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公开(公告)号：KR1020170098721A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020170023530
申请日：2017-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J2237/334 , H01L21/02252 , H01L21/30655 , H01L21/3081 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 패터닝된층의주기적에칭을위한방법들및 시스템들이설명된다. 실시예에서, 방법은기저층, 기저층과마스크층 사이에배치되는중간층의일부를노출시키는마스크층을포함하는기판을수용하는단계를포함한다. 실시예는또한, 마스크층 상에제 1 층을, 그리고중간층의노출된일부상에제 2 층을형성하는단계 - 제 1 층및 제 2 층은동시에형성됨 - 를포함할수 있다. 추가적으로, 방법은기판으로부터제 1 층및 제 2 층을동시에제거하는단계를포함할수 있다. 그러한실시예들에서, 방법은기저층의일부가노출될때까지형성단계와제거단계사이를교호하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 描述了用于图案化层的周期性蚀刻的方法和系统。 在一个实施例中，该方法包括接收衬底，该衬底包括基底层，暴露设置在基底层和掩模层之间的中间层的一部分的掩模层。 实施例还可以包括在掩模层上形成第一层以及在中间层的暴露部分上形成第二层，其中第一和第二层同时形成。 另外，该方法可以包括从衬底同时去除第一层和第二层。 在这样的实施例中，该方法可以包括在形成和去除步骤之间交替，直到基层的一部分被暴露。
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公开(公告)号：KR1020170135900A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020177031891
申请日：2016-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32009 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/67069
Abstract: 패시팅및 패시베이션층들을사용하는, 기판상에구조물프로파일들을생성하는방법이제공된다. 제 1 플라즈마에칭프로세스가수행되어패시팅된측벽및 원하는변곡점을생성하고; 산소, 질소, 또는산소와질소가조합된플라즈마를사용하는제 2 플라즈마에칭프로세스가수행되어패시베이션층을생성하며; 상이한에칭레이트들을유발하여상기구조물의수평에가까운표면들상의브레이크스루를달성하기위해, 상기패시팅된측벽및 상기패시베이션층상에에칭화학물의동작변수들을사용하는제 3 플라즈마에칭을수행하도록구성되고, 사용되는제 3 플라즈마에칭은기판에서기저저지층까지하향으로타겟측벽프로파일을생성하도록구성된다. 타겟측벽프로파일목적들을달성하기위해제 1 플라즈마에칭프로세스, 제 2 플라즈마에칭프로세스, 및/또는제 3 플라즈마에칭프로세스의수행중에, 선택된 2개이상의플라즈마에칭변수들이제어된다.
Abstract translation: 提供了一种用于使用刻面和钝化层在衬底上创建结构轮廓的方法。 执行第一等离子体蚀刻工艺以产生有小面的侧壁和所需的拐点; 执行使用氧气，氮气或氧气和氮气的组合的第二等离子体蚀刻工艺以产生钝化层; 为了在刻面侧壁和钝化层上使用刻蚀化学物质的操作参数来执行第三次等离子体刻蚀以实现不同的刻蚀速率以在结构的近水平表面上实现突破， 所使用的第三等离子体蚀刻被配置为从衬底向基底阻挡层向下产生目标侧壁轮廓。 在执行第一等离子体蚀刻工艺，第二等离子体蚀刻工艺和/或第三等离子体蚀刻工艺以实现目标侧壁轮廓目标期间，控制两个或更多个选定的等离子体蚀刻参数。
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公开(公告)号：KR102072269B1
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：KR1020170023530
申请日：2017-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768
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