公开(公告)号：KR1020170095164A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：KR1020170019589

申请日：2017-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유카이-헝 ,  오이에마나부 ,  마에카와카오루 ,  와즈다코리 ,  레우싱크게릿 ,  기쿠치유우키 ,  가와사키히로아키 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/203 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238

Abstract: 반도체제조시의구리(Cu) 금속화에의해컨포멀배리어층및 루테늄(Ru) 금속라이너를집적하는방법을여러실시예에서설명한다. 일실시예에따르면, 방법은리세스형피처를포함하는기판을제공하는단계; 리세스형피처내에배리어층을증착하는단계; 배리어층상에 Ru 금속라이너를증착하는단계; Ru 금속라이너를통하여배리어층을산화시키도록기판을산화원가스에노출시키는단계를포함한다. 방법은, IPVD 공정을이용하여 CuMn 금속으로리세스형피처를메우는단계; Mn을상기 CuMn 금속으로부터산화된배리어층으로확산시키도록기판을열처리하는단계; Mn 함유확산배리어를형성하기위하여확산된 Mn을산화된배리어층과반응시키는단계를더 포함한다.

Abstract translation: 在各种实施例中描述了用于在半导体制造期间通过铜金属化来整合共形阻挡层和钌（Ru）金属衬里的方法。 根据一个实施例，一种方法包括提供包括凹陷特征的衬底; 在凹陷特征内沉积阻挡层; 在阻挡层上沉积Ru金属衬垫; 并且将衬底暴露于氧化源气体以通过Ru金属衬垫氧化阻挡层。 该方法包括使用IPVD工艺用CuMn金属填充凹陷特征; 退火衬底以将Mn从CuMn金属扩散到氧化的阻挡层; 并且使扩散的Mn与氧化的阻挡层反应以形成含Mn的扩散阻挡层。