公开(公告)号：KR102049146B1

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：KR1020170088761

申请日：2017-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토 ,  후지나가모토키 ,  감베다카후미 ,  야마와쿠쥰 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

公开(公告)号：KR1020120082369A

公开(公告)日：2012-07-23

申请号：KR1020120003992

申请日：2012-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오다기리마사야 ,  도자와시게끼 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  Y10T137/8593

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly process a substrate by making the flow of gas uniform. CONSTITUTION: A substrate is loaded on a substrate loading stand. A baffle substrate(60) is installed in around the substrate loading stand in order to divide the interior of a process chamber into a process space and an exhaust space. An exhaust pipe(5) exhausts the interior of the process chamber. The exhaust pipe is arranged on the bottom of the process chamber. A gap(62) is formed between the substrate loading stand and the baffle substrate. A plurality of through holes(65) connecting the process space and the exhaust space is formed on the baffle substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过使气体流动均匀地均匀地处理基板。 构成：将基板装载到基板装载台上。 挡板基板（60）安装在基板装载台周围，以便将处理室的内部分成处理空间和排气空间。 排气管（5）排出处理腔室的内部。 排气管布置在处理室的底部。 在基板装载台与挡板基板之间形成间隙（62）。 在挡板基板上形成连接处理空间和排气空间的多个通孔（65）。

公开(公告)号：KR101882531B1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：KR1020137004141

申请日：2011-08-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우가진하지메 ,  도자와시게키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 본발명은화학적제거처리에의해서 Si계막을효과적으로제거한다. 처리실(21)내에수납한기판표면의 Si계막을제거하는기판처리방법은, 처리실(21)내에서, 할로겐원소를포함하는가스와염기성가스에의해, 기판표면의 Si계막을반응생성물로변질시키는제 1 공정 S1과, 상기처리실(21)내를제 1 공정 S1보다감압하여, 상기반응생성물을기화시키는제 2 공정 S2을 2회이상반복하는것을포함한다. 이것에의해, Si계막의제거레이트가높아지고, 생산성이향상한다.

公开(公告)号：KR1020150106353A

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：KR1020150032546

申请日：2015-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L29/786

Abstract: 박막 트랜지스터의 제조 공정에 있어서, 코로젼의 발생을 억제하면서, 알루미늄을 포함하는 전극을 패터닝하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치 등을 제공한다. 플라즈마 처리 장치(2)는, 박막 트랜지스터(4a, 4b)가 형성되는 기판(F)에 대하여 플라즈마 처리를 실행하고, 상기 플라즈마 처리가 실행되는 처리 용기(21)는 기판(F)이 탑재되는 탑재대(231)를 구비한다. 진공 배기부(214)는 처리 용기(21) 내의 진공 배기를 실행하고, 수소 가스 공급부(262)로부터 플라즈마 발생용의 가스인 수소 가스가 공급된다. 플라즈마 발생부(24)는 상기 플라즈마 발생용의 가스를 플라즈마화하고, 알루미늄을 포함하는 금속막의 상층측에, 패터닝된 레지스트막이 형성되며, 염소를 포함하는 에칭 가스에 의해서 상기 금속막이 에칭 처리된 기판의 처리를 실행한다.

Abstract translation: 提供了能够在制造薄膜晶体管的过程中抑制腐蚀的发生的同时对包括铝的电极进行图案化的等离子体处理装置等。 等离子体处理装置（2）相对于形成薄膜晶体管（4a，4b）的基板（F）进行等离子体处理，并且用于进行等离子体处理的处理容器（21）包括：安装台 其安装有基板（F）。 真空排气部214在处理容器21内进行真空排气，从氢气供给部262接收作为等离子体生成用的气体的氢气。 等离子体产生部件（24）允许用于等离子体产生的气体是等离子体，在包括铝的金属膜的上层上形成图案化的抗蚀剂膜，以及衬底的处理，其中通过蚀刻气体蚀刻金属膜，包括 氯。

公开(公告)号：KR101760997B1

公开(公告)日：2017-07-24

申请号：KR1020150032546

申请日：2015-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 박막트랜지스터의제조공정에있어서, 코로젼의발생을억제하면서, 알루미늄을포함하는전극을패터닝하는것이가능한플라즈마처리장치등을제공한다. 플라즈마처리장치(2)는, 박막트랜지스터(4a, 4b)가형성되는기판(F)에대하여플라즈마처리를실행하고, 상기플라즈마처리가실행되는처리용기(21)는기판(F)이탑재되는탑재대(231)를구비한다. 진공배기부(214)는처리용기(21) 내의진공배기를실행하고, 수소가스공급부(262)로부터플라즈마발생용의가스인수소가스가공급된다. 플라즈마발생부(24)는상기플라즈마발생용의가스를플라즈마화하고, 알루미늄을포함하는금속막의상층측에, 패터닝된레지스트막이형성되며, 염소를포함하는에칭가스에의해서상기금속막이에칭처리된기판의처리를실행한다.

Abstract translation: 提供一种等离子体处理装置等，其能够在制造薄膜晶体管的过程中抑制腐蚀的发生的同时对包含铝的电极进行构图。 的等离子体处理装置如图2所示，薄膜晶体管（4A，4B）上运行的底物（F）在等离子体处理是正规型属性，并在其安装在所述基板（F）安装进行的等离子体处理的处理容器21 和板（231）。 真空排气部214在处理容器21内进行真空排气，从氢气供给部262供给作为等离子体生成用气体的氢气。 等离子体发生器24包括与用于等离子体产生的等离子气体的基板，并且所述金属膜的上层侧包括铝，形成图案化的抗蚀膜，金属膜是由含蚀刻气体的氯的蚀刻工艺 执行的处理的。

公开(公告)号：KR1020160118387A

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：KR1020167027189

申请日：2011-08-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우가진하지메 ,  도자와시게키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 본발명은화학적제거처리에의해서 Si계막을효과적으로제거한다. 처리실(21)내에수납한기판표면의 Si계막을제거하는기판처리방법은, 처리실(21)내에서, 할로겐원소를포함하는가스와염기성가스에의해, 기판표면의 Si계막을반응생성물로변질시키는제 1 공정 S1과, 상기처리실(21)내를제 1 공정 S1보다감압하여, 상기반응생성물을기화시키는제 2 공정 S2을 2회이상반복하는것을포함한다. 이것에의해, Si계막의제거레이트가높아지고, 생산성이향상한다.

Abstract translation: 本发明通过化学除去处理有效地去除Si基膜。 处理腔室基于容纳在21一个基片表面上除去膜中Si的基板处理方法，所述处理室21内，它通过一个气体和含卤族元素的碱性气体的手段，在Si系膜的劣化是在基板表面的反应产物 第一步骤S1和第二步骤S2通过从第一步骤S1降低处理室21中的压力来使反应产物气化。 这增加了Si基膜的去除速率并提高了生产率。

公开(公告)号：KR102013029B1

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：KR1020170101407

申请日：2017-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토히데키 ,  마츠이히사시 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR1020130135233A

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020137004141

申请日：2011-08-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우가진하지메 ,  도자와시게키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 본 발명은 화학적 제거 처리에 의해서 Si계 막을 효과적으로 제거한다. 처리실(21)내에 수납한 기판 표면의 Si계 막을 제거하는 기판 처리 방법은, 처리실(21)내에서, 할로겐 원소를 포함하는 가스와 염기성 가스에 의해, 기판 표면의 Si계 막을 반응 생성물로 변질시키는 제 1 공정 S1과, 상기 처리실(21)내를 제 1 공정 S1보다 감압하여, 상기 반응 생성물을 기화시키는 제 2 공정 S2을 2회 이상 반복하는 것을 포함한다. 이것에 의해, Si계 막의 제거 레이트가 높아지고, 생산성이 향상한다.

公开(公告)号：KR101321677B1

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：KR1020120003992

申请日：2012-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오다기리마사야 ,  도자와시게끼 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  Y10T137/8593

Abstract: 본 발명의 과제는 기판 상의 가스 흐름을 균일화하여, 기판 처리를 균일하게 행하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
기판을 처리하는 감압 가능한 처리 챔버를 갖는 기판 처리 장치이며, 기판을 적재하는 기판 적재대와, 상기 처리 챔버의 내부를 처리 공간과 배기 공간으로 구획하도록 상기 기판 적재대의 주위에 설치되는 배플판과, 상기 처리 챔버의 내부를 배기하는 배기구를 구비하고, 상기 기판 적재대와 상기 배플판 사이에는 간극이 형성되고, 상기 배플판에는 상기 처리 공간과 상기 배기 공간을 연통시키는 복수의 연통 구멍이 형성되어 있는 기판 처리 장치가 제공된다.