公开(公告)号：KR1019940011662A

公开(公告)日：1994-06-21

申请号：KR1019930024796

申请日：1993-11-19

Applicant: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도꾜일렉트론야마나시 가부시끼가이샤

Inventor： 고지마마사유끼 ,  이또요시가즈 ,  도미다가즈시 ,  도자와시게끼 ,  이이무로순이찌 ,  아라사와마사사 ,  니시무라에이이찌

IPC: C23F4/00 ,  H01L21/302

Abstract: 본 발명은 에칭의 이방성의 정도에 관한 피처리기판의 면내균일성을 향상시키고, 이방성 에칭에 의해 형성되는 피에칭측면을 직각으로 접근시키기 위한 것으로, 평행평판형의 플라스마 에칭장치는 처리실(1)내에 배치된 서셉터전극과 샤워전극을 구비하며, 서셉터전극상에 반도체 웨이러가 설치되고, 샤워전극에는 복수의 처리가스공급구멍에 의해 규정되는 샤워영역(SR)이 형성된다. 샤워전극은 냉각블록에 의해 냉각되고, 이에 의해 샤워전극의 유효전극부는 그 주변이 그 중심보다 온도가 낮은 온도균배를 갖는다. 샤워영역(SR)의 직경은 웨이퍼의 직경보다도 5∼25%작고, 유효전극부의 온도균배에 기인하여 발생하는 에칭의 이방성의 정도에 관한 웨이퍼의 면내균일성의 저하를 보상하도록 선택된다. 또, 유효전극부의 직경은 웨이퍼(W)의 치수보다도 5∼35%크고, 에칭에 의해 형성되는 피에칭측벽의 테이퍼각이 85도∼90도가 되도록 선택된다.

公开(公告)号：KR1020120082369A

公开(公告)日：2012-07-23

申请号：KR1020120003992

申请日：2012-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오다기리마사야 ,  도자와시게끼 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  Y10T137/8593

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly process a substrate by making the flow of gas uniform. CONSTITUTION: A substrate is loaded on a substrate loading stand. A baffle substrate(60) is installed in around the substrate loading stand in order to divide the interior of a process chamber into a process space and an exhaust space. An exhaust pipe(5) exhausts the interior of the process chamber. The exhaust pipe is arranged on the bottom of the process chamber. A gap(62) is formed between the substrate loading stand and the baffle substrate. A plurality of through holes(65) connecting the process space and the exhaust space is formed on the baffle substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过使气体流动均匀地均匀地处理基板。 构成：将基板装载到基板装载台上。 挡板基板（60）安装在基板装载台周围，以便将处理室的内部分成处理空间和排气空间。 排气管（5）排出处理腔室的内部。 排气管布置在处理室的底部。 在基板装载台与挡板基板之间形成间隙（62）。 在挡板基板上形成连接处理空间和排气空间的多个通孔（65）。

公开(公告)号：KR100234661B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019930024796

申请日：1993-11-19

Applicant: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도꾜일렉트론야마나시 가부시끼가이샤

Inventor： 고지마마사유끼 ,  이또요시가즈 ,  도미다가즈시 ,  도자와시게끼 ,  이이무로순이찌 ,  아라사와마사사 ,  니시무라에이이찌

IPC: C23F4/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/3345

Abstract: 본 발명은 에칭의 이방성의 정도에 관한 피처리기판의 면내균일성을 향상시키고, 이방성 에칭에 의해 형성되는 피에칭측면을 직각으로 접근시키기 위한 것으로, 평행평판형의 플라스마 에칭장치는 처리실(1)내에 배치된 서셉터전극과 샤워전극을 구비하며, 서셉터전극상에 반도체 웨이퍼가 설치되고, 샤워전극에는 복수의 처리가스공급구멍에 의해 규정되는 샤워영역(SR)이 형성된다. 샤워전극은 냉각블록에 의해 냉각되고, 이에 의해 샤워전극의 유효전극부는 그 주변이 그 중심보다 온도가 낮은 온도균배를 갖는다. 사워영역(SR)의 직경은 웨이퍼의 직경보다 5~25% 작고, 유효전극부의 온도균배에 기인하여 발생하는 에칭의 이방성의 정도에 관한 웨이퍼의 면내균일성의 저하를 보상하도록 선택된다. 또, 유효전극부의 직경은 웨이퍼(W)의 치수보다도 5~35% 크고, 에칭에 의해 형성되는 피에칭측벽의 테이퍼각이 85도~90도가 되도록 선택된다.

公开(公告)号：KR101321677B1

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：KR1020120003992

申请日：2012-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오다기리마사야 ,  도자와시게끼 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  Y10T137/8593

Abstract: 본 발명의 과제는 기판 상의 가스 흐름을 균일화하여, 기판 처리를 균일하게 행하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
기판을 처리하는 감압 가능한 처리 챔버를 갖는 기판 처리 장치이며, 기판을 적재하는 기판 적재대와, 상기 처리 챔버의 내부를 처리 공간과 배기 공간으로 구획하도록 상기 기판 적재대의 주위에 설치되는 배플판과, 상기 처리 챔버의 내부를 배기하는 배기구를 구비하고, 상기 기판 적재대와 상기 배플판 사이에는 간극이 형성되고, 상기 배플판에는 상기 처리 공간과 상기 배기 공간을 연통시키는 복수의 연통 구멍이 형성되어 있는 기판 처리 장치가 제공된다.