16)에는, 플라즈마의 생성에 주로 기여하는 제 1 고주파(RF
H )와 이온 인입에 주로 기여하는 제 2 고주파(RF
L )가 중첩하여 인가된다. 한편 상부 전극(46)에는, 교류 전원(64)으로부터 정합기(66) 및 블로킹 콘덴서(68)를 개재하여 일정 주파수의 교류(AC)가 인가된다. 이 교류(AC)는 플라즈마 중의 이온이 추종할 수 있는 주파수를 가지고, 교류 전원(64)에서 교류(AC)의 파워, 전압 파고값 또는 실효값을 가변할 수 있도록 되어 있다.

Abstract translation: 等离子体蚀刻方法包括：将目标衬底安装在第一电极上，所述第一电极设置成与处理室内具有预定间隙的第二电极平行，所述第二电极的基底材料含有硅或SiC; 在处理空间中产生基于碳氟化合物的蚀刻气体的等离子体; 将具有等离子体中的离子被允许跟随的频率的低频AC电力或高频AC电力施加到第二电极; 并且增加AC电力的有效电压值以增强在第二电极处的溅射，使得从基底材料溅射的硅与由氟碳基蚀刻气体产生的氟自由基反应产生SiF 4的反应产物，以照射附近产生的电子 第二电极到目标衬底并且增加处理室侧壁附近的等离子体电位。

公开(公告)号：KR102096119B1

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：KR1020147030897

申请日：2013-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR101957348B1

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：KR1020147007790

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

公开(公告)号：KR1020170057146A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020160151007

申请日：2016-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F1/24 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 선택비를향상시키면서, 피에칭대상막의에칭형상을수직으로한다. 피처리체에대한플라즈마처리에의해, 실리콘함유반사방지막을레지스트막의패턴으로에칭하는에칭방법에있어서, 피처리체는, 에칭대상층과, 상기에칭대상층의위에적층된상기실리콘함유반사방지막과, 상기실리콘함유반사방지막의위에적층된상기레지스트막을갖고, 피처리체를수용한처리용기내에있어서플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 1 공정과, 피처리체를수용한상기처리용기내에서불활성가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 2 공정을갖고, 상기제 1 공정및 상기제 2 공정을반복하여실행하는에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 待蚀刻薄膜的蚀刻形状是垂直的，而选择性得到改善。 通过将被处理的对象的等离子体处理，在该蚀刻方法称为含抗蚀剂膜图案的防反射膜，受试者硅待处理，蚀刻目标层和含硅防反射膜的蚀刻对象层和含有沉积在所述硅 在具有抗蚀剂膜层叠在抗反射膜上且含有处理对象的处理容器中，形成含有氟碳化合物气体的处理气体的等离子体的第1工序; 以及产生包含第一工艺和第二工艺的工艺气体的等离子体的第二步骤，其中重复执行第一工艺和第二工艺。

公开(公告)号：KR1020150098197A

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：KR1020150021607

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토무라마주 ,  와타나베히카루 ,  카토타카히코 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/3065

Abstract: 산화 실리콘으로 구성된 제 1 영역을 질화 실리콘으로 구성된 제 2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 에칭 방법이 제공된다. 이 에칭 방법은 공정(a)과 공정(b)을 포함한다. 공정(a)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 피처리체가 노출되고, 제 2 영역 상에 제 1 영역 상에 형성되는 보호막보다 두꺼운 보호막이 형성된다. 공정(b)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 의해 제 1 영역이 에칭된다. 공정(a)에서는, 피처리체의 온도가 60 ℃ 이상 250 ℃ 이하의 온도로 설정된다.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于相对于由氮化硅构成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅组成的第一区域的蚀刻方法。 蚀刻方法包括方法（a）和方法（b）。 在工序（a）中，将被处理物暴露于碳氟化合物气体的等离子体中，在第二区域形成有比形成在第一区域上的保护膜更厚的保护膜。 在方法（b）中，第一区域被氟碳气体的等离子体蚀刻。 在（a）的处理中，待处理物体的温度设定在60〜250℃的范围内。

公开(公告)号：KR1020160088819A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020160004853

申请日：2016-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813

Abstract: (과제) 질화실리콘으로구성된제 2 영역이깎이는것을억제하면서, 산화실리콘으로구성된제 1 영역을에칭한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, (a) 피처리체를수용한처리용기내에있어서플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 1 공정과, (b) 피처리체를수용한처리용기내에있어서플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마를더 생성하는제 2 공정과, (c) 제 1 공정및 제 2 공정에의해처리체상에형성되는퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는제 3 공정을포함한다. 제 1 공정에있어서플라즈마를생성하기위해이용되는고주파전력은, 제 2 공정에있어서플라즈마를생성하기위해이용되는고주파전력보다작다.

Abstract translation: 本发明涉及一种能够防止由氮化硅构成的第二区域的切割的蚀刻方法。 并蚀刻由氧化硅构成的第一区域。 蚀刻方法包括：（a）在接收加工对象的处理容器中产生包括碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第一过程; （b）进一步产生处理气体的等离子体的第二过程，所述处理气体包括处理容器中的碳氟化合物气体，所述处理容器接收处理过的物体; 以及（c）通过使用第一工序和第二工序，通过使用形成在处理对象物中的沉积物中所含的碳氟化合物来蚀刻第一区域的第三工序。 在第一过程中用于产生等离子体的高频功率小于在第二过程中用于产生等离子体的高频功率。

公开(公告)号：KR1020160088817A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020160004751

申请日：2016-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H05H1/46

Abstract: (과제) 질화실리콘으로구성된제 2 영역이깎이는것을억제하면서, 산화실리콘으로구성된제 1 영역을에칭한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, 제 1 영역을에칭하기위해, 1회이상의제 1 시퀀스가실행되고, 그러한후에, 1회이상의제 2 시퀀스가실행된다. 1회이상의제 1 시퀀스의각각, 및, 1회이상의제 2 시퀀스의각각은, 피처리체상에플루오로카본을포함하는퇴적물을형성하는제 1 공정과, 퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는제 2 공정을포함한다. 1회이상의제 1 시퀀스의각각에의해제 1 영역이에칭되는양은, 1회이상의제 2 시퀀스의각각에의해제 1 영역이에칭되는양보다적다.

Abstract translation: 本发明的蚀刻方法通过抑制由氮化硅构成的第二区域来切割由氧化硅构成的第一区域。 根据本发明的实施例，蚀刻方法包括：执行第一序列一次或多次; 并执行第二序列一次或多次。 具有一次或多次的每个第一序列和每个第二序列具有一个或多个次序包括：用于在待处理材料上形成包含碳氟化合物的沉积物的第一工艺; 以及通过沉积物中包含的碳氟化合物的自由基来蚀刻第一区域的第二工艺。 由第一序列蚀刻的一次或多次的第一区域的量小于通过第二序列蚀刻的第一区域的量一次或多次。