公开(公告)号：KR1020080080941A

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：KR1020080019100

申请日：2008-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  미요시히데노리 ,  마에카와카오루

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873

Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided to suppress oxidation of a copper layer in burying a copper interconnection by using an alloy layer of copper and added metal along a concave part of an insulation layer. An alloy layer formed by adding metal to copper is formed along the wall surface of a concave part(75) of an interlayer dielectric on a substrate. A barrier layer is formed which is made of a compound of the added metal and a constitution element of the interlayer dielectric. The substrate is heated in an atmosphere including organic acid, organic acid anhydride and ketone to extract surplus added metal to the surface of the alloy layer. The surplus added metal extracted to the surface of the alloy layer can be removed. Copper is filled in the concave part.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，以通过使用铜的合金层和沿着绝缘层的凹部添加金属来抑制铜互连的铜层的氧化。 沿着衬底上的层间电介质的凹部（75）的壁面形成通过将铜添加而形成的合金层。 形成由添加金属的化合物和层间电介质的构成元素构成的阻挡层。 将基材在包括有机酸，有机酸酐和酮的气氛中加热，以向合金层的表面提取剩余的添加金属。 可以除去提取到合金层表面的剩余添加金属。 铜填充在凹部中。

公开(公告)号：KR100952685B1

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：KR1020080019100

申请日：2008-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  미요시히데노리 ,  마에카와카오루

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873

Abstract: 절연막의 오목부를 따라 성막한 구리 및 첨가 금속의 합금막을 이용하여 배리어 막과 구리 막을 형성하고, 그 후, 구리 배선을 매립함에 있어서, 상기 구리 막의 산화를 억제하고, 또한 배선 저항의 상승을 억제하는 기술을 제공하는 것이다.
구리에 첨가 금속을 첨가한 합금막을 기판 표면의 층간 절연막의 오목부의 벽면을 따라 형성하는 공정과, 또한 상기 첨가 금속과 층간 절연막의 구성 원소와의 화합물로 이루어지는 배리어 층을 형성하고, 또한 잉여 첨가 금속을 합금막의 표면으로 석출(析出)시키기 위해, 유기산, 유기산 무수물 또는 케톤 류를 포함하는 분위기에서 기판을 가열하는 공정과, 오목부에 구리를 매립하는 공정을 포함하도록 반도체 장치의 제조 방법을 실시한다. 유기산, 유기산 무수물 또는 케톤 류는 구리에 대해 환원성을 가지므로, 합금막에 포함되는 구리의 산화를 억제하면서, 첨가 금속과 절연막 중의 구성 원소와의 화합물로 이루어지는 배리어 층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020170095164A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：KR1020170019589

申请日：2017-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유카이-헝 ,  오이에마나부 ,  마에카와카오루 ,  와즈다코리 ,  레우싱크게릿 ,  기쿠치유우키 ,  가와사키히로아키 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/203 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238

Abstract: 반도체제조시의구리(Cu) 금속화에의해컨포멀배리어층및 루테늄(Ru) 금속라이너를집적하는방법을여러실시예에서설명한다. 일실시예에따르면, 방법은리세스형피처를포함하는기판을제공하는단계; 리세스형피처내에배리어층을증착하는단계; 배리어층상에 Ru 금속라이너를증착하는단계; Ru 금속라이너를통하여배리어층을산화시키도록기판을산화원가스에노출시키는단계를포함한다. 방법은, IPVD 공정을이용하여 CuMn 금속으로리세스형피처를메우는단계; Mn을상기 CuMn 금속으로부터산화된배리어층으로확산시키도록기판을열처리하는단계; Mn 함유확산배리어를형성하기위하여확산된 Mn을산화된배리어층과반응시키는단계를더 포함한다.

Abstract translation: 在各种实施例中描述了用于在半导体制造期间通过铜金属化来整合共形阻挡层和钌（Ru）金属衬里的方法。 根据一个实施例，一种方法包括提供包括凹陷特征的衬底; 在凹陷特征内沉积阻挡层; 在阻挡层上沉积Ru金属衬垫; 并且将衬底暴露于氧化源气体以通过Ru金属衬垫氧化阻挡层。 该方法包括使用IPVD工艺用CuMn金属填充凹陷特征; 退火衬底以将Mn从CuMn金属扩散到氧化的阻挡层; 并且使扩散的Mn与氧化的阻挡层反应以形成含Mn的扩散阻挡层。